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org信：EPA必须立即停止CO2注入井
这些要求源于1）伊利诺伊州迪凯特的Archer Daniels Midland（ADM）设施的二氧化碳和设备故障的多次泄漏； 2）关于从2011年开始的德克萨斯II类井的不合规违规行为增加的新信息； 3）当将这些井与其他II类井进行比较时，在一个或多个机械完整性测试中未能通过一个或多个机械完整性测试的II类二氧化碳注入井的较高百分比； 4）EPA的调查结果是，钢用于ADM现场以及全国其他其他地区的井结构，易于在CO2注入井中进行腐蚀。我们的要求也与2024年10月的白宫环境司法咨询委员会的建议保持一致。注入井和其他碳捕获基础设施对环境司法社区的不成比例发展将增加对已经受到污染负担过重的社区的伤害的风险，并且与政府的气候司法目标不一致。
ra家族MCU注入电流，以防止损坏MCU
1。对本文档中电路，软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路，软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任，而这些损失和损失是由于使用这些电路，软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利，版权或其他知识产权的任何其他要求，或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的，包括但不限于产品，图形，图形，图表，图表，Algorith和Algorith和Algorith，以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利，版权或其他知识产权的权利下，没有明示，隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证，并获得合法进出口，出口，制造，销售，利用，分销或其他任何产品（如果需要）的任何产品（如果需要）的任何产品。5。您不得更改，修改，复制或反向工程师，无论是全部还是部分。6。“高质量”：运输设备（汽车，火车，船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任，这些损失或损失是由于这种更改，修改，复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类：“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级，如下所示。“标准”：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人；等。）;交通控制（交通信号灯）；大规模通信设备；关键财务终端系统；安全控制设备；等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品，否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统（人为生命或人工生命支持设备或系统； ），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现的任何安全措施或功能，但Renesas Electronics绝对不承担任何责任，包括任何漏洞或安全漏洞，包括但不限于对使用Renesas Electronics或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的，或者不受腐败，攻击，病毒，干扰，黑客攻击，数据丢失或盗窃或其他安全入侵（“脆弱性问题”）。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外，在适用法律允许的范围内，Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件（包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证）方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时，请参阅最新产品信息（数据表，用户手册，应用程序注释，“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”，等等。），并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内，相对于最高评级，操作电源电源电压范围，散热特性，安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障，失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性，但半导体产品具有特定的特征，例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品，否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。