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这是作者创作的、未经复制编辑的一篇文章的版本,该文章已被《J. Phys.: Condensed Matter》接受发表。 IOP Publishing Ltd 对此版本手稿或由此衍生的任何版本中的任何错误或遗漏不承担任何责任。记录版本可在线获取:http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/27/18/185303。 SiC 上的外延石墨烯:通过基板预处理改变结构和电子传输性能
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