XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System热电阻
节约能源能源保护6.1一般名词...
系数的量度测量建筑物的复合结构元件的能力（例如由砖，隔热材料，腔等组成的墙壁。;瓷砖，木材，绝缘材料等）传递（因此抵抗热的传播）；这是热量的数量，将从结构的一侧流动到单位区域另一侧的空气，以使单位温度差为单位时间：u = w/m²k。注释1 U型屋顶，墙壁等，给出了单个建筑物的热性能的量度。注2在某些国家/地区，R型或R值（热电阻）在数学上是U值的倒数，但是在确定材料的内部和外部表面温度的确定中，不是对u-value的内部和外部表面温度，而不是u-value，则是u-value的u-value，是u-value的u-value，是u-value的测量值，是u-value的测量值。
白皮书整流器二极管 - 新开发项目
在单层FR-4样式的PCB上，焊接垫的大小是整体热量升压的主要贡献者。两层和4层PCB降低了热电阻。使用热vias是另一个不错的选择。在更高的功率设计中，有时会发现更昂贵的IMS基材。在所有这些设计中，总体热沉积较少依赖于非常大的焊料垫，而小型化是一种选择，并且可以增加功率散发。TSC还推出了2个新软件包-SMPC4.0和TO277A - 带有裸露的垫子。这些软件包为Diodes Inc和Vishay提供了第二来源。裸露的垫子可以大大帮助减少与消散功率相关的板空间。他们还通过降低RTHJ-l来减少TJ，从而提高可靠性。也是一个称为SOD123HE软件包的较小包装。
散热器计算和示例
在许多情况下，GS-RX和GSXTY-Z模块不需要任何其他冷却方法，因为研究了金属盒的尺寸和形状，以提供给定模块的最小可能的热电阻情况。应该记住，GS-R和GS-T模块是电源设备，即释放功率和耗散功率的产品，具体取决于环境温度，可能需要额外的热水渠道或强制通风或两者都需要将单元保持在安全温度范围内。我们希望在这里消除一个错误的参数，该参数一直困扰着电源设备的技术文献已有30年：在绝对最大等级中指定的操作环境温度。当我们处理功率组合时，操作环境温度的概念完全毫无意义，因为操作环境温度取决于如何使用电源设备。可以明确定义的是功率半核设备的最大连接温度或模块的外壳温度。要证明这一点，让我们考虑以下示例：
介意（空气）差距 - 成功的TIM
在集成电路应用中的TIM使用的简化说明如图1所示。在系统的这种简化视图中，由高导热金属构建的集成散热器（IHS）将与周围或含量温度构建。硅死亡，当电路活跃时，会产生明显的热量。例如，在数据中心中使用的现代微处理器通常会以每平方厘米100瓦（100W/cm 2）的速度产生功率密度。挑战是将热量从硅死亡中消失，同时最大程度地减少死亡温度的升高（称为连接温度）。TIM的工作是为这种热量提供有效的管道，以逃避死亡。最小化连接温度升高的能力至关重要，因为半导体的有用寿命与其连接温度i成反比。这种现象通常被建模为热电阻，ja，它具有每瓦的开尔文单位（k/w）。当控制环境温度并已知功率耗散时，很容易计算硅连接温度：
自动仪器仪表和操作手册...
