摘要 250 ℃低温时效处理可显著提高电子束定向能量沉积 (EB-DED) 制备的 NiTi 合金的拉伸超弹性能。然而由于晶粒尺寸较大,需要很长的时效时间 (长达 200 h) 才能获得优异的拉伸超弹性能。为了加速时效进程,在时效处理之前通过人工热循环处理引入高密度位错(EB-DED 处理的 NiTi 合金中原始位错含量很低),这将促使后续在低温时效处理过程中均匀析出纳米级 Ni 4 Ti 3 颗粒。其相变行为始终保持稳定的两阶段马氏体相变。在 6% 应变循环拉伸试验下,经过热循环处理后,24 h 时效试样经过 10 次循环后的回复率仍在 90% 以上,与未进行热循环处理时效 200 h 的试样性能相当,时效效率大幅提高。
真正的 3D 嵌套是 EBM 打印如此高效的原因。虽然电子束非常快(单个电子束可以同时保持多达 70 个熔池“活跃”),但需要时间将构建空间加热到其工作温度。但一旦达到温度,EBM 就可以打印从构建板到构建包络顶部的零件堆栈。这大大降低了生产每个零件所需的平均时间。一次运行的零件越多,EBM 的生产力就越高。
清洁产品最终进入废水处理厂的流出物(Tanabe 和 Kawata 2008)。由于它不易被生物降解、吸附或被传统氧化剂氧化,因此很难处理(Otto 和 Nagaraja 2007)。高级氧化工艺(AOP)通常用于去除 1,4-二氧六环(Otto 和 Nagaraja 2007;McElroy 等人 2019)。在这些过程中,会原位生成强氧化羟基自由基(·OH)来降解污染物。这些技术包括紫外高级氧化(UVAOP),其中紫外光用于将过氧化氢(H 2 O 2 )光解为·OH。同样,紫外氯 AOP 通过光解游离氯生成·OH。臭氧 (O3) 可用作水和废水处理中的氧化剂和消毒剂,通过其自催化分解和与有机物的反应生成·OH,而有机物也可以被 H2O2 催化 (von Sonntag & von Gunten 2012;Stefan 2018)。在这些过程中,通常需要大量的化学药剂。虽然对 AOP 在废水废水中去除 1,4-二氧六环的研究有限,但臭氧通常被认为是废水废水中最好的 AOP。这是因为高含量的溶解有机物可以清除羟基自由基,而且紫外线的透射率低 (Katsoyiannis 等人 2011;Lee 等人 2016;Sgroi 等人 2021)。然而,如果存在溴化物 (Br),臭氧 (和 UV-Cl 2 ) 可以形成溴酸盐,这是一种受监管的消毒副产物。电子束处理使用加速电子通过水的辐射分解产生大量的氧化和还原自由基,如公式 (1) 所示 ( Cooper 等人 1992 年; Wang 等人 2016 年):
摘要 — 金属增材制造 (AM) 为空间控制制造后的微观结构和性能提供了可能性。然而,由于驱动微观结构结果的固态扩散转变在温度方面由非线性 ODE 控制,而温度本身又由整个零件域上的 PDE 控制,因此求解实现所需微观结构分布所需的系统输入已被证明是困难的。在这项工作中,我们提出了一种用于金属 AM 中微观结构空间控制的轨迹优化方法,我们通过控制电子束粉末床熔合 (EB-PBF) 中低合金钢的硬度来证明这一点。为此,我们提出了热和微观结构动力学模型。接下来,我们使用实验数据来识别微观结构转变动力学的参数。然后,我们将空间微观结构控制作为有限时域最优控制问题。使用具有 GPU 加速的增强拉格朗日微分动态规划 (AL-DDP) 方法计算最佳功率场轨迹。然后通过近似方案在 EB-PBF 机器上实现所产生的随时间变化的功率场。对所得硬度的测量表明,优化的功率场轨迹能够紧密产生所需的硬度分布。
业界精英调查其它要点( 2024 年 7 月进行) - 74% 的受访者认为,曲线形状的 逆向 光刻技术( curvilinear ILT )对非 EUV 的 193i 前沿节点有 用 —— 其中 29% 的人强烈同意这一说法,而去年这一比例为 24% 。 - 55% 的受访者表示,前沿节点的一些关键层已经在使用 逆向 光刻技术( ILT ),这一比例较去 年的 46% 和两年前的 35% 有所上升。 - 光罩制造中的软件基础设施仍然是生产曲线形状光罩的最大挑战。 - 对深度学习应用的预测有所延迟,今年有 54% 的受访者预测深度学习将在 2025 年之前成为 光罩制造过程中任何环节的竞争优势,而去年这一预测为 2024 年。 “ 我们期待在 SPIE 光罩技术会议期间度过激动人心的一周,届时 eBeam Initiative 将举办第 15 届年度光罩会议,展示半导体生态系统对这一合作论坛的持续支持, ”eBeam Initiative 的 的主办 管理公司 D2S 的首席执行官 藤村 (Aki Fujimura) 表示。 “ 现在是加入光罩行业的绝佳时机,近年 来该行业取得了强劲增长 —— 这证明了光罩社区内杰出人才的贡献,也彰显了该行业在推动半 导体创新方面的重要性。今年 eBeam Initiative 业界精英 调查的绝大多数参与者 —— 他们代表了 行业内顶尖的商业和技术专家 —— 都认为这一增长趋势将在 2024 年继续,这无疑是个好消息。 ” About The eBeam Initiative 关于 eBeam Initiative (电子束倡议团) eBeam Initiative 是一个致力于推广和倡导电子束技术在半导体制造全新应用的团体;为有关 电 子束技术的教育和促进活动 提供相应的论坛。 