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World File Search System电介质的
Dieakonov表面波在介电晶体中具有负各向异性
摘要：由于在两种介电介质的一条有限界面上最初发现了Dyakonov表面波，因此至少有一个是各向异性的，广泛的研究，对其在具有阳性各向异性的材料的理论和体验研究中进行了研究。由于其存在的严格条件以及对位置各向异性的要求，这些波的潜在应用最初是限制的。在我们的研究中，我们介绍了一种新型的dyakonov表面波的理论预测和实验观察，该表面沿着两个具有负各向异性的介电介质之间的界面沿界面的平流传播。我们证明，由于带有两种金属板之间的浅层波导的特异性边界，因此对表面波的条件满足了各向异性介电的状态。我们通过在弱各向异性的近似中使用扰动理论来理论上研究这种模式，并证明了
通过原位界面氢掺杂的 Zn-O 薄膜晶体管
报道的氢掺杂方法也需要高温工艺。11此外，氢掺杂可以显著增加a-IGZO TFT的导通电流，从而大大降低导通/导通电流比。15众所周知，TFT中的电子传输集中在半导体-电介质界面附近。16因此，在界面附近的有限区域内自发氢掺杂对于同步实现灵活、高性能的a-IGZO基TFT和光传感器是理想的选择，尤其是在低温下。此外，氧化铝（Al2O3）是一种高k材料，广泛用作氧化物半导体TFT中的电介质层。Al2O3电介质的制造方法包括原子层沉积（ALD）、17物理气相沉积（PVD）18和溶液工艺。 19通常，ALD需要150℃以上的高衬底温度才能获得高质量的Al 2 O 3 薄膜。Kessels等20报道了一种氧等离子体增强ALD（PEALD）技术，该技术可以在低温下沉积Al 2 O 3 薄膜，所得薄膜含有氢等杂质。在上述方法中，PEALD技术具有薄膜质量高、厚度控制精确、大面积均匀性好、工艺温度低等优点，非常适合于制作高性能柔性器件。本文研究了在不同温度下通过PEALD沉积Al 2 O 3 栅极电介质的a-IGZO TFT的感光特性。室温 (RT) 制备的 a-IGZO TFT 得益于原位界面氢掺杂效应，表现出较高的光电检测性能。通过采用基于 RT a-IGZO TFT 的可区分颜色光传感器阵列实现了彩色图案成像，并通过在聚合物基板上制备 TFT 展示了其灵活性。还展示了高温制备的 a-IGZO TFT 的光刺激突触行为。
记忆包装 2021 - 样品
Simone 是 Yole Développement (Yole) 的高级技术与市场分析师，就职于半导体与软件部门。他是 Yole 存储器团队的成员，每天负责存储器市场和技术、相关材料和制造工艺的分析。此前，Simone 在纳米科学和纳米技术领域开展实验研究，专注于新兴半导体材料及其设备应用。他（合著）在高影响力科学期刊上发表了 15 多篇论文，并获得了著名的玛丽居里欧洲奖学金。Simone 于 2015 年获得洛桑联邦理工学院（瑞士）物理学博士学位，在那里他开发了基于二维材料异质结构和高 κ 电介质的新型闪存单元。Simone 获得了双硕士学位。毕业于蒙特利尔理工学院（加拿大）和米兰理工大学（意大利），以优异成绩毕业。电子邮箱：simone.bertolazzi@yole.fr
通过...获得的非化学计量 SiOx 中的电荷传输
摘要 —当前，正在开发基于非化学计量电介质的新一代高速、信息密集型阻变存储器。非化学计量氧化硅SiO x 的电子结构由参数x 的值设定。研究发现，在氢等离子体电子回旋共振中处理热SiO 2 会导致氧化硅中富集过量的硅，从而导致SiO x 中出现电子和空穴陷阱。SiO x 的导电性是双极的：电子从负偏置硅注入，空穴从正偏置硅注入。阴极发光（CL）实验证实了SiO x 中的陷阱是由于过量的硅造成的假设。基于在电子回旋共振氢等离子体中制备非化学计量氧化物的开发程序，制备了p ++-Si（100）/SiO x /Ni忆阻器金属-电介质-半导体（MDS）结构。这种结构具有SiO x 电阻开关的特性，不需要成型操作。
印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介
M3D集成电路的测试和设计解决方案的进步*
