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挪威钻头和工具麻花钻 机械长度 木工长度
麻花钻 工作长度 NAS 907B 重型 135º 分割点 190-AG 型重型 Magnum .........6 190-CN 型 CN-TECH™ CRYO/NITRIDE .....7 170-AG 型 ......。。。。。。。。。。。。.8 - 9 * 128-AG 型 3/8 英寸柄 .............7 190 型黑色氧化物 ..........10 - 11 * 198 型 V-Line 黑色氧化物 .........15 190-AN 型氮化钛 .......10 - 11 190-ACN 型氮化钛碳 ...12 -14 类型 190-ALN 铝钛氮化物 12 -14 * 类型 190-GF Gold Strike™ 柄上有 3 个平面。.15 * 类型 190-GFR Gold Strike™ 3/8 英寸柄。.....15 * 非 NAS907B 机械长度 135º 分割点类型 175-AG。.....。。。。。。。。。。。。。28 型 178-AG 马格南 3/8 英寸柄 .........28 型 QR-AG 马格南 1/4 英寸六角柄 ......29 型 QR-AG 延长杆 3 英寸、6 英寸、12 英寸。..29 型 191 V 型黑色氧化物。..........28 工装长度 NAS 907A 型 340-A 黑色氧化物 118º 分割点。.。。。16 木工长度通用 118º 点类型 100 亮光饰面 。。。。。.......17 - 21 型 115 黑色氧化物 ..........17 - 21 型 170-W 公制 - 亮面处理 .........22 型 128 3/8 英寸缩小 - 亮面处理 .....23
分子靶标和喹啉的抗癌活性 - Chalcone杂种：文献综述†
Mamdouh F. A. Mohamed是埃及Sohag University的药物/药物化学的讲师。他于1975年出生于埃及的Sohag。 在Gamal El-Din A. Abuo-rahma教授的监督下，他获得了Minia大学的博士学位。 ，他获得了埃及阿萨特大学的荣誉，获得了bache-or's and Gaster's学位。 他对具有潜在的生物学活性的小分子的设计和合成感兴趣，尤其是组蛋白脱乙酰基酶抑制剂，具有抗菌，抗抗抗癌和抗癌活性的化合物的合成，喹啉衍生物和1,2,4-氧化二氮二氮二氮二氮二氮二氮化剂。 他已经监督了一位硕士论文。 目前，他是8个大师论文的共同参与者。 他在高影响力的国际同行评审期刊上发表了10多种文章。他于1975年出生于埃及的Sohag。在Gamal El-Din A. Abuo-rahma教授的监督下，他获得了Minia大学的博士学位。，他获得了埃及阿萨特大学的荣誉，获得了bache-or's and Gaster's学位。他对具有潜在的生物学活性的小分子的设计和合成感兴趣，尤其是组蛋白脱乙酰基酶抑制剂，具有抗菌，抗抗抗癌和抗癌活性的化合物的合成，喹啉衍生物和1,2,4-氧化二氮二氮二氮二氮二氮二氮化剂。他已经监督了一位硕士论文。目前，他是8个大师论文的共同参与者。他在高影响力的国际同行评审期刊上发表了10多种文章。
5G 和未来电信技术的高频 VLSI 设计的进步
关键词：5G 网络、VLSI 设计、高频操作、电信技术、毫米波、太赫兹频谱、数据传输、节能处理、半导体材料、硅锗 (SiGe)、氮化镓 (GaN)、磷化铟 (InP)、器件架构、FinFET、纳米级晶体管、速度增强、效率提高、功耗、热管理、信号完整性、先进冷却技术、低功耗设计方法、纠错算法、人工智能 (AI)、机器学习 (ML)、优化、自适应性能、连接性、数据处理能力、下一代网络、尖端方法、技术挑战、设计解决方案、新颖的设备实施、未来电信进步。
高压工程 - COMSOL
在 Wolfspeed，COMSOL Multiphysics ® 软件模拟在设计阶段被证明对节省时间和金钱特别有帮助。他的新设计基于两种宽带隙半导体，氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，它们在高频和高温下稳定运行。模拟对于找到几何和材料特性的最佳组合以优化新电源模块的重量、开关频率和功率密度至关重要（图 2）。“Wolfspeed 专注于高功率密度产品，这些产品需要进行大量精确测试才能完善。在投入金钱和时间进行原型设计和构建之前，能够进行模拟是非常有价值的，”他评论道。
国际 GaN4AP 研讨会：用于先进电力应用的 GaN
研讨会目标 本次活动是一个科学论坛，将汇集来自大学、研究中心和行业、在氮化镓 (GaN) 技术不同领域工作的顶尖专家。研讨会将讨论 GaN 技术的进步及其在电力电子不同领域的应用。特别是，研讨会的目的是讨论电力电子先进技术和材料开发的最新成果，以及电力转换器的 GaN 解决方案。此次研讨会是在正在进行的欧洲项目“用于先进电力应用的 GaN (GaN4AP)”下组织的。这一独特的特点将使致力于 GaN 技术互补方面的不同社区能够互动，从而成为欧洲进一步发展 GaN 研究的有效推动力。
昆士兰州量子和先进技术战略
主要的半导体平台是硅，但硅的潜力已达到极限，半导体开发的重点越来越多地转向由两种或两种以上元素组成的复合半导体，例如碳化硅和氮化镓，这需要先进的量子物理和制造能力。复合半导体的量子特性开辟了一系列性能增强和新应用。目前全球复合半导体市场规模估计约为 460 亿美元，预计年增长率约为 11%2。复合半导体产品包括电力电子、发光二极管 (LED) 和通信技术（如 5G、雷达、物联网），可应用于可再生能源、信息和通信技术、国防和航空航天、消费电子、医疗保健和汽车等行业领域。
电力电子研究与开发计划计划
基于宽带隙 (WBG) 半导体材料（如碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 和金刚石）的 PE 设备可以提高下一代电网的可靠性和效率。这些材料能够实现更高的开关频率 (kHz) 和阻断电压（高达数十至数百 kV），同时提供更低的开关损耗、更好的热导率以及承受更高工作温度的能力。充分利用 WBG PE 设备存在许多障碍和挑战，包括确定用于高功率电网应用的新设备拓扑、开发持续提供坚固设备的能力以及创建具有成本效益的大批量制造工艺。特定于材料的障碍包括：
SMDC/ARSTRAT
除了 GaAs 功率放大器技术外，氮化镓 (GaN) 微波功率放大器技术也在探索中，以满足未来 BMD 雷达的性能要求。这项工作将展示一种使用气相外延生长的 GaN 衬底作为宽带隙材料的微波功率放大器。高性能 X 波段功率放大器将为未来的雷达和导弹导引头提供高达三到四倍的电流能力。所选的晶体管设计具有高迁移率和高载流子浓度、高多功能性、高击穿电压和高增益、使用合金层适当设计通道组成以及对微管缺陷的低敏感性等优势。