机构名称：
¥ 1.0
r TH（J-A）表示Sytem的热电阻，并包括与包装接触的硅死亡，包装和任何热量，以将热量耗散到环境中。在给定的耗散级别的p d中，在环境温度t a上的ΔTj j t a的增加由以下方式给出：∆ t j = r th（j-a）x p d r th（j-a）（j-a）由设备内的许多元素和外部组成。如果单独考虑设备，则从硅死亡到铅框架，再到成型化合物，再到环境的耗散路径给出。实验值在此条件下非常大，尤其是对于小包装（例如小型轮廓类型）。但是，在实践中没有达到这一定位，并且当前工作中包含的详细数据表明了最坏的情况（浮动样本）。在大多数应用中，表面安装的设备都被焊接到基板上（通常是环氧玻璃（FR4），并通过焊接接头和铜互连进行热接触。在这种情况下，将热电路产生给铅框，然后转移给铅框，然后转移到substrate。图A显示了实验模块。
表面安装中的热管理
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