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铌-硅基原位复合材料的析出行为
铌硅钢 70.63 22.58 1.51 0.17 6.90 γ-铌硅钢 32.99 25.64 34.36 6.65 1.02 α-铌硅钢 47.92 13.66 35.22 2.95 0.24
通过原位工艺在环氧树脂基质中形成的多层二氧化硅基纳米粒子的结构和自下而上的形成机理
摘要：分散相尺寸小至几十纳米的有机/无机杂化复合材料引起了人们的极大兴趣。本文表明，可以通过“原位”溶胶-凝胶法从两种前体开始获得二氧化硅含量为 6 wt % 的二氧化硅/环氧纳米复合材料：四乙酯正硅酸盐 (TEOS) 和 3-氨基丙基三乙氧基硅烷 (APTES)。APTES 还起到偶联剂的作用。使用先进技术（明场高分辨率透射电子显微镜、HRTEM 以及通过多范围设备 Ganesha 300 XL+ 执行的小角和广角组合 X 射线散射 (SAXS/WAXS)）使我们能够证明纳米粒子的多片结构，而不是通常通过溶胶-凝胶路线获得的凝胶结构。一种以新的方式结合溶胶-凝胶化学、乳液形成和奥斯特瓦尔德熟化方面的充分评估知识的机制使我们能够解释观察到的层状纳米颗粒的形成。■ 简介
硅基量子计算高级量子工程师
Quantum Motion 是一家总部位于伦敦的快速发展的量子计算初创公司，该公司正在招募一位经验丰富的量子工程师加入 Quantum Hardware 团队，为基于硅技术的可扩展量子计算机的开发做出贡献。该职位将涉及开发和演示可扩展的硅自旋量子比特相干控制策略，以实现跨阵列的量子逻辑运算。在固态系统中动态表征和控制自旋方面的经验至关重要。不需要硅基纳米电子器件方面的经验，但最好熟悉硅量子电子学概念。
先进硅基阳极材料的低成本制造
• 利用 EnerG2 碳在碳方面的专业知识来创造理想的硅支撑基质材料 • 开发和实施与碳平台兼容的低成本硅合成工艺 • 展示该方法在完整电池 LIB 中的成功 • 使用低成本工艺进行中试规模生产，以满足 LIB 客户的资格要求
硅基内置低暗电流光电二极管... - CDN
与传统体硅相比，绝缘体上硅（SOI）衬底具有许多优势，包括低漏电流、低电容、低功耗、更好地抵抗短沟道效应（SCE）和卓越的缩放能力[1 – 4]。这使得SOI衬底不仅适用于传统的MOSFET，而且由于天然的衬底隔离[5 – 8]和更简单的多栅极设计，它也对新型半导体器件具有吸引力，例如TFET和Z2-FET。此外，建立在SOI平台上的光电探测器（PD）也表现出优异的光电性能。高工作速度、高抗辐射和低寄生电容的优势使基于SOI的PD在电子和光子集成电路（EPIC）、光通信系统和航空航天等许多应用领域中极具竞争力[9 – 16]。为了在 SOI 薄膜中形成 pn 光电二极管，通常使用常规离子注入来掺杂 Si 沟道 [17]。然而，离子注入会损坏并降低 Si 的质量，这个问题在缺乏种子层以促进再结晶的超薄 SOI 薄膜中尤其严重。此外，用于激活掺杂剂的高温退火可能会引起应力和损坏，并进一步降低器件的性能。为了克服这些缺点，可以使用电场诱导的静电掺杂 [18,19] 来形成 pn 结并完全避免离子注入。之前，我们已经证明在
高灵敏度硅基 VIS/NIR 光电探测器
1. A. Loudon、P. Hiskett、G. Buller、R. Carline、D. Herbert、WY Leong 和 J. Rarity，选择。莱特。 ，27，219 (2002)。 2. Z. Lo、R. Jiang、Y. Zheng、L. Zang、Z. Chen、S. Zhu、X. Cheng 和 X. Liu，Appl.物理。莱特。 ，77，1548 (2000)。 3. M. Elkurdi、R. Boucaud、S. Sauvage、O. Kermarrec、Y. Campidelli、D. Bensahel、G. Saint-Girons 和 I. Sagnes，Appl。物理。莱特。 ，80，509 (2002)。 4. C. Wu、CH Crouch、L. Zhao、JE Carey、R. Younkin、JA Levinson、E. Mazur、RM Farrell、P. Gothoskar 和 A. Karger，Appl.物理。莱特。 ，78，1850（2001）。 5. R. Younkin、JE Carey、E. Mazur、JA Levinson 和 CM Friend，J. Appl.物理。 ，93，2626 (2003)。 6. CH Crouch、JE Carey、M. Shen、E. Mazur 和 FY Genin 提交给 Appl。物理。答： 7. M. Ghioni，A. Lacaita，G. Ripamonti 和 S. Cova，IEEE J. Quantum Electronics，28，2678（1992 年）。