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V掺杂的半金属铁磁性及光电特性
BaTiO 3 化合物：DFT 研究 A. Sohail a、SA Aldaghfag b、MKButt a、M. Zahid c、M.Yaseen a,*、J. Iqbal c、Misbah c、M. Ishfaq a、A. Dahshan d、ea 自旋光电子学和铁热电 (SOFT) 材料与器件实验室，巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学物理系 b 沙特阿拉伯利雅得 11671 诺拉公主大学 (PNU) 科学学院物理系 c 巴基斯坦费萨拉巴德 38040 农业大学化学系 d 沙特阿拉伯艾卜哈国王大学科学学院物理系 e 埃及塞得港大学科学学院物理系 钒 (V) 掺杂对采用自旋极化理论研究了不同浓度（x = 12.50%、25%、50%、75%）对BaTiO 3 钙钛矿物理性能的影响。两种状态的电子能带结构（BS）表明，Ba 0.875 V 0.125 TiO 3、Ba 0.75 V 0.25 TiO 3、Ba 0.5 V 0.5 TiO 3 和Ba 0.25 V 0.75 TiO 3 化合物均为半金属铁磁（HMF）材料。结果表明，V 对Ba 1-x V x TiO 3 化合物的HMF行为起着重要作用。此外，磁特性证实了所有所述化合物的磁矩的整数值。在光学性能方面，还计算了反射率R（ω）、光吸收α（ω）、介电函数ε（ω）、消光系数k（ω）和折射率n（ω）。完整的光学参数集表明上述材料可用于可见-紫外光电子器件。基于半金属 (HM) 的结果，V 掺杂的 BaTiO 3 可用于自旋电子学应用。 (2021 年 6 月 20 日收到；2021 年 10 月 5 日接受) 关键词：半金属铁磁体、态密度、磁矩、光学参数 1. 简介在过去的十年中，HMF 材料因其在隧道结、光电子学和磁性器件中的应用而引起了人们的广泛关注。此外，HMF 材料在自旋电子学中起着重要作用，因为这些材料包含两种自旋态，一种自旋版本表现出金属行为，而另一种自旋态表现得像半导体或绝缘体。HMFM 化合物，例如 PtMnSb 和 NiMnSb Heusler 合金，最初由 Groot 等人 [1- 4] 报道。
中子辐照 GaN 肖特基势垒二极管的温度相关电特性
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量，与原始样品相比，NI 二极管的电子浓度明显下降，表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性，这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明，中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱，但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
四个周期垂直堆叠的SIGE/SI CHANNEN FINFET制造及其电特性
摘要：在本文中，为了解决sige通道鳍片效果晶体管（FinFET）的外延厚度极限和高界面陷阱密度，提出了四个周期的SIGE/SI CHANNEL FINFET。高晶体质量的四个周期堆叠的SIGE/SI多层外延，每个SIGE层的厚度小于10 nm的厚度在Si基板上实现，而没有任何结构缺陷影响，通过优化其外延的生长过程。同时，SIGE层的GE原子分数非常均匀，其SIGE/SI接口很清晰。然后，通过优化其偏置电压和O 2流量，可以通过HBR/O 2/He等离子体实现堆叠的SIGE/SI FIN的垂直文件。引入了四个周期垂直堆叠的SIGE/SI FIN结构后，其FinFET设备在与常规SIGE FINFET相同的制造过程中成功制造。与传统的SIGE通道芬法特（Sige Channel FinFet）相比，它可以达到更好的驱动电流I，子阈值斜率（SS）和I ON /I OFF比率电性能，其SIGE通道的鳍高度几乎等于四个周期的SIGE /SIGE /SIGE /SI频道中的SIGE总厚度。这可能归因于四个周期堆叠的SIGE/SI FIN结构具有较大的有效通道宽度（W EFF），并且在整个制造过程中可以保持质量和表面界面性能更好。此外，首先打开堆叠的SIGE/SI通道的Si通道也可能对其更好的电气性能有所贡献。这个四个周期垂直堆叠的SIGE/SI Channel FinFet设备已被证明是未来技术节点的实用候选人。
一种改善电特性的环栅场效应晶体管扇形结构
从 I on /I off 电流比、跨导、亚阈值斜率、阈值电压滚降和漏极诱导势垒降低 (DIBL) 等方面评估了一种新型栅极全场效应晶体管 (GAA-FET) 方案的可靠性和可控性。此外，借助物理模拟，全面研究了电子性能指标的缩放行为。将提出的结构的电气特性与圆形 GAA-FET 进行了比较，圆形 GAA-FET 之前已使用 3D-TCAD 模拟在 22 nm 通道长度下用 IBM 样品进行了校准。我们的模拟结果表明，与传统的圆形横截面相比，扇形横截面 GAA-FET 是一种控制短沟道效应 (SCE) 的优越结构，并且性能更好。2020 作者。由 Elsevier BV 代表艾因夏姆斯大学工程学院出版。这是一篇根据 CC BY 许可 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
光伏材料 CsMI3 (M = Pb, Sn) 中的应变诱导结构相变、电极化和异常电特性
近年来由于人们环保意识的提高，将太阳能直接转化为电能引起了人们的极大关注。1,2有机-无机卤化物是一种光电转换材料，由于其成本较低、原料丰富，主要用于染料敏化太阳能电池（DSC），尤其是这种CH3NH3PbI3材料。3 – 6几十年来，CH3NH3PbI3材料的光伏效率已经达到近20％，但由于有机分子的挥发性和热力学不稳定性，实用性有待提高。7,8最近，基于第一性原理计算，已报道了一种稳定的六方相，其具有共面的PbI6八面体，而不是CH3NH3PbI3的角连接八面体。 9而全无机卤化物不仅弥补了有机分子热力学不稳定的特性，而且保持了较高的光伏效率。10-12大量研究表明，最理想的光伏材料具有
基于高速SOC应用的测量方法的FCBGA包装的电特性表征
高速计算机和无线通信系统的抽象在电子市场中变得越来越流行，这些面向通信的产品需要高包装密度，时钟速率和更高的GB/s开关速度。在这项工作中表征了用于以1 GB/s运行的应用程序的多层翻转球网阵列（FCBGA）软件包。包装的电特性超出了1 GHz的必要性。在本文中，我们介绍了使用时域反射测量法（TDR）方法互连FCBGA软件包的测量和仿真结果。模拟和测量结果，以建立适当的FCBGA互连电路模型。电力网络的寄生虫可以通过TDR，矢量网络分析仪（VNA）和阻抗分析仪（IA）来测量。这项工作中生成的完整模型针对的是在商业电子应用中具有广泛用途的高速系统片（SOC）设备。关键字翻转芯片球网格阵列（FCBGA），电特性，时域反射仪（TDR），矢量网络分析仪（VNA），片上系统（SOC）1。简介半导体的国际技术路线图（ITRS）驱动程序章节介绍了未来半导体行业发展的总体SOC环境[1]。它处理大型功能块，例如RF，CPU，硬件元素（数字和模拟/混合信号块），软件元素，胶水逻辑，功能特定内核，通信接口和软件堆栈，作为可重复使用的和预验证的组件。这些组件可以插入许多不同的SOC中，这是减少必须完成新产品必须完成的低级设计工作量的一种方法[2] [3]。虽然预计通信市场将保持显着的频率线索，但高速序列方案的渗透到微处理器，ASIC和SOC市场的形式