，您有责任采取安全措施，以防止火灾受到人身伤害，伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险，例如硬件和软件的安全设计，包括但不限于预防裁员，防火和不适用任何其他适当的治疗方法，包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际，因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室，了解有关环境问题的详细信息，例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细，充分调查适用的法律和法规，这些法律和法规，这些法规和使用受控物质（包括不限于欧盟ROHS指令），并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规，主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任，或任何其他分发，处置或以其他方式将产品分发，处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方，在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意，不得以任何形式重印，复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问，请联系Renesas电子销售办公室。
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1。对本文档中电路，软件和其他相关信息的描述仅供说明半导体产品和应用程序示例的操作。您对产品或系统设计中的电路，软件和信息的合并或任何其他用途完全负责。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失和损失均不承担任何责任，而这些损失和损失是由于使用这些电路，软件或信息而引起的。2。Renesas Electronics特此明确违反了对侵权或涉及第三方的专利，版权或其他知识产权的任何其他要求，或者是由于使用Renesas电子产品或本文档中描述的肾上腺电子产品或技术信息所产生的，包括但不限于产品，图形，图形，图表，图表，Algorith和Algorith和Algorith，以及不限于本文档中的技术或技术信息。3。在任何专利，版权或其他知识产权的权利下，没有明示，隐含或其他方式的许可证。4。您应负责确定任何第三方需要哪些许可证，并获得合法进出口，出口，制造，销售，利用，分销或其他任何产品（如果需要）的任何产品（如果需要）的任何产品。5。您不得更改，修改，复制或反向工程师，无论是全部还是部分。6。“高质量”：运输设备（汽车，火车，船舶等。7。renesas电子设备对您或第三方造成的任何损失或损害赔偿均不承担任何责任，这些损失或损失是由于这种更改，修改，复制或反向工程而引起的。Renesas电子产品根据以下两个质量等级进行分类：“标准”和“高质量”。每种Renesas电子产品的预期应用都取决于产品的质量等级，如下所示。“标准”：计算机；办公设备；通信设备；测试和测量设备；音频和视觉设备；家用电子电器；机床；个人电子设备；工业机器人；等。）;交通控制（交通信号灯）；大规模通信设备；关键财务终端系统；安全控制设备；等。除非在Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中明确指定为高可靠性产品或用于恶劣环境的产品，否则Renesas电子产品不打算或授权用于可能对人类生活或人身伤害构成直接威胁的产品或系统（人为生命或人工生命支持设备或系统； ），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。 renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。 8。 9。 10。），或可能造成严重的财产破坏（太空系统；海底中继器；核电控制系统；飞机控制系统；关键工厂系统；军事设备；等）。renesas电子设备对您或任何第三方造成的任何损害或损失均不承担任何责任，这些损失或损失与使用任何Renesas电子数据表，用户手册或其他Renesas Electronics Electronics文档相抵触的任何Renesas Electronics产品产生的任何损失。8。9。10。没有绝对安全的半导体产品。尽管有任何安全措施或功能在Renesas电子硬件或软件产品中可能实现，但Renesas Electronics绝对不承担任何责任或安全漏洞的责任，包括但不限于对使用Renesas电子产品或使用Renesas电子产品的任何未经授权访问或使用任何未经授权的访问或使用。Renesas电子产品不保证或保证Renesas电子产品或使用Renesas电子产品创建的任何系统都将是无敌的，或者不受腐败，攻击，病毒，干扰，黑客攻击，数据丢失或盗窃或其他安全入侵（“脆弱性问题”）。renesas电子设备不承担与任何漏洞问题有关或相关的所有责任或责任。此外，在适用法律允许的范围内，Renesas Electronics在本文档以及任何相关或随附的软件或硬件（包括但不限于对特定目的的承包商或适合性的隐含保证）方面违反任何明示或暗示的保证。使用Renesas Electronics产品时，请参阅最新产品信息（数据表，用户手册，应用程序注释，“可靠性手册中的处理和使用半导体设备的一般说明”，等等。），并确保使用条件在Renesas电子设备指定的范围内，相对于最高评级，操作电源电源电压范围，散热特性，安装等。11。12。13。14。renesas电子设备因使用此类指定范围以外的Renesas电子产品而引起的任何故障，失败或事故均不承担任何责任。