从表型上看,编辑植物的营养生长与野生型相似。所选 8 个品系的果实质量参数显示,重量、长度、颜色和硬度均有所变化,具体取决于品系,其中大多数品系的长宽比低于野生型,与对照相比,转基因果实的伸长率较低且更方。此外,几乎所有编辑品系的果实硬度均显著增加,FaPG1 编辑程度与收获时的果实硬度之间存在明显的正相关关系。
摘要 — 低增益雪崩二极管(LGAD)用于高粒度定时探测器(HGTD),它将用于升级 ATLAS 实验。首批 IHEP-IME LGAD 传感器由高能物理研究所(IHEP)设计,微电子研究所(IME)制造。三个 IHEP-IME 传感器(W1、W7 和 W8)接受中子辐照,辐照剂量高达 2.5 × 10 15 n eq / cm 2,以研究中子浅碳和深 N++ 层对辐照硬度的影响。以 W7 为参考,W1 施加了额外的浅碳,W8 具有更深的 N++ 层。在Bete望远镜测试中测得的3个IHEP-IME传感器的漏电流、收集电荷和时间分辨率均满足HGTD的要求(在2.5×1015neq/cm2辐照剂量后<125µA/cm2、>4fC和<70ps)。碳层较浅的W1传感器抗辐射能力最强,N++层较深的W8传感器抗辐射能力最差。
摘要:高粒度定时探测器(HGTD)是ATLAS二期升级的重要组成部分,用于应对极高的堆积密度(平均每个束流团穿越的相互作用次数可达200次)。利用径迹的精确定时信息(σt~30ps),可以在“四维”空间进行径迹到顶点的关联。传感器选用低增益雪崩探测器(LGAD)技术,可提供所需的定时分辨率和良好的信噪比。日本滨松光子学株式会社(HPK)已生产出厚度为35 μm和50 μm的LGAD,中国科学技术大学也与中国科学院微电子研究所(IME)合作开发并生产了50 μm LGAD样机。为评估抗辐照性能,传感器在JSI反应堆设施中接受中子辐照,并在中国科学技术大学进行测试。在室温(20 ℃ )或−30 ℃ 下,通过I-V和C-V测量表征辐照对增益层和本体的影响。提取了击穿电压和耗尽电压,并将其表示为通量函数。受体去除模型的最终拟合得出HPK-1.2、HPK-3.2和USTC-1.1-W8的c因子分别为3.06×10 −16 cm −2、3.89×10 −16 cm −2和4.12×10 −16 cm −2,表明HPK-1.2传感器具有最耐辐照的增益层。采用一种新颖的分析方法进一步利用数据得到c因子与初始掺杂浓度之间的关系。关键词:LGAD;HGTD;定时探测器;硅探测器中图分类号:TL814文献标识码:A
定向能量沉积 (DED) 是一种新兴技术,可用于修复关键的航空航天部件。研究表明,DED 部件的机械性能在整个零件过程中变化很大,因此很难达到这些应用所需的过程控制水平。使用现场捕获的热数据,计算出冷却速率和熔池尺寸,并将其与 EBSD 捕获的最终晶粒结构关联起来。冷却速率的变化解释了不同加工参数之间以及构建高度的微观结构变化。实施了一种使用累积各向异性因子的新方法,将硬度变化与晶粒结构关联起来。根据 316L 中的线性热输入发现了两种情况,高线性热输入导致部件级别上大量的机械各向异性。热特征和机械性能之间的关系表明,可以通过使用同轴摄像机监测和控制熔池大小来实现对各向异性的严格控制。
摘要。本研究旨在确定使用 Paraloid B 72 对生物侵蚀木材进行固结处理的效果。确定 HM 硬度的方法是一种原创的科学方法,它是一种微创方法,可以指示固结处理前和固结结束时基材的损坏程度,从而可以评估该过程。使用 Mark 10 仪器测试样品以确定 HM 硬度,该硬度可与标准硬度相关联。在 Paraloid B72 中执行两个固结步骤,12% 溶解在混合物(乙酸乙酯和甲苯,1:1)中。在固结结束时,硬度从 6.74 N/mm 2(37.11%)增加到 13.73 N/mm 2(75.61%),而参考木材的硬度为 18.16 N/mm 2 。