摘要 - 单石器时代3D（M3D）集成具有与基于TSV的3D堆叠相比，可以实现明显更高的设备密度。晶体管层的顺序整合可实现高密度的垂直互连，称为层间VIA（ILV）。但是，层间电介质的高积分密度和攻击性缩放使M3D集成电路特别容易处理变化和制造缺陷。我们探讨了这些制造缺陷对CHIP绩效的影响，并提出了相关的测试挑战。我们介绍了两种M3D特定的测试设计解决方案 - 一种低成本的内置自我测试架构，用于缺陷易受缺陷的ILV和一种用于屈服学习的层级故障定位方法。我们描述了缺陷对延迟故障测试的效率的影响，并在3D电源分配网络施加的约束下突出了测试生成的解决方案。
超快速的锗光电二极管具有3-DB带宽265 GHz
摘要：我们对硬件神经网络（NN）进行了不同的仿真实验，以分析不同数据集在网络准确性中不同NN体系结构的突触数量的作用。一项在4 kbit 1T1R reram阵列上的技术，其中采用了基于H FO 2电介质的电阻开关设备作为参考。在我们的研究中，考虑了完全致密的（FDNN）和卷积神经网络（CNN），在这种情况下，在突触的数量和隐藏层神经元的数量方面，NN的大小各不相同。cnns效果更好。如果包括量化的突触权重，我们观察到随着突触的数量减少，NN的精度显着降低。在这方面，必须实现突触数量与NN准确性之间的权衡。因此，CNN架构必须经过精心设计；特别是，注意到不同的数据集根据其复杂性需要特定的架构以取得良好的结果。表明，由于可以在NN硬件实现的优化中更改的变量数量，因此必须在每种情况下都在突触重量级别，NN体系结构等方面使用特定的解决方案。
米歇尔·豪萨教授
Michel Houssa 教授 比利时鲁汶大学物理与天文系和 imec michel.houssa@kuleuven.be；michel.houssa@imec.be Michel Houssa 在比利时列日大学获得物理学硕士 (1993) 和博士学位 (1996)。他是鲁汶大学物理与天文系教授，也是比利时鲁汶 imec 的客座教授 (10%)。他目前的研究重点是各种材料的原子建模，包括半导体/氧化物界面和二维材料及其异质结构。他撰写或合作撰写了约 400 篇出版物，发表过约 50 次受邀演讲和研讨会，并共同组织了多次国际研讨会和会议。他是 CRC Press 出版的两本评论书籍的 (联合) 编辑，一本是关于高 k 栅极电介质的 (2003)，另一本是关于用于纳米电子的二维材料 (2016)。他是电化学学会会员、美国物理学会会员和 IEEE 会员。教育背景 • 1993-1996 年获得比利时列日大学物理学博士学位
微电子工程
将通过区域选择性气相渗透 (VPI) 将三甲基铝渗透到聚（2-乙烯基吡啶）中制备的 5 纳米氧化铝薄膜的生长化学和电性能与传统的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 工艺进行了比较。通过能量色散 X 射线光谱和硬 X 射线光电子能谱测量评估了化学性质，同时进行了电流 - 电压电介质击穿和电容 - 电压分析，首次提供了这些薄膜的电信息。评估了通过聚合物 VPI 形成电介质的成功和挑战、吡啶在这种角色中的兼容性以及独特快速的接枝聚合物刷方法在形成相干金属氧化物方面的能力。结果发现，在 200 到 250 ◦ C 之间的温度下制备的 VPI 氧化铝具有一致的击穿电场，性能最佳的器件的 к 值为 5.9。结果表明，VPI 方法可以生成具有与传统 PEALD 生长薄膜相当的介电性能的氧化铝薄膜。
Coldflux超导EDA和TCAD工具项目
摘要本文探讨了生成媒体的生动领域，重点介绍了文本的生产和符号分析。它使用了“文本”的广泛定义，该定义包括书面，视觉和交互式的形式，并说明了生成媒体如何重新定义内容创建者和工具的作用。利用罗马雅各布森的交流模型，文章高出了文本生产中动态决策过程，无论是人类还是人工智能。本文提供了一篇历史评论，该评论从1960年代早期的计算机艺术中生成媒体，直到1980年代和1990年代的挖掘设计工具到出现到当代AI技术，例如gans和gans的扩散模型。它标识了发电介质的关键特性：合成，动态，数字，组合和代理。讨论还解决了早期工具中未知的AI援助的转变，转换为当今媒体景观中无意中的AI生成的内容。本文的最后一部分将生成媒体接口分为三个