尽管Renesas Electronics努力提高了Renesas电子产品的质量和可靠性，但半导体产品具有特定的特征，例如以一定速率发生故障和在特定使用条件下发生故障。除非指定为高可靠性产品或Renesas电子数据表或其他Renesas电子文档中恶劣环境的产品，否则Renesas Electronics产品不会受到辐射抗性设计。，您有责任采取安全措施，以防止火灾受到人身伤害，伤害或损害以及/或在雷纳斯电子产品失败或故障的情况下对公众造成的危险，例如硬件和软件的安全设计，包括但不限于预防裁员，防火和不适用任何其他适当的治疗方法，包括但不限于裁员预防或其他任何适当的脱发度量。由于仅对微型计算机软件的评估非常困难和不切实际，因此您负责评估最终产品或系统的安全性。请联系Renesas电子销售办公室，了解有关环境问题的详细信息，例如每种Renesas电子产品的环境兼容性。renesas电子设备因不遵守适用法律和法规而导致的任何损害或损失承担任何责任。您有责任仔细，充分调查适用的法律和法规，这些法律和法规，这些法规和使用受控物质（包括不限于欧盟ROHS指令），并根据所有这些适用的法律和法规使用Renesas Electronics指令。Renesas电子产品和技术不得用于或纳入任何适用于国内或外国法律或法规的产品或系统中的任何产品或系统。您应遵守任何由任何国家的政府颁布和管理的任何适用的出口控制法律法规，主张对当事方或交易的管辖权。是Renesas电子产品的买方或分销商的责任，或任何其他分发，处置或以其他方式将产品分发，处置或以其他方式将产品转交给第三方的当事方，在本文档中规定的内容和条件之前通知该第三方。未经Renesas Electronics事先书面同意，不得以任何形式重印，复制或重复任何形式。如果您对本文档中包含的信息或Renesas电子产品有任何疑问，请联系Renesas电子销售办公室。
通过嵌段共聚物薄膜超低能量注入磷离子在硅中形成周期性掺杂阵列
完整作者列表：Kuschlan，Stefano； CNR 微电子与微系统研究所 Chiarcos，Riccardo；东皮埃蒙特大学阿梅代奥阿伏伽德罗 - 亚历山德里亚校区，DISIT Laus，Michele；东皮埃蒙特大学，DISIT Perez-Murano，Francesc；巴塞罗那微电子研究所 Llobet，Jordi； IMB CNM 费尔南德斯-雷古莱兹，玛尔塔；巴塞罗那微电子研究所，纳米制造 Bonafos，Caroline； CEMES Perego，米歇尔； CNR，微电子与微系统研究所 Seguini，Gabriele； CNR、IMM、玛瑙布里安扎德米奇利斯单位、马可； CNR 微电子与微系统研究所 Tallarida，Graziella；国家研究委员会微电子与微系统研究所，Agrate Brianza 单位
通过单个直接注入LC-MS/MS方法
每氯烷基酸（PFAAS），例如三氟乙酸（TFA），氟丙烷酸（PFPRA），丙烷磺酸（PFMS），丙酸（PFMS），丙烷基硫酸硫酸硫酸硫酸（PFROROUR）（PFROROUR）（PFROROUD）， PFA的一个子集，其特征是每氟化碳（C F）的链长度为1-3。 1与它们的长链对应物相比，这些化学物质在历史上被忽略了，原因是它们的毒性较低和生物蓄积潜力。 然而，这些超短链PFAA的高极性，水溶性和持久性会导致在水生和植物环境中积累，从而增加水生生物和人类的暴露。 尤其是在全球范围内报道了TFA在水性，固体和生物矩阵中的报道，通常比长链PFAA的浓度高。 2除了直接来源（例如工业生产）外，TFA还据报道是流通制冷剂，农药和药物的降解产物。 3,4这些正在进行的排放，加上TFA的极端持久性和流动性，导致了迅速增加和潜在不可逆转的行星暴露。 2每氯烷基酸（PFAAS），例如三氟乙酸（TFA），氟丙烷酸（PFPRA），丙烷磺酸（PFMS），丙酸（PFMS），丙烷基硫酸硫酸硫酸硫酸（PFROROUR）（PFROROUR）（PFROROUD）， PFA的一个子集，其特征是每氟化碳（C F）的链长度为1-3。1与它们的长链对应物相比，这些化学物质在历史上被忽略了，原因是它们的毒性较低和生物蓄积潜力。然而，这些超短链PFAA的高极性，水溶性和持久性会导致在水生和植物环境中积累，从而增加水生生物和人类的暴露。尤其是在全球范围内报道了TFA在水性，固体和生物矩阵中的报道，通常比长链PFAA的浓度高。2除了直接来源（例如工业生产）外，TFA还据报道是流通制冷剂，农药和药物的降解产物。3,4这些正在进行的排放，加上TFA的极端持久性和流动性，导致了迅速增加和潜在不可逆转的行星暴露。2
博士职位 保护深度学习硬件加速器免受故障注入和侧通道攻击
在深度学习硬件安全环境中，有报道称 DNN 实现受到的本地和远程攻击越来越多 [3]。这些攻击包括利用功耗 [5–7] 或电磁 (EM) 辐射 [8–10] 的侧信道分析 (SCA) 攻击 [4]，以及故障注入 (FI) 攻击 [11–13]。SCA 攻击会破坏机密性，使秘密深度学习资产（模型、私有数据输入）得以恢复，从而危及隐私并通过模型逆向工程进行伪造；FI 攻击会破坏完整性，通过错误分类和受控行为改变预期性能，以及可用性，通过拒绝访问或降低质量或性能使系统变得无用 [14]。由于 AI 边缘设备的可访问性和暴露性更高，因此对它们发起的物理 SCA 和 FI 攻击尤其令人担忧。然而，这些攻击不再需要对目标进行物理访问，因为云端和数据中心采用 FPGA 也使它们成为可以通过软件触发的远程硬件攻击的目标 [15]。
X射线故障注入：从安全角度审查防御方法
