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摘要在这项工作中，已经使用脉冲模式电压应力分析了正常的p-gan algan/gan hemts对正常的p-gan algan/gan hemts降解的热效应。与Gan-On-Si Hemts的显着降解特性相比，由于更高的热边界导导，在Gan-On-SIC中抑制了降解的动态R，而离子化的受体样bu样陷阱较低。不同的电特性，以揭示与热效应相关的陷阱。最后，已经进行了二维设备模拟，以探究对降解动态R的热效应的物理洞察力。关键字：陷阱，降解的动态R，Algan/Gan Hemts，脉冲模式应力，底物，温度分类：电子设备，电路和模块（硅，硅，com-poundeminconductor，有机和新型材料）
对p-gan动态ron降解的热效应...
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