XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System氮化
宽带2×2硅氮化物平台上的多模式接口
基于自我成像效应[1]，多模式干涉仪（MMI）可以用作光束拆分器，这是光子积分电路的基本构建块。MMI与Y分支和方向耦合器相比，由于其定义明确的振幅，相位和出色的公差[2，3]，提供了卓越的性能。因此，MMI在Mach-Zehnder干涉仪（MZIS）[4]，分裂和组合器[5，6]，极化束分裂器[7]中找到应用。与MMIS尺寸降低或性能提高有关的研究已发表[8-11]。最近，在SOI上使用MMI设备的次波光栅在内的设计表现出了巨大的承诺[12，13]。次波长光栅（SWGS）是光栅结构，它利用小于波长的光向音高[14]，抑制衍射效应并表现出各向异性特征[12]。通过工程化各向异性折射率，SWG已在许多应用中使用，例如纤维芯片表面和边缘耦合器[15-17]，微功能波导[18]，镜片[19]，波导cross [20]，多路复用器[17，21，22]，相位移动器[23]和Optical Shifters [23]和Optical Sheifters [23] [23] [24] [24] [24] [24]。使用这种元物质，SWG MMI设备的带宽已在SOI平台上显着扩展[12，13]，这使包括波长二线二线器[25]，宽带偏振器梁拆分器[26] [26]和双模式束分配器有益于广泛的应用[27]。砖SWG结构以减轻制造分辨率的要求[28，29]。在SOI平台旁边，其他CMOS兼容材料，例如氮化硅，氮化铝和硝酸锂引起了很多关注。氮化硅（Si 3 N 4）由于其超低损失[30]，非线性特征[31]，从400 nm到中红外[32]脱颖而出[31]。像SOI平台一样，人们对在硅硅平台内实现高性能MMI设备也非常感兴趣。在本文中，我们将SWG MMI理论从SOI平台扩展到其他集成的光子平台，专门针对300 nm厚的氮化硅平台。我们的目标是设计和优化具有较小脚印和宽操作的SWG MMI设备
氮化硅弯曲的不对称耦合波导与部分Euler弯曲
光子集成电路（图片）最初是为满足光纤数据传输系统的需求而设计的[1]。近年来，我们目睹了光子整合技术的爆发，并具有不断增长的应用范围。高度活跃的字段包括光传感器[2]，医疗应用[3]，光学频率梳子生成[4]和量子技术[5]仅举几例。综合光子技术的持续进展是由大型生态系统的开发引起的，包括提供开放访问制造服务的铸造厂[6]。硅光子学基于高度成熟的CMOS制造过程，在此scenario中起着重要的作用[6]。尽管传统的绝缘体硅（SOI）技术仍然在CMOS平台中占主导地位，但基于氮化硅波导的图片对于某些应用来说尤其重要[7]。与硅引导结构相比，用氮化硅制造的结构可提供较小的线性和非线性固有传播损失，较低的热光系数以及一个较大的透明度区域，该区域为从可见的中部到中央验收的应用打开了平台。在负面，氮化硅的主要缺点源于其折射率小于硅的折射率。因此，氮化硅波导中的场限制较差，并且弯曲波导切片中的辐射损失变大[8]。这最终限制了集成设备中曲率的最小可接受半径，因此限制了集成规模。可以通过结合次波长的光栅[9]或侧凹槽[10，11]来修改波格的几何形状来减少弯曲整合波导中的辐射损失。尽管如此，这些设计策略需要其他非标准制造步骤。使用匹配的弯曲[12]允许通过将弯曲的总范围调整为前两种模式的节拍长度的倍数，从而减轻恒定曲率部分与直线输入和输出波导之间的过渡处的损失。可以应用于任意长度的弯曲部分的替代方法是通过将相对侧向移动应用于直的和弯曲的波导[13，14]，以最大化不连续性的模式耦合。其他方案基于弯曲波导宽度[15-18]的进行性修改或使用三角学[19]，Spline [10，20，21]，Euler [22-25]，Bezier [16，26]或N -djustable [27]功能。弯曲辐射损失也可以使用不同的算法最小化[28 - 34]。
三元氮化物 CaZrN2 和 CaHfN2 的合成
