摘要 碳化硅 (SiC) MOSFET 属于宽带隙器件家族，具有低开关和传导损耗的固有特性。SiC MOSFET 在较高工作温度下的稳定运行引起了研究人员对其在高功率密度 (HPD) 功率转换器中的应用的兴趣。本文介绍了基于 SiC MOSFET 的两相交错升压转换器 (IBC) 的性能研究，用于调节多电飞机 (MEA) 中的航空电子总线电压。已经开发了 450W HPD、IBC 进行研究，当由 24V 电池供电时，可提供 28V 输出电压。提出了一种 SiC MOSFET 的栅极驱动器设计，可确保转换器在 250kHz 开关频率下运行，降低米勒电流和栅极信号振铃。峰值电流模式控制 (PCMC) 已用于负载电压调节。将基于 SiC MOSFET 的 IBC 转换器的效率与 Si 转换器进行了比较。实验获得的效率结果表明，SiC MOSFET 是重负载和高开关频率操作下的首选器件。关键词：高功率密度 (HPD)、交错升压转换器 (IBC)、多电飞机 (MEA)、峰值电流模式控制 (PCMC)、碳化硅 (SiC)