1.1 ) 温度 1.1.1) 热电偶 1.1.2) 热敏电阻 1.1.3) 热电阻 1.1.4) 集成传感器 1.1.5) 线性热敏电阻 1.2) 空气湿度 1.2.1) 湿度传感器 1.2.2) 湿度传感器 1.2.3) 露点传感器 1.3) 土壤湿度 1.3.1) 中子探针 1.3.2) Bouyoucos 探针 1.3.3) 张力计 1.3.4) 时域反射仪 (TDR) 1.4) 气压 1.4.1) 电容传感器 1.4.2) 电感传感器 1.4.3) 压电传感器 1.4.4) 电位传感器 1.4.5) 电阻率传感器 1.4.6)半导体传感器 1.5) 太阳辐射 1.5.1) 热电堆 1.5.2) 光电管 1.6) 风速 1.6.1) 杯式风速计 1.6.2) 热线风速计 1.6.3) 超声波风速计 1.6.4) 多普勒风速计 1.7) 风向 1.8) 降雨量 1.8.1) 雨量计 1.8.2) 气象雷达 1.8.3) 雨滴能量传感器（冲击计） 1.9) 蒸发 1.9.1) 蒸发计 1.9.2) 渗滤计 1.10) 叶片湿度 1.11) 土壤热通量
改善基于GAN的微型腔发光设备的热耗散
摘要 - 基于双介质DBR的双介电型微腔发光设备，它们制造了两个不同的结构，并研究了它们的热特性。为了改善热耗散，使用了比SIO 2高得多的热导率的ALN电流构造层和电镀铜散热器。设备的热电阻从923 k/w降至457 k/w，其中一半是用典型使用的SIO 2电流构造层和键合的底物获得的。这是带有双电介质DBR的基于GAN的微型腔发光设备中报告的最低值。温度分布和设备内部的热量。结果表明，沿垂直方向的热传输有效地绕过底部DBR到铜板。这项工作提供了一种有效的方法，可以改善具有双介电DBR结构的基于GAN的微型腔发光设备。索引项 - 微型腔发光设备，热量耗散，ALN电流配置层，电镀铜板。
辐射热备忘录的建模和分析
摘要：本研究提出了辐射热熟人（RTM）的理论框架，利用繁殖的二氧化钒（WVO）作为相位变化材料（PCM）和远场状态中的硅胶（PCM）和硅碳化物（SIC）。通过Lissajous曲线描绘了RTM的行为，说明了净通量（Q）与定期调制温度差∆ T（t）之间的关系。可以确定，RTM的磁场（M）的温度变化形成一个由PCM滞后作用的封闭环。分析探讨了导热率对比度（R）和周期热输入振幅（θ）对Q – ∆ T曲线的影响（θ）以及M – ∆ T曲线和负差分热电阻（NDTR）的影响，从而揭示了对曲线形状和NDTR的出现的显着影响。增加的R会导致Lissajous曲线的形状变化并增强NDTR的影响，而R和（θ）的变化显着影响Q值和Lissajous曲线振幅。在M – ∆ T曲线中，高度与热导率对比度（R）有关，R的增加导致曲线高度较高。
表面安装中的热管理
r TH（J-A）表示Sytem的热电阻，并包括与包装接触的硅死亡，包装和任何热量，以将热量耗散到环境中。在给定的耗散级别的p d中，在环境温度t a上的ΔTj j t a的增加由以下方式给出：∆ t j = r th（j-a）x p d r th（j-a）（j-a）由设备内的许多元素和外部组成。如果单独考虑设备，则从硅死亡到铅框架，再到成型化合物，再到环境的耗散路径给出。实验值在此条件下非常大，尤其是对于小包装（例如小型轮廓类型）。但是，在实践中没有达到这一定位，并且当前工作中包含的详细数据表明了最坏的情况（浮动样本）。在大多数应用中，表面安装的设备都被焊接到基板上（通常是环氧玻璃（FR4），并通过焊接接头和铜互连进行热接触。在这种情况下，将热电路产生给铅框，然后转移给铅框，然后转移到substrate。图A显示了实验模块。
撞击芯片连接微型...
摘要 - 随着异质整合的发展，结合多个功能的设备的多样性和密度已显着增加。随后的功率使用情况和组件尺寸减小，特别是中央加工单元（CPU）的尺寸凸显了传统冷却的局限性，并揭示了对热管理的显着改善的必要性。在这项研究中，将提出一种创新的流体热冷却溶液，该溶液将提出CPU包装中高密度和非均匀散热的解决方案。解决方案设计包括喷射撞击，用于同时直接冷却四个电子芯片以及芯片连接的微引脚鳍。使用选择性激光熔化（SLM），铜微销鳍已在硅芯片的表面上加在一起制造，从而消除了对热界面材料（TIMS）的需求。在数值上研究了喷射喷嘴尺寸和喷射到芯片距离对传热和流体流量的影响。提出的解决方案显示出具有较低水平的系统复杂性和较低开销的较低的冷却剂和制造的较低水平的潜力。据作者所知，在单相冷却研究区域中，热电阻结果是报告的最低（0.015 k/w）。