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World File Search System电阻
界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。
li-nmc电池在广泛温度下的内部电阻
影响锂离子电池能量转移的因素之一是内部电阻。这种内部电阻是由于电化学材料及其离子成分的电阻率而发生的。同时，电池的内部电阻受温度及其充电状态等多种因素的影响。为了保持电池健康并防止快速降解，应避免在高温下使用电池。在这种关系中，涉及电池内部电阻的研究主要在理想的温度范围内进行。这使得高温下内部电阻的数据稀缺和不足。因此，此内部电阻数据是预测电池温度的重要关键组件。高温下良好的内部电阻数据可以有助于更准确的电池温度预测。这项研究的目的是通过实验在广泛的温度下为LI-MNC电池提供内部电阻数据。在这项研究中，通过高电流放电方法升高了40AH的锂离子锰 - 尼克果（LI-MNC）电池的温度。使用的排放电流为120a（3c）和160a（4C）。排放温度从26°C到80°C进行。内部电阻将从测得的电压响应时，当1C（40a）脉冲电流流动流过电池时。结果表明，随着温度的升高，内部电阻的值降低。同时，降低速率下降，直到在高温范围内几乎恒定直至达到80°C。这项研究的目的是在高达80°C的广泛温度范围内提供电池内电阻的数据。此信息对于开发可以预测电池性能和温度的精确电池电热模型很重要。在此扩展方面，此信息将有助于开发更好的电池管理系统，以确保良好的电池使用和安全性。
电阻存储器分析和建模的参数提取技术
本文对用于提取电阻开关 (RS) 和建模参数的不同数值技术进行了修订。针对不同的电阻存储技术，计算了常用于估计可变性的置位和复位电压。还介绍了提取串联电阻的方法以及与电荷通量忆阻建模方法相关的参数。研究发现，获得的周期间 (C2C) 可变性取决于所使用的数值技术。这一结果很重要，它意味着在分析 C2C 可变性时，应描述提取技术以对不同的电阻存储技术进行公平比较。除了使用大量不同类型的电阻存储器的实验数据外，我们还采用了动力学蒙特卡罗 (kMC) 模拟来研究构成导电细丝 (CF) 的渗透路径的形成和断裂事件，这些细丝允许在丝状单极和双极器件中进行电阻开关操作。
考虑接触电阻的箱式太阳能灶的数学建模
太阳能灶是一种利用太阳能加热食物以进行烹饪的设备。太阳能烹饪可用于减少传统燃料的使用并提高食物质量。太阳能灶必须处理通过吸收板金属部件和食物容器接触的高浓度热流。对于热传递，接触热阻起着重要作用，降低接触点的热阻是主要关注点。在目前的研究中，通过结合接触电阻对轻质、节能的箱式太阳能灶进行了数学建模。开发了一种实验装置来找出接触热阻，并评估了铝材料表面粗糙度为 0.2 Ra 和 0.8 Ra 时的接触热阻。对灶具进行了性能测试以获得性能系数 F 1 和 F 2 。此外，还对表面粗糙度为 0.8 和 0.2 Ra 的测得的热接触阻进行了负载测试。对于 0.2 Ra 的表面粗糙度，考虑接头处热阻时观察到的 % 误差分别为 19.77%、13.69%、13.68%，不考虑接头处热阻时观察到的 % 误差分别为 −42.89%、18.95% 和 16.37%。对于 0.8 Ra 的表面粗糙度，考虑接头处热阻时观察到的偏差分别为 23.09%、17.52%、13.5%，不考虑接头处热阻时观察到的偏差分别为 −42.89%、18.95% 和 16.37%。计算得出的品质因数 F 1 为 0.12，而商用炊具的品质因数为 0.11，这表明新设计的炊具具有更高的光学效率。计算得出的品质因数 F 2 为 0.42，而商用炊具的品质因数为 0.38。因此，结果强调了热接触阻非常重要，在建模时应予以考虑。
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯，需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移，而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里，我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性，为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，在 2 n ΩΩ − 1 以内，小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度，而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯，需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移，而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里，我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性，为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，在 2 n ΩΩ − 1 以内，小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度，而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，这使得在较小的电荷载流子密度下可以有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上具有发展前景的可扩展外延石墨烯需要分子掺杂，而分子掺杂在环境条件下通常是不稳定的，以补偿来自 SiC 衬底的电子转移。在这里，我们采用了有机电子器件中常见的经典玻璃封装，以使分子掺杂的外延石墨烯对空气中的水和氧分子钝化。我们已经研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性近 1 年。经过近一年的多次热循环，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度，而普通未封装的器件在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量子化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
用于量子电阻计量的分子掺杂外延石墨烯玻璃封装
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散，它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而，在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯，需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移，而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里，我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性，为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中，霍尔量子化保持在阈值磁场之上，在 2 n ΩΩ − 1 以内，小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度，而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。