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World File Search System电容
MEMS 近距离电压传感
图 3.（左）我们打算将连接到电力线导体上的传感器模块封装用作传感器电容拾音器的一部分，以最大限度地提高其电容，从而提高灵敏度。（右）电压指的是支持固态电容传感器或 MEMS 传感设备的导体的电压。（电压值从图 2 中的 FEM 模型中获得。）请注意，在距离支撑导体相对较小的地方存在较大的电位差，并且电位差在靠近支撑导体的地方几乎呈线性变化。
16V，58F超级电容器模块
9. 在 -40 ℃ 下保持 16 小时，然后测量电容和 ESR。将温度升高 10 ℃ ，保持数小时，然后测量电容和 ESR。以 10 ℃ 的间隔继续相同过程，直到温度达到 65 ℃ 。
15V，58F超级电容器模块
9. 在 -40 ℃ 下保持 16 小时，然后测量电容和 ESR。将温度升高 10 ℃ ，保持数小时，然后测量电容和 ESR。以 10 ℃ 的间隔继续相同过程，直到温度达到 65 ℃ 。
集成gan-on-si的切换特征 -
2 Gan-on-Si Half-Bridges的底物相关开关特性9 2.1问题和方法。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 2.2个单个晶体管的电容。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 2.2.1三末端和四末端的末端电容。。11 2.2.2有效电容。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 2.2.3非线性多偏置电容。。。。。。。。。。。。。。。13 2.2.4在名义作战电压下凝结电容相关的量。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。14 2.3底物偏置的有限操作电压。。。。。。。。。。。16 2.4分析了半桥底物终止。。。。。。。。。。。。。。19 2.5底物电压分析。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.5.1固定底物终止的基材 - 源电压计算。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.5.2浮动底物终端的基材 - 源电压计算。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。22 2.5.2.1单独浮底物终止。。。。。22 2.5.2.2公共浮底物终止。。。。。。。24 24 2.5.3瞬态基材电压超值和摆动。。。。。。。。25 2.5.4半浮底物终止网络。。。。。。。。。26 26 2.5.5使用测得的电容数据计算底物电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。29 2.6半桥的电容转换，以消除底物降低。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。30 2.6.1半桥的方法，没有耦合的底物32 2.6.2 b = s（常规）终止。。。。。。。。。。。。。。。。。34 2.6.3 b = D终止。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。35 2.6.4 b = g终止。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。36
采用六个单位电容器的、与分辨率无关的全差分 SCI 型 SAR ADC 架构
现代仪器系统和数据采集系统需要低到中等分辨率、中速的模数转换器 (ADC)。由于这些系统大多是便携式的，因此 ADC 规范对功率和面积参数有严格的要求。尽管传统的逐次逼近寄存器 (SAR) ADC 因结构简单、模拟模块少而在这些应用中很受欢迎，但它们占用的芯片面积很大。传统 SAR ADC 采用二进制加权电容电荷再分配数模转换器 (DAC) [1,2]。传统电容电荷再分配 DAC 的两个主要限制是转换速度和庞大的电容阵列。较大的 MSB 电容限制了转换速度。这种架构中使用的 DAC 电容阵列变得非常笨重。文献中提出了一些新方法来提高 SAR ADC 的速度 [3,4]。此外，还提出了一些用于 SAR ADC 的面积效率高的 DAC 架构 [5-7]。其中一些 ADC 在性能系数 (FOM) 方面优于其他 ADC，但由于所用 DAC 架构的类型，面积效率 (AE) 参数会降低。[8、9] 中的 SAR ADC 将分辨率可变性融入传统电荷再分配 ADC，以适应需要不同分辨率的多种信号，适用于生物医学信号采集系统等应用。
