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通过直接外延方法在单个芯片上单一集成了μLED/hemts microdsplay
基本上，微滤线的微型播放主要由μLED阵列和电子零件组成，这些阵列和电子零件可电动驱动单个μLED。当前，使用两种主要方法来整合μLED阵列和电子零件。第一种方法是基于大规模转移技术的所谓“选择”，这意味着数百万的LED从晶圆转移到晶体管背板，在晶体管背板中，非常高的精度约为1 µm，需要大量时间。结果，产率通常非常低，[13-16]，因此这种方法对于制造微型播放是不切实际的，尤其是对于AR/VR应用。第二种方法是基于翻转芯片键合技术，其中μLED和CMO（用于电动驱动单个μLED）分别制造，然后将其合并晶片键合在一起。[17]但是，值得强调的是，第二种方法面临着两个主要的挑战。第一个挑战是由于组装问题。由于需要通过CMOS CUIT来驱动单独的可寻址LED，因此采用了一种异质的集成方法，用于与电动驱动零件的CombineμLED。[4,8–13]在这种情况下，仍然存在μLED和CMO之间对齐的准确性问题，因此仍然限制了转移产量，然后增加了制造成本。第二个挑战是由于μLED的光学性能降解，其中μLED是通过光刻技术和随后的干蚀刻过程制造的。[4-11]在这种干蚀刻和随访过程中，引入了严重的损坏，导致μED的光学效果严重降解。[18,19]此外，随着降低LED的尺寸，问题的严重程度进一步增强。[18-22]尽管采用了使用原子层沉积（ALD）技术的额外钝化过程，但[22,23]由于在干etter蚀过程中造成的不可逆损害，光学性能的恢复是微不足道的。因此，用于制造微型播放的这种杂基整合方法仍然远非令人满意。我们认为，电气驱动的LED和高电子迁移式晶体管（HEMT）的外延整合
通过直接外延方法在单个芯片上单一集成了μLED/hemts microdsplay
基本上，微滤线的微型播放主要由µ LED阵列和电子零件组成，这些阵列和电子零件可电动驱动单个µ LED。当前，使用两种主要方法来整合µ LED阵列和电子零件。第一种方法是基于大规模转移技术的所谓“选择”，这意味着数百万的LED从晶片转移到晶体管背板，在晶体管背板上，非常高的精度约为1 µm，需要大量时间。结果，产率通常非常低，[13-16]，因此这种方法对于制造微型播放是不切实际的，尤其是对于AR/VR应用。第二种方法是基于翻转芯片键合技术，其中µ LED和CMO（用于电动驱动单个µ LED）分别制造，然后将其合并晶片键合在一起。[17]但是，值得强调的是，第二种方法面临着两个主要的挑战。第一个挑战是由于组装问题。由于需要通过CMOS CUIT来驱动单独的可寻址µ LED，因此采用了一种异质的集成方法，用于与电动驱动零件的Combine µ LED。[4,8–13]在这种情况下，仍然存在µ LED和CMO之间对齐的准确性问题，因此仍然限制了转移产量，然后增加了制造成本。第二个挑战是由于µ LED的光学性能降解，其中µ LED是通过光刻技术和随后的干蚀刻过程制造的。[4-11]在这种干蚀刻和随访过程中，引入了严重的损害，从而导致µ LED的光学表现严重降解。[18,19]此外，随着缩小LED的规模，该问题的严重程度进一步增强。[18-22]尽管采用了使用原子层沉积（ALD）技术的额外钝化过程，但[22,23]由于在干etter蚀过程中造成的不可逆损害，光学性能的恢复是微不足道的。因此，用于制造微型播放的这种杂基整合方法仍然远非令人满意。我们认为，电气驱动的µ LED和高电子迁移式晶体管（HEMT）的外延整合
