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World File Search System碳化硅
fisica / Physics中的博士学位-40周期< / div>
该研究由IFN-CNR开发的ERC-STG项目Treat（GAN。101162914）资助。热辐射是能量和熵传输的重要机制，影响了科学和工程的各个方面。然而，由于其随机性，其特征是宽带光谱，缺乏极化和方向性，从而限制了其控制和操纵。治疗旨在通过引入一种通过动态控制热辐射的频谱和动量来设计辐射热传输的方法来应对这些挑战。PH.D计划的重点是研究选定红外热发射器的介电介电常数的时间调节。学生将在中型和Terahertz范围内开发和使用超前的光谱设置，并以飞秒的时间分辨率进行研究，以研究Epsilon-Near-Zero材料的超快光学响应，包括碳化硅，碳化硅，拓扑，拓扑，拓扑，拓扑，拓扑材料，以了解这些材料的主要策略，以了解这些精神上的效果和这些EMERIDEN的效果，并提高这些EMERIDEN和EMERED的效果，并具有EMERER的效果，并且在技术相关环境（温度）中，高频时间调节对介电介电常数。
量子位置，导航和时间（qpnt）
固态材料中的点缺陷，例如碳化硅碳化物在室温下具有较长相干时间的自旋跃迁。这些过渡既可以用于磁力测定法，又是具有超低交换的微波频率标准。NRL已改善量子相干性时间，并在菌株不敏感的自旋系统中证明了磁场和微波频率测量。
Haldenwanger 陶瓷材料手册
Halsic-R 重结晶碳化硅 (RSiC) • 工作温度高达 1600°C（氧化），高达 2000°C（惰性气体）• 高抗热震性 • 高耐腐蚀性 • 标准应用：高温应用的窑具以及气相温度测量管 • 标准几何形状：板、梁、支架、管、保护管、滚筒、匣钵、坩埚、燃烧器喷嘴；可根据要求定制尺寸
基于 SiC MOSFET 的高效交错升压...
摘要 碳化硅 (SiC) MOSFET 属于宽带隙器件家族，具有低开关和传导损耗的固有特性。SiC MOSFET 在较高工作温度下的稳定运行引起了研究人员对其在高功率密度 (HPD) 功率转换器中的应用的兴趣。本文介绍了基于 SiC MOSFET 的两相交错升压转换器 (IBC) 的性能研究，用于调节多电飞机 (MEA) 中的航空电子总线电压。已经开发了 450W HPD、IBC 进行研究，当由 24V 电池供电时，可提供 28V 输出电压。提出了一种 SiC MOSFET 的栅极驱动器设计，可确保转换器在 250kHz 开关频率下运行，降低米勒电流和栅极信号振铃。峰值电流模式控制 (PCMC) 已用于负载电压调节。将基于 SiC MOSFET 的 IBC 转换器的效率与 Si 转换器进行了比较。实验获得的效率结果表明，SiC MOSFET 是重负载和高开关频率操作下的首选器件。关键词：高功率密度 (HPD)、交错升压转换器 (IBC)、多电飞机 (MEA)、峰值电流模式控制 (PCMC)、碳化硅 (SiC)
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
电力电子领域的机遇。......
芯片：向碳化硅过渡 引线键合：超越铝键合，转向铜键合或无引线键合方法。 基板：更高性能的陶瓷或金属绝缘体基板。 导热油脂：尽可能消除，尤其是直接冷却时 冷却：过渡到双面冷却。 芯片连接：从焊料（例如银烧结材料）过渡。 基板连接：在非常苛刻的条件下可能需要非焊料解决方案。 散热器
4H-SIC MOS电容器的氧化栅极
硅是电子中使用的主要材料。电力电子的演变以及对更多功率效率的半导体设备的需求，将硅带到了极限。碳化硅是一种具有宽带隙，高临界电场，高温电导率和饱和速度的电子应用的有希望的材料。除了其优越性，碳化硅碳化物具有与硅2界面相比，在SIC/SIO 2界面中的界面陷阱的缺点大约有两个数量级。此缺点的结果是将压力在MOS电容器和功率MOSFET的门上施加应力时，带有带电压的转移。为了研究SIC/SIO 2界面的纯特性，两种应力方法，当前的脉搏应力和栅极电压升压，已应用于室温和较高温度下的硝基氧化物的4H-SIC电容器上。检查了频段电压恢复。可以在室温下恢复频带电压，而在较高温度下则不需要恢复，而在室温下可以恢复。研究了最大电压（初始电压）和下降的电压速率，并显示出更高的初始电压和较低的电压速率，显示出更好的V FB恢复。实施了200毫秒的电流脉冲应力，并且几乎具有与持续50秒的电压上升相似的影响。
半导体分立器件专业制造商
银河是一家专注于分立器件研发、制造和销售的IDM半导体公司，主要产品包括各类二极管、碳化硅、MOSFET、晶体管、模拟IC、光耦、LED等分立半导体器件，可为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品和技术解决方案，满足客户一站式采购需求，产品广泛应用于电脑及周边设备、家用电器、适配器及电源、网络通讯、汽车电子、工业控制等诸多领域。
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。