我们利用先进的数值技术处理基于动力学蒙特卡罗技术的实验测量和模拟,分析了电阻存储器 (RRAM) 中的可变性。研究中使用的设备是使用 TiN/Ti/HfO 2 /W 堆栈制造的。利用新开发的提取方法获得了开关参数。通过与动力学蒙特卡罗模拟进行比较,检查了高级参数提取方法的适用性;特别是,研究和检测了复位和设置事件。获得的数据用于阐明电阻开关操作和周期间可变性。结果表明,可变性取决于用于获得设置和复位电压的数值技术,因此,在 RS 特性和建模研究中必须考虑到这个问题。所提出的技术是互补的,并且根据技术和曲线形状,特定方法的特征可以使其成为最合适的方法。
在低温下研究经典和量子热效应需要使用片上局部高灵敏度测温法。使用聚焦离子束 (FIB) 辅助沉积制备的碳铂复合材料形成粒状结构,本研究表明,这种结构特别适合此应用。使用 24 pA 离子束电流沉积的碳铂温度计在 1 K 以下具有高灵敏度,可与最好的低温温度计相媲美。此外,这些温度计可以使用无掩模工艺精确放置在芯片上数十纳米的范围内。它们还具有弱磁场依赖性,在施加 0 至 8 T 的磁场时电阻变化小于 3%。最后,由于目前广泛使用 FIB,这些温度计可集成到各种纳米级设备中。© 2020 Elsevier Ltd。保留所有权利。
摘要 - 本研究介绍了创新的混合密码模型,该模型将蜂窝访问机制与基于晶格的加密算法无缝整合,旨在增强云安全性并解决新兴的量子威胁。混合模型代表了从传统的晶格加密方法中的重大飞跃,如综合模拟所证明的那样。与晶格加密的94.99%的成功率(2.93%)相比,它的可值得称赞成功率为90.15%,具有较低的可变性(标准偏差为1.72%)。在操作上,混合模型在提供一致的性能和更快的处理时间方面表现出色,从而使其成为加密操作的更有效选择。此外,其成本效益是显而易见的,运营成本范围从0.862到7.24微毛额,用于加密,并进行了0.871至7.29个微关。此外,两种模型的能源消耗都保持在1.35至3.46焦耳的实际范围内,突出了混合模型的适用性。这项研究强调了混合模型保护云计算环境免受高级量子攻击的潜力,提供了有前途的解决方案,该解决方案在性能,成本效益和能源效率之间取得了平衡。在一个量子计算对传统加密构成重大威胁的时代,混合加密模型是一种强大而实用的替代方案,能够强化云安全性,同时保持操作效率和负担能力。
摘要:智能防护服的开发将有助于检测接触体育,交通碰撞和其他事故的伤害。ECOFLEX,间隔织物和基于石墨烯的气凝胶的组合提供了多功能复合材料。在应变范围为40〜55%的应变敏感性,压力灵敏度为0.125 kpa -1在0〜15 kPa的压力敏感性,温度灵敏度为-0.648°C -1。进行50次撞击测试后,其保护系数仅从60%下降到55%。此外,它显示了热绝缘性能。有限元数值模拟分析的压缩和影响过程结果与实验结果非常吻合。ECOFLEX/AIRGEL/SPACER织物传感器表现出简单的结构,较大的压力应变,高灵敏度,柔韧性和易于制造,使其成为抗击负荷的智能保护服装的候选者。
摘要 - 内存计算(IMC)是机器学习(ML)数据密集型计算加速器的最有希望的候选者之一。用于尺寸降低和分类的关键ML算法是主要成分分析(PCA),它在很大程度上依赖于经典的von Neumann架构未优化的矩阵矢量乘法(MVM)。在这里,我们提供了基于IMC的新PCA算法的实验演示,该算法基于功率迭代和在4 kbit的电阻切换随机访问存储器(RRAM)中执行的放气。威斯康星州乳腺癌数据集的分类准确性达到95.43%,接近浮点的实施。我们的模拟表明,与商业图形处理单元(GPU)相比,能源效率有250倍,因此在现代数据密集型计算中支持IMC的能源有效ML。
我们研究了聚焦离子束沉积碳铂 (FIB C-Pt) 复合材料作为低温灵敏局部微温度计的用途,该复合材料可在器件制造的任何阶段无需使用掩模进行沉积。FIB 沉积是获得纳米级欧姆接触的常用方法 [20]。因此,它在这方面得到了广泛的研究。特别是,已经研究了 FIB C-Pt 的电阻率与成分 [21, 22, 23]、温度 [24, 25, 26, 27]、尺寸 [28, 29] 和沉积参数 [30, 31] 的关系。然而,FIB C-Pt 作为低温电阻温度计的潜力从未被研究过。虽然复合系统代表了一种新型的片上测温方法,但其成分元素 Pt [32, 33, 34, 35, 36, 37] 和 C [32, 38, 39] 已被用作电阻温度计,用于各种应用。对于纯 Pt 温度计,与大多数金属温度计一样,