摘要 本文提出了一种基于开关电容的CMOS带隙基准源，采用温度补偿的方法，实现了较好的温度稳定性。
本文提出了一种基于开关电容的CMOS带隙基准源。利用开关电容，可以将两个一阶补偿基准电压组合起来，从而实现具有较低温度系数的新型基准电压。所提出的设计电路采用0.18μm CMOS工艺实现。在-40℃至120℃范围内，1.8V电源电压下基准输出电压的TC为14.5ppm/℃。所提出的基准电压为0.235V，开关电容操作引起的纹波电压为700μV。结果表明，本文描述的带隙基准源实现了比其他工作更好的TC，适用于
简讯 氮掺杂碳材料的制备及其电化学性能分析 岳源
北京理工大学光学与光子学院，北京，100081，中国 电子邮件：yuanyue000418@163.com 收稿日期：2022 年 5 月 1 日/接受日期：2022 年 6 月 1 日/发表日期：2022 年 7 月 4 日 本文重点研究了碳和氮掺杂碳作为超级电容电极材料的制备、结构和电化学表征。电极材料是通过粉碎、氧化预处理和键合、碳化和活化制备的，聚合物材料加工成碳基材料。为了制备碳气凝胶电极材料，采用富氮前驱体方法通过氮掺杂来改变获得的碳基底材料。 SEM 和 XRD 对形貌和晶体结构进行分析表明，掺杂样品中引入了氮，碳电极表面覆盖着云状团簇和不均匀的聚集碳颗粒，而 N 掺杂碳样品具有海绵结构，其中交织着类似石墨的薄片，具有更高的粗糙度和孔隙率，以及更大的表面积。使用循环伏安法 (CV) 和恒电流充放电 (GCD) 循环对制备的碳基材料进行电化学研究表明，N 掺杂碳比对照样品具有更高的电化学电容性能，以及理想的快速充放电性能和功率器件的高功率容量。在 1 A/g 的电流密度下，碳和 N 掺杂碳的比电容分别为 13.56 和 192.12 F/g，这意味着 N 掺杂样品的比电容比未掺杂材料提高了 14 倍。经过 10000 次循环后，N 掺杂碳的循环稳定性显示出几乎 108% 的电容保持率。根据 N 掺杂碳超级电容电极性能与早期关于超级电容器中多孔碳材料的报道的比较，N 掺杂碳超级电容电极的比电容、功率和能量密度与其他报道的 N 掺杂多孔碳结构的值相当或更好。这些测试表明，使用所述方法生成的氮掺杂碳电极材料具有较低的内阻，并且可以在超级电容器中保持良好的电化学性能。关键词：氮掺杂碳；电化学性能；富氮前体；超级电容电极材料
掺杂石墨烯介孔海绵
多孔碳是超级电容器的重要电极材料。超级电容器面临的挑战之一是在不依赖伪电容的情况下提高其能量密度，伪电容基于快速氧化还原反应，而这往往会缩短器件寿命。一种可能的解决方案是在由最少堆叠的石墨烯壁组成的高表面碳材料中实现高总电容（C tot），其中包括亥姆霍兹电容（CH）和可能的量子电容（CQ）。在本文中，采用模板法合成具有大致相同孔结构（≈2100m2g-1，平均孔径≈7nm）但含氧官能团（0.3–6.7 wt.%）和氮掺杂剂（0.1–4.5 wt.%）浓度不同的3D介孔石墨烯。因此，系统地研究了杂原子官能团对有机电解质中C tot的影响，不包括孔结构的影响。结果表明，杂原子官能基决定 C tot ，导致循环伏安曲线呈矩形或蝴蝶形。氮官能基由于 CQ 增加而显著增强 C tot 。
单电子电气计量 - NIST 的 TSAPPS
摘要 本文主要回顾了 NIST 在基于电子电荷的电容标准方面取得的进展。我们简要介绍了库仑阻塞，这是允许控制单个电子的基本物理现象，描述了两种类型的单电子隧道 (SET) 设备，并描述了 SET 设备可实现的计量目标和收益。然后，我们讨论了电子计数电容标准 (ECCS)：动机、先前对各种关键元素的实验工作、现状和未来前景。最后一部分包括使用 ECCS 来实际表示电容，并指出我们可以在不需要大值电流标准的情况下关闭量子计量三角。最后，我们简要回顾了其他基于 SET 的计量应用。
F-CVD系统制备DMDMOS的间隙填充特性和薄膜特性
为了实现大规模集成，在半导体衬底上制造的集成电路需要多层金属互连，以将半导体芯片上的半导体器件的离散层电连接起来。不同层级的互连由各种绝缘层或介电层隔开，这些绝缘层或介电层通过蚀刻孔将一层金属连接到下一层金属。随着特征尺寸的缩小和芯片上晶体管密度的进一步增加，后端铝互连的电阻和寄生电容已成为限制高性能集成电路 (IC) 电路速度的主要因素。1-2) 通过减小绝缘层的厚度，金属线之间的层内和层间电容会增加，因为电容与线之间的间距成反比。随着电容的增加，电阻-电容 (RC) 时间延迟会增加。增加 RC 时间延迟会降低电路的频率响应并增加信号通过电路的传播时间，从而对