我们研究了计算概率分布之间统计相似性的问题。对于有限的样品空间上的分布P和Q,它们的统计相似性定义为S Stat(P,Q):= P X Min(p(x),q(x))。统计相似性是分布之间相似性的基本量度,具有几种自然解释,并捕获了预测和假设测试问题中的贝叶斯错误。最近的工作已经确定,有些令人惊讶的是,即使对于简单的产品分布,精确的计算统计相似性也是#p -hard。这激发了设计统计相似性的近似算法的问题。我们的主要贡献是用于估计两个产品分布之间统计相似性的完全多项式确定性近似方案(FPTA)。为了获得此结果,我们引入了背包问题的新变体,我们称之为“掩盖背包”问题,并设计了一个FPTA,以估算此问题的多维版本的解决方案数量。这种新的技术贡献可能具有独立的利益。此外,我们还建立了一个完全的硬度结果。我们表明,当p和q是估计统计相似性的NP -HARD是内度2的贝叶斯净分布时。
3D Three-dimensional ADC Analog-digital Converters Ag Silver APEX Advanced Photovoltaic Experiment APS Active Pixel Sensor ASET Analog Single-event Transient ASIC Application-specific Integrated Circuit BCH Bose–Chaudhuri–Hocquenghem BiCMOS Bipolar CMOS BJT Bipolar Junction Transistor BNL Brookhaven National Laboratory BoK Book of Knowledge Br Bromine CAD Computer-aided Design CCA Circuit Card Assembly CCD Charge-coupled Device CGS centimeter–gram–second CIS CMOS Image Sensor CL Confidence Level CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor CONOPS Concept of Operations COTS Commercial off the Shelf CRRES Combined Release and Radiation Effects Satellite CRUX Cosmic Ray Upset Experiment CTE Charge Transfer Efficiency DC Direct Current DDD Displacement Damage Dose DRAM Dynamic随机访问记忆DRM设计参考任务DSEE破坏性的单事件效应DSET DESED数字单事件瞬态DSNE设计规范,用于测试的EDAC错误检测和校正EEEE EEEE电气,电子,机电和电位电流ELDRE,并增强了低剂量评分的敏感性
• 扩展现有的在线辐射效应工具集,并作为在公共、可访问和可引用位置快速传播分析模型的主机 • 提供测试计划、数据分析、环境特性、屏蔽评估、单一事件预测、总电离剂量分析和相关的可靠性评估
小规模研发项目的设施选址、建设、改造、运营和退役;常规实验室操作(如制备化学标准和样品分析);以及小规模试点项目(通常少于 2 年),通常在示范行动之前进行,以验证概念,前提是建设或改造将在之前被扰乱或开发的区域内或毗邻(活跃的公用设施和当前使用的道路很容易到达)。示范行动不包括在这一类别中,示范行动是指以一定规模开展的行动,以显示一项技术是否可在更大规模上可行并适合商业部署。B3.11 材料和设备组件的户外测试和实验
工作计划 已经开展了一项广泛的实验计划,使用了六种不同类型的商用仪器、五种压头几何形状、四种不同的涂层系统和三种散装参考材料。该项目已确定硬度和模量值对以下因素的敏感性:仪器校准和环境;压头几何校准;详细加载循环的仪器参数;以及涂层类型和厚度等材料效应。已评估选定的模型,以根据测量的复合压痕响应计算涂层特性。已对这些模型进行了比较、测试和验证,并确定了它们的适用范围。验证包括将模型响应与实验确定的压痕响应进行比较。
辐射硬度保证相关的列表19500年军事绩效规格,半导体设备的一般规范。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-prf-19500)38510,微电路的一般规范。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-m-38510)38534,混合微电路的性能规范。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-prf-38534)38535,集成电路(microcircuits)制造的一般规格。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-prf-38535)军事手册814,电离剂量和中子剂量和中子剂量的微电路和半管路设备的准则。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-hdbk-814)815,剂量率ha指南。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-HDBK-815)816,《开发辐射硬度硬度可确保的设备规格的指南》。(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-HDBK-816)817,系统开发辐射硬度硬度保证。MILITARY TEST METHODS IN MIL-STD-750 (Test Methods for Semiconductor Devices, http://www.dscc.dla.mil/Programs/MilSpec/listdocs.asp?BasicDoc=MIL-STD-750 ): 1017, Neutron Irradiation Procedure(http://www.dscc.dla.mil/programs/milspec/listdocs.asp?basicdoc=mil-HDBK-817)339,定制的大型集成电路开发和空间汽车的收购((( http://combatindex.com/mil_docs/pdf/pdf/hopper/mil-hdbk/ci-339-mh-9849-9849-0284.pdf)1547,电子零件,材料和流程,用于太空和发射工具,((( http://ax.losangeles.af.mil/se_revitalization/aa_functions/parts/attachments/1547c.doc)1766,ICBM武器系统和空间系统的核硬度和生存计划指南。
tanley P. Rockwell 和 Hugh M. Rockwell (无亲属关系) 发明了国际公认的洛氏压痕测试,并于 1919 年首次获得专利。随后,Stanley Rockwell 与 Wilson-Maeulen 公司的仪器制造商 Charles H. Wilson 合作,在接下来的几年中对他的发明进行了商业化和改进。1920 年,Wilson 首次认识到该设备的真正潜力,他进一步开发了洛氏测试,使其成为压痕深度测试,至今仍在世界各地的材料测试设施中使用。1939 年,Stanley Rockwell 荣获 ASM International 的第五届 Albert Sauveur 成就奖,该奖“旨在表彰开创性的材料科学与工程成就,这些成就激发了类似领域的有组织工作,从而在材料科学与工程知识方面取得了显著的基础进步。”
增材搅拌摩擦沉积 (AFSD) 是一种新兴的固态增材制造技术,其中材料逐层沉积。与基于熔合的增材制造工艺不同,AFSD 依靠旋转工具通过摩擦热和压力挤压和粘合原料材料,使材料温度低于其熔点,以消除与熔合相关的缺陷。由于其高沉积速率,它适用于大型结构制造。然而,AFSD 仍处于开发阶段,存在关于沿构建高度的硬度变化、缺陷形成和残余应力分布的问题。在本研究中,使用光学显微镜、维氏硬度测试和中子衍射检查了 AFSD 制造的结构。光学显微镜显示第一层和基材界面以及沉积边缘存在缺陷,而硬度测试表明沉积硬度从最后一层到第一层降低。中子衍射显示基材熔合区附近存在拉伸残余应力,而大多数沉积物中存在压缩残余应力。
(回想一下PG的运作方式,以及上次Dan演讲的减少)。点是(s',p',e x s)给出了SVL(PPAD -COMPLETE)的实例,并且(S',C,E X S)给出了SVL(PLS -COMPLETE)上DAG的实例。