a 西班牙格拉纳达大学统计学和运筹学系及 IEMath-GR b 西班牙瓦伦西亚理工大学应用统计和运筹学系及质量系及 UC3M-BS 桑坦德大数据研究所 c 西班牙格拉纳达大学电子与计算机技术系
没有沟通我们就无法生存,甚至无法存在。由于我们是社会存在,因此毫无疑问,我们受到交流过程的影响和调节。尽管我们受到交流影响的影响,但我们也能够仅通过交流来影响我们的环境。从某种意义上说,我们可以说我们是人类,因为我们传达了我们的感受,情感,思想或原因。同时,我们目前正在经历通信方法的急剧变化。似乎我们进行交流的方式正在从面对面变成数字化。我们生活在一个全球和数字互连的世界中。以Facebook或WhatsApp为例。据估计,在2020年的前半段,Facebook和WhatsApp分别拥有2.50万和2000万用户(www.statista.com)。如果我们认为Covid-19的大流行迫使世界隔离,这将有助于增加通信数字工具的使用情况,那么这些数字就会更高。例如,居住在退休房屋中的老年人已经适应使用数字设备与亲戚进行交流,这对于几个月前的一些人来说是不可想象的。如果估计正确,则数字字节的数量将很快超过已知宇宙中的恒星数量(Butler,2016年)。大致来说,数字信息的数量呈指数增长,计算机的功能每年都会增加一倍。我们认为,潜在的不可靠和大量可用的数字信息对人脑构成威胁。考虑到其系统发育进化(Dehay and Kennedy,2020年),我们的大脑可以轻松地适应大量的电子数据,但我们认为,当将嵌入在数字社会中的大脑概念化时,这种情况会带来一些挑战。首先,这种信息超负荷会挑战我们的大脑,因为我们的认知系统在某些级别的信息处理中受到限制(Sweller,2020)。可能不可靠,混乱甚至矛盾的信息能够破坏人类大脑的稳定。我们并不抱怨技术的发展或生产大量数字数据,但我们想指出,在过渡到更健康,更安全的数字发电时,值得谨慎的注意。尽管我们同意我们当前的数字社会有可能为我们提供信息来解决持久的社会问题(Ledford,2020; Shah,2020年),但我们还必须意识到,我们用于此目的的技术可能会偏向于这些问题,而不是改变这些问题的力量状态 - 产生这些问题(Curtland,2018; Kalluri,2018; Kalluri,2018; Kalluri,2020; Saltelli et; Saltelli et 2020 al al an al an an al an al an al an al an al an an al 2020)。因此,我们想强调一些我们认为值得考虑的主题,以帮助子孙后代不要在数字沟通的社会影响下挣扎。
当同步整流管完全开启后, VDS 两端压降完全跟 随次级电流 Is 。随着次级续流电流的减小 VDS 电压升 高,当 VDS 电压增大到 -30mV 时, Gate 驱动电路的 上管供电被关断 , 驱动电压随内部电阻及漏电流开始缓 慢降低;当 VDS 电压增大到 -20mV 时, Gate 驱动电 压会被钳位在 3.3V 左右。如果 VDS 电压增大到 -1mV 时, WS2260C 会在 25ns 的时间内快速将 GATE 电压 拉到 0V 。同时,关断屏蔽时间开始计时,此期间 GATE 保持低电平。直到 VDS 电压大于 2V ,退出关断屏蔽 计时。
近年来,电阻式存储器已成为电子领域的一项关键进步,在能源效率、可扩展性和非易失性方面具有众多优势 [1]。这些存储器以其独特的电阻开关行为为特征,非常适合各种应用,从高密度数据存储到神经形态计算 [2]。它们与先进的半导体工艺的兼容性进一步增强了它们的潜力,使其能够无缝集成到现代电子电路中 [3]。电阻式存储器的一个特别有前途的途径在于将其集成在半导体制造的后端 (BEOL) 阶段 [4]。BEOL 集成涉及晶体管制造后发生的工艺,主要侧重于创建电气连接这些晶体管的互连。在此阶段集成电阻式存储器可实现紧凑、高效和高性能的架构,这对于数据存储和处理共置的内存计算应用至关重要 [5]。本文研究了使用化学机械抛光 (CMP) 工艺将基于 TiO x 的电阻式存储器集成到无源交叉阵列结构中的三种方法,重点是确定最佳集成技术。
