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World File Search System沉积的
推荐引用推荐引用Y. Chen等人，“从激光表面sodifica
摘要：在这项工作中，Ni-Alloy Deloro-22在具有多组激光处理参数的Ti-6al-4V bar底物上激光沉积。目的是在Ti -6al -4V的表面上施加激光表面修饰，以合成延性Tini和硬ti 2 Ni金属间相的不同组合，以获得可调节的表面特性。扫描电子显微镜，能量分散光谱和X射线衍射剂用于揭示沉积的表面微观结构和相。讨论了加工参数对Tini和Ti 2 Ni产生组成的影响。评估了沉积的硬度，并进行了与Ti -6al – 4V散装部分的比较。他们在激光处理后在Ti-6al-4V合金上表现出显着改善，并且通过使用这种激光辅助的表面修饰技术，可以通过使用硬度来显着调节硬度。
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
反刍动物供应链的温室气体排放
在全球水平上的生产过程和气体对牛奶和牛肉排放概况的相对贡献如图5所示。在ch 4中的大量份额占总温室排放量的份额，占总排放量的50％和44％，肠发酵贡献了92％以上，占乳制品和牛肉产量总排放量的97％。在乳制品和牛群中，n 2 O排放量相对相对相似的总碳足迹 - 约为排放量的29％。N 2 O排放的主要来源包括在放射和饲料生产过程中沉积的粪便中的N 2 O。 在全球范围内，CO 2排放分别占乳制品和牛肉排放概况的20％和27％。 之间CO 2排放的差异N 2 O排放的主要来源包括在放射和饲料生产过程中沉积的粪便中的N 2 O。在全球范围内，CO 2排放分别占乳制品和牛肉排放概况的20％和27％。
机器人和AI进入医疗保健：谁负责医疗事故？8周有氧运动
阿尔茨海默氏病（AD）是一种慢性综合征，其特征是由脑功能障碍引起的认知障碍，老年人，女性和社会经济地位较低的人的敏感性较高。AD的主要临床表现包括认知功能障碍和记忆下降（Nelson等，2009）。从病理上讲，AD主要以神经原纤维缠结（NFT）和淀粉样ββ（Aβ）的积累为特征（Sebastian-Serlano等，2018； Hardy和Selkoe，2002）。尽管Aβ和NFT的沉积触发了AD中的一系列下游反应的级联反应，但研究表明，脑细胞中铁沉积过量的现象先于Aβ沉积和NFTS的发作（Cheignon等，2018; Wan等，2018; Wan等，2019）。此外，铁超载与β沉积的过程和tau蛋白的异常磷酸化有关（Cheignon等，2018; Wan等，2019; Schubert and Chevion，1995; Jiang et al。，2009）。因此，导致铁沉积的脑铁代谢的失衡可能是引发AD发作的关键因素。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
Semih Akin 的简历 - SEMI 实验室
3. JT. Tsai Ψ、S. Akin、F. Zhou、DF. Bahr、MBG. Jun*，“聚合物基材导电应用上金属粉末冷喷涂沉积的模拟与表征”，ASME 国际制造科学与工程会议，美国俄亥俄州辛辛那提，(2020)，(https://doi.org/10.1115/MSEC2020-8461) 2。
评论文章 新兴锂金属主体梯度设计取得进展
开发宿主材料已被认为是一种潜在的对策，可以避免锂金属负极 (LMA) 的固有缺陷，例如不受控制的枝晶生长、不稳定的固体电解质界面和有限的体积波动。为了实现适当的锂容纳，特别是自下而上的锂金属沉积，包括亲锂性和/或导电性的宿主材料梯度设计近年来引起了广泛关注。然而，对于这个快速发展的主题，仍然缺少批判性和专门性的综述。在这篇综述中，我们试图全面总结和更新指导锂成核和沉积的相关进展。首先，讨论了有关锂沉积的基本原理，特别关注宿主材料的梯度设计原理。相应地，系统地回顾了在亲锂性、导电性及其混合方面创建不同梯度的进展。最后，提供了面向实用 LMA 的先进宿主材料梯度设计的未来挑战和前景，这将为未来的研究提供有用的指导。
通过激光辅助等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅，用于下一代有机电子器件
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 在低温下无损伤、无应力地沉积化学计量的氮化硅是微电子、微机电系统 (MEMS) 等各种应用领域中的一个重要课题。本研究研究了氮化硅 PECVD (LAPECVD) 过程中激光辅助对沉积的 Si 3 N 4 薄膜的物理和化学特性的影响。由于反应气体的分解作用增强，在 80 ◦ C 下用 193 nm 激光辅助的 LAPECVD 显示出比 PECVD 更高的沉积速率。此外，沉积的氮化硅薄膜的 N/Si 化学计量比和残余应力也得到了改善。当氮化硅直接沉积在有机发光二极管 (OLED) 上进行薄膜钝化时，LAPECVD 没有观察到电气损坏，这可能是因为激光辅助沉积在 OLED 表面覆盖了一层薄薄的氮化硅层，而传统的 PECVD 则因直接暴露于等离子体而导致离子轰击导致器件损坏。我们相信 LAPECVD 系统可用于各种下一代微电子行业，这些行业需要在低温 PECVD 期间以最小的损坏进行高质量的薄膜沉积。
对MOF吸收在羟基化和非羟基化金属氧化物表面上吸收的第一原理研究及其对MOS2原子层沉积的影响
对二维过渡金属二核苷的显着兴趣已通过可伸缩的蒸气相，例如化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）进行了许多实验研究。ALD通常允许较低的沉积温度，化学前体的成核需要与表面官能团的反应。用于研究ALD建模的一种常见的第一原理方法是计算提出的反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度功能理论（DFT）计算了部分电荷密度，状态（LDO）的局部密度（LDOS），不良电荷分析，吸附能和电荷密度差，以研究MOF 6在包括Al 2 O 3，HFO 2，HFO 2和MGO在内的三个氧化物表面上MOF 6的成核。我们的发现表明，羟基（OH）有助于降低MOF 6的前半循环期间的反应屏障，并促进氧化物底物上前体的化学吸收。这一发现得到了高离子MF X（M =金属，X = 1，2，3）在氧化物表面的键的支持。通过比较有和没有羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。