摘要：最近的计算研究预测了许多新的三元氮化物，揭示了这一尚未充分探索的相空间中的合成机会。然而，合成新的三元氮化物很困难，部分原因是中间相和产物相通常具有较高的内聚能，会抑制扩散。本文，我们报告了通过 Ca 3 N 2 和 M Cl 4（M = Zr、Hf）之间的固态复分解反应合成两个新相，钙锆氮化物（CaZrN 2 ）和钙铪氮化物（CaHfN 2 ）。虽然反应名义上以 1:1 的前体比例通过 Ca 3 N 2 + M Cl 4 → Ca MN 2 + 2 CaCl 2 进行到目标相，但以这种方式制备的反应会产生缺钙材料（Ca x M 2 − x N 2 ，x < 1）。高分辨率同步加速器粉末 X 射线衍射证实，需要少量过量的 Ca 3 N 2 (约 20 mol %) 才能产生化学计量的 Ca MN 2 。原位同步加速器 X 射线衍射研究表明，名义化学计量反应在反应途径早期产生 Zr 3+ 中间体，需要过量的 Ca 3 N 2 将 Zr 3+ 中间体重新氧化回 CaZrN 2 的 Zr 4+ 氧化态。对计算得出的化学势图的分析合理化了这种合成方法及其与 MgZrN 2 合成的对比。这些发现还强调了原位衍射研究和计算热化学在为合成提供机械指导方面的实用性。■ 简介
rtm385-SLS热固性聚酰亚胺的激光烧结用氮化硼
1。简介选择性激光烧结（SLS）是一种添加剂制造（AM）技术，它通过使用激光在每个计算机辅助设计（CAD）文件的切片中使用激光在粉末状聚合物材料的床上选择性地融化3D模型（图。1a）。SLS的常用聚合物是多酰胺11和12粉，使用温度范围为150-185°C [1-2]。Recently semi-crystalline PEEK of varied LS-grade powders with a melting temperature (T m ) of 343-370°C, were heated up to 380°C to be manufactured into 3D objects by a more elaborate high temperature laser sintering (HT-LS) machine and process, affording PEEK components with a glass transition temperature (T g ) of 150°C [3-4].然而，与传统处理的材料相比，这些热塑性聚合物构建的3D物体的强度通常很弱，这是因为它们由AM加工产生的固有较高的孔隙率以及在Z方向上缺乏聚合物链间连接。因此，对于250-300°C的热固性聚合物开发激光烧结过程至关重要，对航空应用使用能力。最近，将热固性二甲酰亚胺树脂与热导电碳微气泡混合在一起，以提高其激光可吸收性以成功激光烧结[5]。为了克服树脂的低粘度，标准的RTM370树脂在300°C进一步加热2-3小时，以通过促进链扩展，同时仍保持融化融化性处理性，从而提高粘度，从而避免在树脂内部反应性PEPA端盖进行广泛的交联。Initially we have attempted to print a melt-processable RTM370 thermoset polyimide oligomer powder terminated with reactive phenylethynylphthalic (PEPA) endcaps by laser sintering into a 3D objects [6], but soon realized the viscosity of the material originally developed for resin transfer molding (RTM) was too low, and the laser seemed only melted the resin without固化反应性PEPA端盖，从而导致带有空隙的标本。进一步上演的RTM370能够以LS的完整性进行3D打印样品（图1b）。
单原子在结晶碳氮化物上进行选择性C- hopoxidation：实现异质材料中均匀途径的桥梁
单原子催化是当代科学中至关重要的领域，因为它具有出色的结合均匀和异质催化的领域的能力。铁和锰金属酶在自然界中具有有效的C- H氧化反应有效，激发了科学家在人工催化系统中模仿其活性位点。在此，成功地使用了一种简单而多功能的阳离子交换方法来稳定Poly（Heptazine Imides）（PHI）中的低成本铁和锰单原子。所得材料被用作甲苯氧化的光催化剂，表现出对苯甲醛的显着选择性。然后将方案扩展到不同底物的选择性氧化，包括（固定的）烷基芳烃，苄基醇和硫酸盐。详细的机理研究表明，含铁和锰的光催化剂通过形成高价值M o物种通过类似的机制来起作用。操作X射线吸收光谱（XAS）用于确认形成高价值铁和锰氧化物种，通常在参与高度选择性C- H氧化的金属酶中发现。
