机构名称：
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在集成电路应用中的TIM使用的简化说明如图1所示。在系统的这种简化视图中，由高导热金属构建的集成散热器（IHS）将与周围或含量温度构建。硅死亡，当电路活跃时，会产生明显的热量。例如，在数据中心中使用的现代微处理器通常会以每平方厘米100瓦（100W/cm 2）的速度产生功率密度。挑战是将热量从硅死亡中消失，同时最大程度地减少死亡温度的升高（称为连接温度）。TIM的工作是为这种热量提供有效的管道，以逃避死亡。最小化连接温度升高的能力至关重要，因为半导体的有用寿命与其连接温度i成反比。这种现象通常被建模为热电阻，ja，它具有每瓦的开尔文单位（k/w）。当控制环境温度并已知功率耗散时，很容易计算硅连接温度：
介意（空气）差距 - 成功的TIM
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