对超临界水和二氧化碳从电子废物提取金属提取的进步的研究
能量和电废物（电子废物）通常描述被丢弃，过时和破损的电动工具或设备。电子废物是特殊的废物，其主要部件包括电容器，晶体管，IC，电子电路，托管和阳极零件等，并且电废料是与电力一起使用的特殊废物，并且具有敏感的电子零件，并且具有电容器，晶体管，ICS和类似（Nandy等）等敏感的电子零件。电子废物是21世纪最重要的废物之一，必须找到一种有效的方法来管理这种危险废物（Khan，2016年）。在过去的二十年中，电气和电子设备（EEE）的生产和消费已广泛增加。随着这种增长，行业的过时和旧产品日益增加。如今，大多数政府都在考虑以固体形式回收这些产品。 在过去的20年中，新技术的连续出现使旧的电气和电子设备过时。 由于科学开发，更具吸引力的设计以及恢复和竞争问题，这些设备的使用寿命正在缩短（Hamari＆Lehdonvirta，2010年）。 另一方面，这些设备在第二阶段进入发展中国家。 分离如今，大多数政府都在考虑以固体形式回收这些产品。在过去的20年中，新技术的连续出现使旧的电气和电子设备过时。由于科学开发，更具吸引力的设计以及恢复和竞争问题，这些设备的使用寿命正在缩短（Hamari＆Lehdonvirta，2010年）。另一方面，这些设备在第二阶段进入发展中国家。分离
高功率电子设备的冷却技术 - 激光应用
由于电子零件预期的功率耗散和功率密集，以满足未来的太空任务应用，因此将需要进行热控制硬件和技术的进步，以保持任务温度和可靠性。这样的应用程序正在冷却与空间激光器相关的电子产品。激光冷却要求可以通过单相热传输到面向空间的散热器的情况下满足，并可能包含相变材料。未来的激光冷却要求将需要更高级的硬件，例如微通道，喷雾冷却和喷气撞击。本报告描述了与当前和未来激光冷却需求相关的热控制硬件，并提供了满足未来激光冷却目标的建议。
太空用汽车级电阻器评估
• AEC：汽车电子委员会 • AEC-Q：汽车合格 • ALT：加速寿命测试 • COTS：商用现货 • DC：直流电 • DUT：被测设备 • DPA：破坏性物理分析 • EEE：电气、电子和机电 • EEEE：电气、电子、机电和光电 • GSFC：戈达德太空飞行中心 • HAST：高加速应力测试 • HTOL：高温工作寿命 • IPA：异丙醇 • ISO：国际标准化组织 • LAT：批量验收测试 • MASCD：任务保证标准与能力部 • MIL：军用 • NEPP：NASA 电子零件与包装计划 • OSMA：NASA 安全与任务保证办公室 • PDA：允许缺陷百分比 • PMA：禁用材料分析 • PPM：百万分率
F!Ez=l——产品生命周期管理
公制值 公制设计 尺寸标注和刻度 应用 滚花尺寸 表面纹理 表面纹理符号 螺纹表示 齿轮 机械弹簧 光学元件和光学系统 铸件和锻件 图形符号、名称、字母符号和缩写 图形符号 电气和电子图表的图形符号 逻辑函数的图形符号 流程图的图形符号 流体动力图的图形符号 用于建筑和建筑施工的电气接线和布局图的图形符号 卫生设备的图形符号 船舶液压和气动系统的 Gmphk 符号 焊接符号 无损检测符号 流体动力图的图形符号 电气和电子零件和设备的参考名称
国防部标准实践...
