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预防灾难性的热力失败,定义为直接,热诱导的电子功能的总丢失,必须将电子热控制的主要和最重要的目的视为电子功能。ca骨失败可能是由于组件/系统性能的显着恶化或相关包装水平之一的结构完整性的丧失而导致的。在早期的微电体系统中,灾难性失败主要是功能性的,并认为是由于偏置电压的变化,再生加热产生的热失控和掺杂剂迁移,这些变化均发生在升高的晶体管连接温度下。尽管这些故障模式在设备开发过程中仍可能发生,但改进的硅模拟工具和热补偿的集成电路已在很大程度上使这些关注点安静了,并大大扩大了当今基于硅的逻辑和内存设备的工作温度范围。在使用CMOS设备用于高性能系统中仍然存在类似的问题。由于CMOS电路速度对温度的依赖性,可能有必要限制最高芯片温度以达到所需的周期时间和/或保持系统中的时机余量。

电子的热管理

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