摘要 — 我们研究了具有 TiN/Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 /SiO 2 /Si (MFIS) 栅极结构的 FeFET 在耐久疲劳过程中的电荷捕获。我们提出了一种通过测量金属栅极和 Si 衬底中的电荷来实验提取存储器操作期间捕获电荷数量的方法。我们验证了在耐久疲劳过程中捕获电荷的数量会增加。这是第一次通过实验直接提取捕获电荷并验证其在耐久疲劳过程中会增加。此外,我们模拟了耐久疲劳过程中捕获电荷和铁电极化切换之间的相互作用。通过实验结果和模拟数据的一致性,我们证明了随着存储窗口的减小:1) Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 的铁电特性没有降低。2) 栅极堆栈上带隙中的陷阱密度增加。3) 存储窗口减小的原因是编程操作后捕获电子增加,而与空穴捕获/去捕获无关。我们的工作有助于研究FeFET的电荷捕获行为和相关的耐久疲劳过程。
具有IP69K的入口保护级,用于灰尘,高温和高压洗涤,可保护100%的保护,不受灰尘或水颗粒的侵入。这是要求运营条件的理想选择,以及进行消毒和严格清洁的情况。
摘要:二维共轭金属有机框架(2D C-MOF)由于其(半)的导电性能而吸引了对电子的兴趣日益增加。电荷 - 中立2D C-MOF也具有持久的有机自由基,可以看作是自旋浓缩阵列,为Spintronics提供了新的机会。然而,层堆积的2D C-MOF的相邻分子之间的强π相互作用歼灭了活跃的自旋中心,并显着加速了自旋松弛,严重限制了它们作为自旋量子的潜力。在此,我们通过控制层间堆叠来报告2D C -MOF中电荷传输和自旋动力学的精确调整。在共轭配体上引入了笨重的侧基,从而使2D C -MOFS层从锯齿状的堆叠到交错的堆叠量显着脱位,从而在空间上削弱了层间相互作用。因此,2D C -MOF的电导率降低了六个数量级,而旋转密度则增加了30倍以上,并且自旋晶格松弛时间(t 1)增加到〜60 µs,从而使旋转宽松的参考2D C -MOF变得越来越快地占据了旋转的良好。自旋动力学结果还表明,无旋转极化对或双极在这2D C -MOF的电荷传输中起关键作用。我们的策略提供了一种自下而上的方法,可以在2D C-MOF中扩增自旋动力学,从而为开发基于MOF的Spintronics开辟了途径。
抽象的摩擦式摩擦或接触材料会导致电荷转移时,在许多领域都无处不在,并且已经详细研究了几个世纪。尽管如此,对摩洛电性的完整描述仍然难以捉摸。在这里,我们分析了金属垂体和半导体之间的接触,包括来自半导体耗尽区的贡献以及由于阿森特式接触处的应变梯度而产生的挠性偏振。然后讨论和计算涉及的电荷转移涉及的免费费用。因此,我们开发了一个定量模型,用于摩擦电荷转移,该模型详细介绍了如何使用接触参数的电荷传输量表,耗尽和挠性性的相对影响,并且与多种类别的TriboElectric实验中的各种趋势一致。
•始于2010年,重点是新兴国家的网格太阳能市场。•我们拥有强大的产品设计和制造业(灯笼,路灯,电荷控制器,家庭照明系统等产品)。我们的运营团队拥有超过10年的经验。•我们专门针对企业和工业客户设计和安装屋顶太阳能解决方案•我们正在开发我们的品牌,因为太阳能包装过渡到B-2-C零售游戏。•对于太阳热应用,我们已经在基本的CSP开发和技术上进行了大量投资。•我们已经在古吉拉特邦Rajkot附近的5MW网格连接的电厂的基础上执行了66 kV的电力撤离系统。
v单元,以检测电池的主机或没有电池。BQ2054确定当V单元格在高压截止(V HCO = V reg + 0.25V)和低压截止(V LCO = 0.8V)之间时,存在电池。当V单元不在此范围之外时,BQ2054确定不存在蝙蝠并过渡到断层状态。对V LCO和V HCO之间的范围内和范围内被视为电池插入和拆卸,并具有分解。V HCO限制也隐式用作超电压终止。
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图1:(a)Cu 2 Agbii 6的晶体结构,边缘共享八面体层以紫色突出显示。Ag +,Bi 3+和Cu +位点的部分占有率通过每个离子位点的圆的分数填充显示。(b)温度依赖性的光致发光和紫外可见的吸收测量值在4 - 295 K之间进行4-295 K之间的薄膜。PL峰值蓝移,温度升高。1.59 - 1.71 eV之间的阴影区域表示进行了TCSPC测量的高能量区域(如(c)所示),并从中测量了峰值计数(如图S3(c)所示)。使用Elliott的理论(黑色虚线),插图显示了在295 K处的光谱,阴影区域为60,表明了激子(蓝色)和连续性贡献,而没有(棕色),以及(绿色)库仑(绿色)库仑。请参阅更多温度和提取的参数γ的支持信息。(c)使用TCSPC在200 NJCM-2的功能下测量的时间分解PL衰变。在高温下,衰减是非常异构的(非指数),并且在低温下寿命更长。灰色实线在4和295 k处拟合到拉伸指数上。有关所有瞬态和提取参数的拟合信息,请参见支持信息。(d)使用Elliott拟合在每个温度提取的带隙能E G的值。(e)使用Elliott拟合在每个温度提取的激子结合能E B的值。