机构名称：
¥ 6.0
硅是电子中使用的主要材料。电力电子的演变以及对更多功率效率的半导体设备的需求，将硅带到了极限。碳化硅是一种具有宽带隙，高临界电场，高温电导率和饱和速度的电子应用的有希望的材料。除了其优越性，碳化硅碳化物具有与硅2界面相比，在SIC/SIO 2界面中的界面陷阱的缺点大约有两个数量级。此缺点的结果是将压力在MOS电容器和功率MOSFET的门上施加应力时，带有带电压的转移。为了研究SIC/SIO 2界面的纯特性，两种应力方法，当前的脉搏应力和栅极电压升压，已应用于室温和较高温度下的硝基氧化物的4H-SIC电容器上。检查了频段电压恢复。可以在室温下恢复频带电压，而在较高温度下则不需要恢复，而在室温下可以恢复。研究了最大电压（初始电压）和下降的电压速率，并显示出更高的初始电压和较低的电压速率，显示出更好的V FB恢复。实施了200毫秒的电流脉冲应力，并且几乎具有与持续50秒的电压上升相似的影响。
4H-SIC MOS电容器的氧化栅极
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