eBeam Initiative 的目标是增加电子束技术应用在 半导体制造各领域中的投资;降低电子束技术应用的障碍,能够使更多集成电路设计完成,并 且更快投进市场成为可能。会员公司 , 涵盖整个半导体生态系统,包括 : aBeam Technologies; Advantest; Alchip Technologies; AMD; AMTC; Applied Materials; Artwork Conversion; ASML; Averroes.ai; Cadence Design Systems; Canon; CEA-Leti; D 2 S; Dai Nippon Printing; EQUIcon Software GmbH Jena; ESOL; EUV Tech; Fractilia; Fraunhofer IPMS; FUJIFILM Corporation; Fujitsu Semiconductor Limited; GenISys GmbH; GlobalFoundries (GF); Grenon Consulting; Hitachi High-Tech Corporation; HJL Lithography; HOLON CO., LTD; HOYA Corporation; IBM; imec; IMS CHIPS; IMS Nanofabrication AG; JEOL; KIOXIA; KLA; Micron Technology; Multibeam Corporation; NCS; NuFlare Technology; Petersen Advanced Lithography; Photronics; QY Mask; Samsung Electronics; Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation (SMIC); Siemens EDA; STMicroelectronics; Synopsys; TASMIT; Tokyo Electron Ltd. (TEL); TOOL Corporation; Toppan Photomask Corporation; UBC Microelectronics; Vistec Electron Beam GmbH and ZEISS. eBeam Initiative 面向和欢迎所有电子工业的公司和协会加盟。细节请查看 www.ebeam.org .
无菌原理:包装材料供应商以单袋设计提供已用环氧乙烷 (ETO) 或蒸汽预灭菌的 RTU 容器。通过使用紫外线闪光,特别是在光谱的 UV-C 范围(100 - 280 nm),微生物会改变其分子结构并断裂共价键。其原因是 DNA 和蛋白质的吸收光谱位于 200 至 300 nm 之间。有两种方法可以消灭微生物:1) 光热效应(温度升高直至爆炸)和 2) 光化学效应(DNA 和蛋白质的改变)。
摘要:电子束定向能量沉积(EB-DED)是一种很有前途的制备大尺寸、完全致密和近净成形金属部件的制造工艺。然而,对于钛合金的 EB-DED 工艺了解有限。在本研究中,通过 EB-DED 制备了近 α 高温钛合金 Ti60(Ti-5.8Al-4Sn-4Zr-0.7Nb-1.5Ta-0.4Si)。研究了制备的合金的化学成分、微观结构、拉伸性能(室温和 600 ◦ C)和蠕变行为,并将其与传统锻造层状和双峰对应物进行了比较。结果表明,Al 和 Sn 的平均蒸发损失分别为 10.28% 和 5.01%。成品合金的微观结构以粗柱状晶粒、层状 α 和在 α / β 界面处析出的椭圆硅化物为特征。在拉伸性能方面,无论是在室温还是在 600 ◦ C 下,垂直试样的强度都低于水平试样,但延展性却高于水平试样。此外,在 600 ◦ C 和 150 MPa 条件下测量的 EB-DED Ti60 合金在 100 小时的拉伸蠕变应变在原有和沉积后的 STA 条件下小于 0.15%,符合变形 Ti60 合金的标准要求。EB-DED Ti60 合金的抗蠕变性能优于其变形双峰合金。
摘要 电子束 (e-beam) 产生的等离子体在施加交叉电场和磁场 (E × B) 的情况下有望用于低损伤材料处理,并应用于微电子和量子信息系统。在圆柱形电子束 E × B 等离子体中,电子和离子的径向约束分别通过轴向磁场和径向电场实现。为了控制电子的轴向约束,这种电子束产生的等离子体源可能包含一个称为反阴极的导电边界,该边界位于等离子体与阴极轴向相对的一侧。在这项工作中,结果表明,改变反阴极电压偏置可以控制反阴极收集或排斥入射电子的程度,从而可以控制热电子(电子能量在 10-30 eV 范围内)和束电子群约束。有人提出,反阴极偏压对这些不同电子群形成的影响也与弱湍流和强朗缪尔湍流之间的转变有关。
摘要 电子束 (e-beam) 产生的等离子体在施加交叉电场和磁场 (E × B) 的情况下有望用于低损伤材料处理,并应用于微电子和量子信息系统。在圆柱形电子束 E × B 等离子体中,电子和离子的径向约束分别通过轴向磁场和径向电场实现。为了控制电子的轴向约束,这种电子束产生的等离子体源可能包含一个称为反阴极的导电边界,该边界位于等离子体与阴极轴向相对的一侧。在这项工作中,结果表明,改变反阴极电压偏置可以控制反阴极收集或排斥入射电子的程度,从而可以控制热电子(电子能量在 10-30 eV 范围内)和束电子群约束。有人提出,反阴极偏压对这些不同电子群形成的影响也与弱湍流和强朗缪尔湍流之间的转变有关。