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带温度传感器的 AD7745/AD7746 24 位电容数字转换器数据手册 (Rev. 0)
表 1. 参数 最小值典型值最大值 单位 测试条件/注释 电容输入 转换输入范围 ±4.096 pF 1 工厂校准 积分非线性 (INL) 2 ±0.01 % FSR 无失码 2 24 位转换时间 ≥ 62 ms 分辨率，pp 16.5 位转换时间 = 62 ms，见表 5 有效分辨率 19 位转换时间 = 62 ms，见表 5 输出噪声，rms 2 aF/ √ Hz 见表 5 绝对误差 3 ±4 fF 1 25°C，V DD = 5 V，失调校准后 失调误差 2,4 32 aF 1 系统失调校准后，不包括噪声影响 4 系统失调校准范围 2 ±1 pF 失调漂移与温度的关系 –1 aF/°C 增益误差 5 0.02 0.08 % FS 25°C, V DD = 5 V 增益漂移与温度的关系 2 –28 –26 –24 ppm of FS/°C 允许的接地电容 2 60 pF 参见图9和图10 电源抑制比 0.3 1 fF/V 常模抑制比 65 dB 50 Hz ± 1%, 转换时间 = 62 ms 55 dB 60 Hz ± 1%, 转换时间 = 62 ms 通道间隔离 70 dB 仅限AD7746 CAPDAC全范围 17 21 pF 分辨率 6 164 fF 7位 CAPDAC 漂移与温度的关系 2 24 26 28 ppm of FS/°C 激励频率 32 kHz 电容两端电压 ±V DD /8 V 可通过数字接口配置 ±V DD /4 V ±V DD × 3/8 V ±V DD /2 V 电容上的平均直流电压
带温度传感器的 AD7745/AD7746 24 位电容数字转换器数据手册 (Rev. 0)
表 1. 参数 最小值典型值最大值 单位 测试条件/注释 电容输入 转换输入范围 ±4.096 pF 1 工厂校准 积分非线性 (INL) 2 ±0.01 % FSR 无失码 2 24 位转换时间 ≥ 62 ms 分辨率，pp 16.5 位转换时间 = 62 ms，见表 5 有效分辨率 19 位转换时间 = 62 ms，见表 5 输出噪声，rms 2 aF/ √ Hz 见表 5 绝对误差 3 ±4 fF 1 25°C，V DD = 5 V，失调校准后 失调误差 2,4 32 aF 1 系统失调校准后，不包括噪声影响 4 系统失调校准范围 2 ±1 pF 失调漂移与温度的关系 –1 aF/°C 增益误差 5 0.02 0.08 % FS 25°C, V DD = 5 V 增益漂移与温度的关系 2 –28 –26 –24 ppm of FS/°C 允许的接地电容 2 60 pF 参见图9和图10 电源抑制比 0.3 1 fF/V 常模抑制比 65 dB 50 Hz ± 1%, 转换时间 = 62 ms 55 dB 60 Hz ± 1%, 转换时间 = 62 ms 通道间隔离 70 dB 仅限AD7746 CAPDAC全范围 17 21 pF 分辨率 6 164 fF 7位 CAPDAC 漂移与温度的关系 2 24 26 28 ppm of FS/°C 激励频率 32 kHz 电容两端电压 ±V DD /8 V 可通过数字接口配置 ±V DD /4 V ±V DD × 3/8 V ±V DD /2 V 电容上的平均直流电压
能源进步 - RSC 出版