在空间和航空电子应用程序的背景下，在很大程度上已知并研究了总电离剂量（TID）辐射对金属氧化物半导体（MOS）电路的影响。多年来，人们已经知道，诸如X射线之类的高能辐射可以用作诱导扰动到电路的均值，从而可能影响在恶劣环境中运行的系统的可靠性和安全性[1]。但是，直到最近才透露，从安全的角度来看，它们也可能成为威胁。[2]中介绍的作品证明了使用基于同步加速器的纳米焦点X射线梁的单晶体管级攻击的性能。在[3]中提出了进一步的进步，该进步证明了使用简单的实验室X射线源进行此类攻击的可行性。钨或带有微观孔的铅膜，使用聚焦离子束（FIB）钻孔，可以沉积在目标电路上。只有与孔对齐的区域暴露于X射线，从而可以控制所选区域的照明。该技术和整个论文的考虑故障模型是半永久性故障模型。n型MOS可以被迫进入永久导电状态，而P型MOS可以被迫进入永久的开放状态。这种效果仍然是可逆的，可以通过简单的热退火处理来恢复电路的正常状态。半永久性断层与瞬态注射方法（如激光或EM）不同，依赖于氧化物水平上电荷的积累以生效，从而引入了降低X射线束的时间分辨率的时间不精确因素。当前，仅探索了对内存的攻击，因为它们不需要时间同步，但是在展示更高级攻击之前可能只是时间问题。
主题：Etanercept（ENBREL®）注入
的摘要和证据分析：对“冠状动脉层析术的临床使用”的审查（Villines）指出，“冠状动脉计算机层析造影血管造影（CCTA）是对无数型冠状动脉疾病（CAD）的评估或越来越多地利用的非侵袭性测试， 除了检测CAD外，CCTA还是排除血管造影具有意义冠状动脉stenose的绝佳方法。 CCTA的主要指示包括：作为应力测试的替代方法，作为慢性（稳定）症状患者的初步测试，表明缺血性心脏病以前没有建立CAD。 在非诊断或模棱两可的应激测试结果和持续性症状的患者中，作为侵入性冠状动脉血管造影的替代方法，其中尚不确定CAD的诊断。 作为没有已知CAD的患者的初步测试，当高度敏感的肌钙蛋白测定测试和临床评估无法确定地排除AC时，可能会出现急性冠状动脉综合征（AC）。 CCTA不应在持续的胸痛患者中进行ACS，因为运输它们是不安全的，并且CT套房通常不具备与潜在的不稳定患者打交道。 作为未经诊断为具有临床风险表现较低的非ST-Elevation AC的选定患者的应力测试或侵入性冠状动脉造影的替代方法除了检测CAD外，CCTA还是排除血管造影具有意义冠状动脉stenose的绝佳方法。CCTA的主要指示包括：作为应力测试的替代方法，作为慢性（稳定）症状患者的初步测试，表明缺血性心脏病以前没有建立CAD。在非诊断或模棱两可的应激测试结果和持续性症状的患者中，作为侵入性冠状动脉血管造影的替代方法，其中尚不确定CAD的诊断。作为没有已知CAD的患者的初步测试，当高度敏感的肌钙蛋白测定测试和临床评估无法确定地排除AC时，可能会出现急性冠状动脉综合征（AC）。CCTA不应在持续的胸痛患者中进行ACS，因为运输它们是不安全的，并且CT套房通常不具备与潜在的不稳定患者打交道。作为未经诊断为具有临床风险表现较低的非ST-Elevation AC的选定患者的应力测试或侵入性冠状动脉造影的替代方法
用于表面改性、注入和分析的纳米级多电荷聚焦离子束平台
PELIICAEN（纳米级离子注入控制和分析研究平台）装置是一种独特的设备，它拥有所有的原位超高真空设备（聚焦离子束 (FIB) 柱、二次电子显微镜 (SEM)、原子力和扫描隧道显微镜 (AFM/STM)），以及它在材料上的纳米结构性能。该装置最近配备了自己的电子回旋共振离子源、使用气动振动绝缘体的新型位置控制平台和快速脉冲装置。它的性能得到了大幅提升，可以选择多种离子，离子注入深度可调至几百纳米，图像分辨率低至 25 纳米，样品上的离子束尺寸低至 100 纳米。凭借所有这些设备，PELIICAEN 装置在执行和分析离子注入和表面改性方面处于国际前沿。
具有多有效载荷/多轨道注入能力的新型绿色一次性上面级技术概念研究
比萨大学，土木与工业工程系 - 航空航天部，意大利比萨 56122 lily.blondel@ing.unipi.it； alberto.sarritzu@ing.unipi.it； angelo.pasini@unipi.it b 米兰理工大学，航空航天、科学与技术系。 （DAER），20156 米兰，意大利 inigo.alforja@polimi.it； michelle.lavagna@polimi.it c 布伦瑞克工业大学，空间系统研究所，38106 布伦瑞克，德国 l.ayala-fernandez@tu-braunschweig.de d 布鲁塞尔自由大学，航空热力学系，1050 Bruxelles，比利时 riccardo.gelain@ulb.be ; patrick.hendrick@ulb.be 和 ONERA/DMPE，图卢兹大学，F-31410 Mauzac，法国 christopher.glaser@onera.fr；杰罗姆·安索因@onera.fr； Jouke.Hijlkema@onera.fr f 德累斯顿工业大学，航空工程学院，01062 德累斯顿，德国 Livia.Ordonjez-Valles@hs-bremen.de; martin.tajmar@tu-dresden.de g 不来梅应用技术学院，28199 不来梅，德国 Livia.Ordonjez-Valles@hs-bremen.de ; uapel@fbm.hs-bremen.de h 柏林工业大学，空间技术系，10587 柏林，德国 e.stoll@tu-berlin.de * 通讯作者