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World File Search System电极
多巴胺辅助合成 MoO3/碳电极……
图 1. 合成过程示意图，涉及金属钼和过氧化氢在存在和不存在多巴胺盐酸盐的情况下的溶胶-凝胶反应。溶胶-凝胶反应产物经过水热处理 (HT) 以生成白色 α-MoO 3 -ref 和浅蓝色 HT-MoO 3 /C 粉末。
利用中试生产储能纸电极...
尽管 LIB 技术被认为对于我们能源系统中的能源存储至关重要，但它存在一些固有的限制，例如成本高、寿命短、安全特性差和环境危害 3，这促使人们研究替代能源存储技术。过去十年中，出现了几种替代能源存储技术，其中一些基于生物衍生材料。它们有望实现廉价且环保的能源存储。4 人们开发了许多概念来利用木质纤维素材料作为能源存储电极的关键成分，从利用木质素作为二次电池中的氧化还原活性阴极材料 5 到利用纤维素的天然结合特性作为电双层电容器 (EDLC) 中的关键结构成分 6。这些生物基电池和超级电容器（有时也称为纸电池）的设计和开发都具有环保特性，包括材料来源、生产、操作以及使用寿命结束时的处置/回收规范。 7 此外，与传统的电极制造方法（围绕在金属集流体上涂覆电极浆料的方法）相比，8 纸电极还具有更高的生产率的内在潜力，因为纸基技术可以大规模和快速的线速生产并转化为产品。
电池电极原型的新材料-Dr -ntu
1化学系数学与自然科学学院，北苏门答腊大学，梅德拉大学，20155年，印度尼西亚2碳研究中心，北苏门答腊大学，20155年，印度尼西亚3研究生课程，化学课程，化学课程，化学系，北苏丹·苏丹·苏丹·苏丹（North Sumatra）20155年，北苏丹大学和自然科学系马来西亚Serdang 43400大学科学学院5号化学系，数学和自然科学学院，梅德曼州立大学，梅德丹20221年，印度尼西亚6号农业学院，印度尼西亚大学，印度尼西亚大学，梅丹大学，20151年，20151年，印度尼西亚7号，印度尼西亚7号，科学师。 50603，马来西亚8大学马来亚大学离子液体中心（UMCIL），马来亚大学，吉隆坡50603，马来西亚9号材料科学与工程学学校，Nanyang Technological University，Nanyang Technology University，Nanyang Avenue 50，新加坡639798，新加坡 *通讯 *通信：Rikson@use@usu.acu.acu.acu.acu.acu.c..id（R.S. S. S.）; miytok@ntu.edu.sg（A.I.Y.T。）
电极修复胶带|电动电池解决方案
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舒适干脑电图的花电电极
干脑电图（EEG）电极提供快速，无凝胶且易于EEG的准备，但穿着有限的舒适性。我们提出了一种新型的干电极，该电极包含多个倾斜的销钉。新颖的花电极在保持易用性的同时增加了舒适和接触区域。在一项与20名志愿者的研究中，我们将新型的64通道干燥花电极盖的性能与坐姿和仰卧位置的商业干型多元电极盖进行了比较。将花帽的舒适舒适度被评估，因为坐姿和仰卧姿势都显着改善。两个电极系统的通道可靠性和平均阻抗都是可比的。平均VEP组件在全球场功率振幅和延迟以及信噪比和地形上没有明显差异。在1至40 Hz之间的静息状态脑电图的功率谱密度中没有发现很大的差异。总体而言，我们的发现为坐姿和仰卧位置上比较的CAP系统的等效通道可靠性和信号特征提供了证据。的可靠性，信号质量以及显着改善了花电电极的舒适性，可以在长期监测，敏感人群和仰卧位置记录的新应用领域。
Slim Straight是行业最薄的全长电极
并非所有听力损失的患者都是人工耳蜗的候选者。人工耳蜗是一种外科手术，并带有典型的手术风险。有关适应症，警告和不良影响的完整信息，请参阅www.cochlear.com/us/nucleusindications
灵活的半透明双电极水凝胶基于...
以下出版物Jing，X.，Li，H.，Mi，H.-Y.，Feng，P.-Y.，Tao，X.，Liu，Y.，Liu，C。，＆Shen，C。（2020）。具有坚硬的界面键合和高能量输出的柔性半透明双电凝胶水凝胶基于底环的纳米生成器[10.1039/c9tc06937b]。材料化学杂志C，8（17），5752-5760可在https://dx.doi.org/10.1039/c9tc06937b上找到。
质子交换膜燃料电池绿色低成本膜电极组件：双层电极和气体扩散层的影响
1 埃及新堡阿拉伯城科学研究与技术应用城先进技术与新材料研究院高分子材料研究部，2 埃及新堡阿拉伯城科学研究与技术应用城先进技术与新材料研究院纳米材料与复合材料研究部，3 埃及新堡阿拉伯城科学研究与技术应用城信息学研究所 IRI 计算机工程应用部，4 葡萄牙里斯本大学里斯本高等技术学院先进材料物理与工程中心，5 埃及新堡阿拉伯城科学研究与技术应用城先进技术与新材料研究院
TSV 集成表面电极离子阱可扩展...
1 新加坡科技研究局（A*STAR）微电子研究所，新加坡 117685 2 巴黎大学材料与现象实验室，法国巴黎 F-75013 3 南洋理工大学电气与电子工程学院，新加坡 639798 在本研究中，我们报告了一种铜填充硅通孔 (TSV) 集成离子阱的设计、制造和操作。TSV 被直接放置在电极下方，作为离子阱和玻璃中介层之间的垂直互连，随着电极数量的增加和复杂性的提高，可实现任意几何设计。TSV 的集成将离子阱的形状因子降低了 80% 以上，将寄生电容从 32±2 pF 最小化到 3±0.2 pF。尽管没有接地屏蔽层，但仍实现了低射频耗散。整个制造过程在 12 英寸晶圆上进行，并与成熟的 CMOS 后端工艺兼容。我们通过加载和激光冷却单个 88 Sr + 离子展示了该阱的基本功能。我们发现，加热速率（轴向频率为 300 kHz 时为 17 量子/毫秒）和寿命（约 30 分钟）与类似尺寸的阱相当。这项工作开创了 TSV 集成离子阱的发展，丰富了可扩展量子计算的工具箱。
电极结构技术对全固态电池性能的影响
全固态电池是提高电池性能和安全性的有前途的技术，它具有固体锂离子导电电解质（SE）。全固态电池可以实现锂金属负极，显著提高可实现的体积和重量能量密度。[10] 然而，全固态电池仍然面临一些限制。其中包括稳定性问题、众多固-固界面处的高电荷转移阻力、SE 的离子电导率不足以及正极设计未优化。[11,12]