电极表面附近的离子种类。由于电能以离子电荷的形式积累，因此可以通过优化多孔电极的比表面积和匹配离子种类和电极孔的几何特征来放大 EDL 电容，从而放大能量和功率密度。3 相反，电化学伪电容来自电解质和电极之间的电荷转移或来自微孔中离子种类的插入。4 在这种情况下，电能通过法拉第反应和/或电吸附存储。虽然用于描述 EDL 电容的基于物理的模型已经取得了很大进展，但由于 EDL 中电子和离子电荷的强耦合，定量描述电化学伪电容仍然是一个理论挑战。5
有限披露 使用新型硅缓冲电容器技术改进高压电源模块
• MIS SiCap 电容器的电容稳定性是除 ESL/ESR 之外的一个关键参数。由于矿物介电材料的性质和高品质，无需考虑会降低电容有效值的降额
18V，62F 超级电容器模块
9. 将电池保持在 -40 ℃ 下 16 小时，然后测量电容和 ESR。将温度升高 10 ℃ ，保持数小时，然后测量电容和 ESR。以 10 ℃ 的间隔继续相同过程，直到温度达到 65 ℃ 。
AP 物理 2：基于代数的 2022 年自由回答问题
在另一个实验中，学生们有一个电容未知的电容器 CU 。他们想用一个电位差为 4.5 V 的电池和几个已知电容的其他电容器来确定 CU 。他们用电池、未知电容器和其中一个已知电容的电容器创建电路。学生们等到电容器充满电，然后记录已知电容器两端的电位差 Δ V 和未知电容器两端的电位差 Δ VU 。他们的数据显示在下页的表格中。
动态接触静电显微镜（DC-EFM）
可以使用XEP数据采集软件直接从可访问的信号通道中读取直流悬臂偏转信号。可以通过将信号发送到锁定放大器来读取悬臂偏转信号的交流部分，该放大器可以以ω频率读取信号的部分，或以2Ω频率读取信号的部分。一起，这三个信号可用于获取有关样品电气特性的信息。例如，电容在方程式中以电容与尖端间距的比率为c/d。如果Z反馈回路保持尖端到样本距离恒定，则C/D与电容成正比。ω信号是上面公式（2）中标记的术语（b）的系数，包含C/D和表面电势的贡献。假设V DC和V AC是已知的，您仍然无法将电容的贡献和对测量ω信号的表面电势分开。然而，2Ω信号是上面标记（c）的术语的系数，仅包括电容的贡献。因此，2Ω信号可用于使Ω信号归一化，从而隔离表面电势的贡献。
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
分析具有集成的AC直接电容驱动器的单弦和双弦LED灯的电源参数
摘要。由于LED灯的发光功效非常高（超过160 lm/w），它们是当今照明应用中最喜欢的光源。LED模块的有用寿命超过50,000小时。使用SSL的灯的色素参数（固态照明）已经等于经典解决方案，尽管不久前它们明显更糟。颜色渲染指数（CRI）的高值和对发光通量的易于控制，导致带有LED的灯已成为非常有吸引力的解决方案。今天，最重要的问题问题是230 VAC电源提供的驾驶员。开关模式转换器（包括电解电容器）的寿命比LED的寿命短得多。本文讨论了直接从230 VAC电源提供的LED模块的替代驱动器的特征，并且不包含任何电解电容器。特别是，分析了具有一个或两个LED字符串的灯的功率因数和效率，并给出了有关此类灯的最佳设计的一些提示。这项工作的独特功能是对此类驱动程序电流中谐波内容物的详细分析，证明了它们符合相关标准。最后，提到了与考虑类型的供应类型有关的一些问题。
开关电源短路保护电路的设计
整流桥由二极管D2、D3、D4、D5组成。经滤波电容C4、直流电压TS、初级开关管Q1、储能电容C4，反激式功率变换器将能量经变压器T1、二极管D5、电感L1和电容C2整流滤波后输出直流电压。变换器工作时，通过改变PWM的占空比，来调节输出电压[2][3]。电源正常工作时，C4中流过交流纹波电流，从而形成交流纹波电压。当发生过流或短路时，电容电压处的电压纹波会急剧增大。根据开关功率变换器的特性，可确定电源的工作状态，并根据交流分量增量的大小来设置不同交流分量保护点的高低，完成短路保护电路的设计[4][5][6]。