在空间和航空电子应用程序的背景下，在很大程度上已知并研究了总电离剂量（TID）辐射对金属氧化物半导体（MOS）电路的影响。多年来，人们已经知道，诸如X射线之类的高能辐射可以用作诱导扰动到电路的均值，从而可能影响在恶劣环境中运行的系统的可靠性和安全性[1]。但是，直到最近才透露，从安全的角度来看，它们也可能成为威胁。[2]中介绍的作品证明了使用基于同步加速器的纳米焦点X射线梁的单晶体管级攻击的性能。在[3]中提出了进一步的进步，该进步证明了使用简单的实验室X射线源进行此类攻击的可行性。钨或带有微观孔的铅膜，使用聚焦离子束（FIB）钻孔，可以沉积在目标电路上。只有与孔对齐的区域暴露于X射线，从而可以控制所选区域的照明。该技术和整个论文的考虑故障模型是半永久性故障模型。n型MOS可以被迫进入永久导电状态，而P型MOS可以被迫进入永久的开放状态。这种效果仍然是可逆的，可以通过简单的热退火处理来恢复电路的正常状态。半永久性断层与瞬态注射方法（如激光或EM）不同，依赖于氧化物水平上电荷的积累以生效，从而引入了降低X射线束的时间分辨率的时间不精确因素。当前，仅探索了对内存的攻击，因为它们不需要时间同步，但是在展示更高级攻击之前可能只是时间问题。