1. 本标准已获准供国防部所有部门和机构使用。 2. 本标准为电气和电子零件提供统一的标记要求。所有零件通用的要求包含在第 4 和 5 节中。适用于特定零件的单独要求包含在本标准的附录中。这些章节已编号，以标识适用的联邦供应类别（例如联邦库存类别 (FSC) 第 5905 节 - 电阻器）。 3. 有关本文件的评论、建议或问题应发送至 DLA Land and Maritime，收件人：VAT，邮政信箱 3990，俄亥俄州哥伦布 43218-3990，或发送电子邮件至 resistance@dla.mil 。由于联系信息可能会发生变化，您可能需要使用 ASSIST Online 数据库（网址为 https://assist.dla.mil ）验证此地址信息的最新状态。
MILSPEC 培训
缩写 定义 缩写 定义 AF 空军 NASA 美国国家航空航天局 BGA 球栅阵列 NEPAG NASA 电子零件保证组 BN 贝叶斯网络 NEPP NASA 电子零件和包装（程序） BoK 知识体系 NESC NASA 工程和安全中心 CMOS 互补金属氧化物半导体 NODIS NASA 在线指令信息系统 COTS 商用现货 NPR NASA 程序要求 CPU 中央处理单元 NRO 国家侦察办公室 DDR 双倍数据速率 NSREC 核与空间辐射效应会议 DLA 国防后勤局 OCE 总工程师办公室 DMEA 国防微电子活动 OGA 其他政府机构 DoD 国防部 PIC 光子集成电路 DoE 能源部 POC 联系点 EEE 电气、电子和机电 PoF 故障物理学 ETW 电子技术研讨会 RF 射频 FPGA 现场可编程门阵列 RH 抗辐射 GaN 氮化镓 RHA 抗辐射保证 GIDEP 政府工业数据交换计划 SAPP 空间资产保护计划 GPU 图形处理单元 SDRAM 同步动态随机存取存储器 GRC 格伦研究中心 SEE 单事件效应 GSFC 戈达德太空飞行中心 SiC 碳化硅 GSN 目标结构化符号 SMA 安全与任务保障 HQ 总部 SMC 空间与导弹系统中心 IC 集成电路 SOA 安全操作区 IEEE 电气和电子工程师协会 SoC 片上系统 JPL 喷气推进实验室 SRAM 静态随机存取存储器 JSC 约翰逊航天中心 SSAI 科学系统与应用公司 LaRC 兰利研究中心 STMD 空间技术任务理事会 LGA 陆地栅格阵列 STT 自旋转移力矩 MAPLD 军用和航空航天可编程逻辑器件（研讨会） SysML 系统建模语言 MBMA 基于模型的任务保障 TID 总电离剂量 MRAM 磁性随机存取存储器 TSV 硅通孔 MSFC 马歇尔太空飞行中心
为非侵入性的硬件和软件开发...
当血糖水平超过阈值时，糖尿病就会发生。 现有的血糖测试方法是基于插入人体中的针头的针头的侵入性方法，以从体内取血样，然后将其转移到一次性测试条上进行化学加工，以确定其中存在的葡萄糖量。 但是，为了减轻患者疼痛和使用测试条，这些技术导致了非侵入性方法的发展。 非侵入性方法使用近红外传感器在不使用针或测试条的情况下在指尖测量葡萄糖水平。 通过指尖的一侧传输了近红外（NIR）光学信号，然后在指尖的另一侧接收，这通过分析接收信号的强度变化来预测分子血糖计数。 在这项工作中，我们使用微控制器和其他电子零件开发了这样的系统。 在此之前，我们在Proteus环境中开发了一个模拟模型。 关键字：糖尿病，NIR方法，侵入性和非侵入性葡萄糖仪，微控制器。糖尿病就会发生。现有的血糖测试方法是基于插入人体中的针头的针头的侵入性方法，以从体内取血样，然后将其转移到一次性测试条上进行化学加工，以确定其中存在的葡萄糖量。但是，为了减轻患者疼痛和使用测试条，这些技术导致了非侵入性方法的发展。非侵入性方法使用近红外传感器在不使用针或测试条的情况下在指尖测量葡萄糖水平。通过指尖的一侧传输了近红外（NIR）光学信号，然后在指尖的另一侧接收，这通过分析接收信号的强度变化来预测分子血糖计数。在这项工作中，我们使用微控制器和其他电子零件开发了这样的系统。在此之前，我们在Proteus环境中开发了一个模拟模型。关键字：糖尿病，NIR方法，侵入性和非侵入性葡萄糖仪，微控制器。
ATR-2023-01981 - 扩大收购考虑...
航天工业正面临着越来越关注客户要求大幅缩短从合同授予到发射的时间以满足国家需求的挑战。这种新方法的一个关键组成部分需要对使用商用电子零件制造商提供的尖端技术有新的思维方式，这些技术通常用于非空间或地面应用。这个时刻标志着一个有意识的决定，即减少对高可靠性军用零件产品的传统独家依赖，并实施使用商用现货 (COTS) 组件和单元，以更好地适应这些当前项目的技术和进度限制。这份航空航天技术报告 (ATR) 阐明了传统合同语言，又称流程，它限制了承包商为政府提供最佳性能和价值平衡的能力。它还推荐了选项和合同语言作为替代方案，以保持对任务成功的关注。