低温溅射沉积亚微米氮化铝薄膜的高热导率
摘要：氮化铝 (AlN) 是少数具有优异导热性的电绝缘材料之一，但高质量薄膜通常需要极高的沉积温度 (>1000°C)。对于密集或高功率集成电路中的热管理应用，重要的是在低温 (<500°C) 下沉积散热器，而不会影响底层电子设备。在这里，我们展示了通过低温 (<100°C) 溅射获得的 100 nm 至 1.7 μ m 厚的 AlN 薄膜，将其热性能与其晶粒尺寸和界面质量相关联，我们通过 X 射线衍射、透射 X 射线显微镜以及拉曼和俄歇光谱对其进行了分析。通过反应性 N 2 的分压控制沉积条件，我们实现了 ∼ 600 nm 薄膜热导率 ( ∼ 36 − 104 W m − 1 K − 1 ) 的 ∼ 3 × 变化，上限范围代表室温下此类薄膜厚度的最高值之一，尤其是在低于 100°C 的沉积温度下。还可以从热导率测量中估算出缺陷密度，从而深入了解 AlN 的热工程，可针对特定应用的散热或热限制进行优化。关键词：热导率、氮化铝、生产线后端、热传输、溅射沉积、低温、电力电子
硅基氮化物外延开发
市场新闻 6 智能手机出货量将在 2023 年第三季度小幅下滑后复苏 微电子新闻 8 CML 完成对微波技术的收购 宽带隙电子新闻 10 DENSO 和三菱电机向 Coherent 的 SiC 部门投资 10 亿美元 • Soitec 启动 SmartSiC 晶圆生产工厂 • J2 和 HKSTP 在香港建立第一家 SiC 晶圆厂 • onsemi 完成韩国 SiC 晶圆厂扩建 • 英飞凌完成对 GaN Systems 的收购 • 英飞凌签署多年期协议，为现代/起亚供应电源半导体 • 美国国防部为北卡罗来纳州立大学牵头的“CLAWS”微电子公共区域创新中心拨款 3940 万美元 • GlobalFoundries 获得美国政府 3500 万美元资助，以加速 200 毫米 GaN-on-Si 芯片的生产 • 佛蒙特大学-GF 联盟被指定为技术中心 • Element Six 入选美国国防部 LADDIS 计划 • 首款 JEDEC 标准顶部冷却表面贴装 TOLT GaN晶体管 • 东京农工大学和日本酸素公司通过MOVPE实现高纯度Ga 2 O 3薄膜的高速生长 材料和加工设备新闻 27 Riber的MBE 49 GaN将与MOCVD竞争200mm GN-on-Si • ELEMENT 3–5的ACCELERATOR 350K为批量生产提供单晶AlN • Aehr的收入同比几乎翻了一番 LED新闻 32 Mojo Vision的A轮融资几乎翻了一番，达到4350万美元 • NS Nanotech获得100万美元NSERC资助，用于开发纳米级LED和激光器 • ams OSRAM筹集22.5亿欧元以满足2025/26年的融资需求 光电子新闻 38 SuperLight Photonics在与DeepTechXL和oost NL的投资轮中获得种子资金 光通信新闻 40 ECOC 2023的新闻 • Coherent和Kinetic延长合作伙伴关系以启用网络边缘的 100G 服务 • OpenLight 与 Spark 合作扩展设计服务 • imec 推出 SiGe BiCMOS 光接收器，总数据速率达到 200Gbps 光伏新闻 50 NREL 创下 D-HVPE 生长的单结 GaAs 电池 27% 的效率记录
先进氮化铁磁体的设计与电路评估
将输出变压器集成到功率转换电子设备中 利用 WBG 半导体的高开关速度、电压和温度性能 高频变压器的核心材料一直是事后才考虑的事情（目前没有一种材料可以满足所有需求） 材料要求： 在 10-200 kHz 频率范围内损耗低
硅基氮化镓工艺技术 - PwrSoC
-2 ) >10 >10 0.5 5 ~1 ? v 峰值 (10^7 cm/s) 1 0.7 2 2.5 2.7 ? E 临界 (MV/cm) 0.15 0.3 3 3.3 5.6 15 热导率 (W/cm K) 0.6 1.5 3.3-4.5 2 20 21 RF Johnson 的 FOM = E 临界 *v 峰值 0.7 1.0 29 39 72 ? 功率 Baliga 的 FOM = mn * E 临界 ^3 0.5 1.0 443 1441 4460 5698