复杂性理论的最新技术迫使密码学家将其方案基于未经证实的硬度假设。这样的假设可以是一般的(例如,单向函数的存在)或特定的假设(例如,RSA的硬度或离散对数问题的硬度)。特定的硬度假设通常比其一般对应物更强。但是,由于这样的假设考虑了具有更多结构的原语,因此它们适合于更有效的协议的结构,有时甚至是在不存在此额外结构时不存在的对象的结构。的确,近年来,已经引起了一些新的和更奇特的特异性硬度假设(例如[12,4,11]),导致效率提高的标志方案除其他外,但也是第一个证明是基于身份的基于识别的构造的。在本文中,我们介绍了一类新的强大但一般的硬度,并展示如何使用这些假设来解决密码学中某些长期持久的开放问题。我们的假设都是随机甲骨文的混凝土特性的抽象。因此,我们的结果表明,对于我们考虑的问题,不需要随机的牙齿;相反,可证明的安全结构可以基于具体的硬度假设。
1.4 图 1.1 显示了定义和传播硬度标度所必需的计量链的四级结构。请注意,每个级别都需要直接校准和间接校准。直接校准可以参考质量、长度和时间国家标准,并检查是否符合标度定义所要求的公差。需要间接校准是因为许多尚未完全定义的因素(例如压痕过程中的位移-时间模式、压头的形状不规则性和机械性能)无法通过直接测量来评估。因此,诸如与主要硬度标准机的国际比较、与硬度校准机的主要硬度标准块的比较以及最终与硬度测试机的硬度参考块的比较等比较被视为间接测量。如前所述,直接校准和间接校准对不确定度的影响不同,因此可以获得具有不同含义的不同不确定度表达:
电沉积是制备合金的重要方法之一。利用电沉积合成合金的方法引起了广泛关注,因为它能够在室温下在金属基材上制备合金薄膜。到目前为止,含有六价铬(Cr 6 +)离子的电解槽已用于金属铬的电沉积。然而,众所周知,Cr 6 + 离子会引起有害的环境污染[4,5]。在欧盟,WEEE/RoHS(废弃电子电气设备/限制在电子电气设备中使用某些有害物质)指令限制使用Cr 6 + 离子[6]。因此,作为一种替代工艺,许多研究人员提出了从含三价铬(Cr 3 +)离子的电解槽中电沉积金属铬合金(例如 Co e Cr 和 Ni e Cr 合金 [7]、Fe e Cr 合金 [8] 和 Fe e Cr e Ni 合金 [9])。然而,众所周知,电沉积的电流效率受到很大限制,因为 Cr/Cr 3 + 的标准电极电位为 0.937 V(vs. Ag/AgCl/饱和 KCl),远不如铁族金属(例如 Ni/Ni 2 +、Co/Co 2 + 和 Fe/Fe 2 +)的电位高 [10]。在从水溶液中电沉积次贵金属的过程中,随着电流密度的增加,阴极附近的pH值升高[11]。pH值升高的原因是高电流密度下氢气析出速率高,导致阴极附近的H+离子消耗速率高。因此,在简单的水溶液中,Cr3+离子在高电流密度下会与阴极附近的六个水分子形成复合物[Cr(H2O)6]3+。具体而言,这些[Cr(H2O)6]3+离子会在酸性pH区(pH > 4.5)通过羟桥反应形成羟基桥接胶体聚合物[12,13]。阴极附近的这种胶体聚合物会抑制金属铬的电沉积。因此,通常在水溶液中加入甘氨酸、尿素或 N,N-二甲基甲酰胺 (DMF) 等络合剂来抑制 [Cr(H 2 O) 6 ] 3 + 离子的形成。在这些络合剂中,DMF 是众所周知的在金属电沉积过程中减少氢析出的有效络合剂 [14]。之前有几种