XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System能量范围
先进光源的校准和标准光束线 6.3.2
该弯曲磁体光束线自 1995 年 2 月开始运行，用于表征光学元件（镜子、光栅、多层、探测器等）能量范围为 50-1000 eV。虽然它主要用于 EUV 投影光刻的多层反射光学元件的精密反射测量，但它具有广泛的测量能力。光学元件由单色仪、反射计和重新聚焦镜组成，以在样品上提供一个小点。单色仪是一种非常紧凑、无入口狭缝、变线距平面光栅设计，其中机械刻划光栅在高放大倍数工作的球面镜的会聚光中运行。镜子的像差通过线间距变化进行校正，因此光谱分辨力 λ / ∆λ 受 ALS 光源尺寸限制，约为 7000。波长通过简单旋转具有固定出口狭缝的光栅进行扫描。反射计能够将样品定位在 10 µ m 以内，并将其角位置设置为 0.002 °。基于 LABVIEW™ 的软件为用户提供了方便的界面。反射计通过差动泵与光束线分开，可在半小时内抽空。辅助实验站可以安装在反射计后面。结果证明了光束线的性能和操作便利性。© 1996 美国物理学会。
高温沉积硅能谱的研究
I. 引言 工业界、研究机构和学术界使用专门的辐照设备对微电子元件进行辐照试验，以研究单粒子效应 (SEE)。具体来说，散裂设备试图重现感兴趣的辐射环境，获得超过数百 MeV 的能量范围。只有大型加速器才能达到如此高的能量，因此全球范围内的可用性有限。在欧洲，用于微电子测试的两种散裂设备是啁啾辐照 (ChipIr) 和欧洲核子研究中心高能加速器混合场 (CHARM)。ChipIr 是英国卢瑟福·阿普尔顿实验室的光束线，它利用 ISIS 加速器的 800 MeV 质子在钨靶上的散裂来产生类似大气的中子束 [1]。 CHARM 是位于瑞士 CERN 的设施，它使用 PS 加速器的 24 GeV 质子作用于铜靶，产生高能强子混合场，主要为中子，但也包括质子、介子和 K 介子 [2]。根据辐射场的性质，ChipIr 主要用于地面或飞行高度测试，而 CHARM 则专用于加速器或太空应用。两者需要进行详细交叉校准的原因
在ISIS中子和MUON来源发现新的中子调整材料
主持人是neuton源的最重要组成部分。它的作用是减慢从目标（基于加速器的中子来源）或反应器中渗出的中子，或对材料研究所需的非常低的能量。从历史上讲，专门用于中子散射实验的第一个新来源使用了热中子。如今，由于其对材料研究的显着优势，因此中子源的冷（和超低）中子的产生越来越多。液体 /固体氘（D 2），液体氢（H 2）和碳氢化合物（例如，液化 /甲烷）是反应堆和基于加速器的冷中子源的主持材料的标准选择。所有这些材料具有非常好的中子变化特性，但也具有严重的缺点：在液态氢或有限使用碳氢化合物材料的情况下，在高功率中子源中使用有限的中子能量范围（质子密度相对较低），因为它们容易受到严重辐射损害。因此，在世界各地正在积极寻找一种新型的调制材料，尤其是低温主持人的材料。在本文中，提出了与寻找新的中子调整材料有关的ISIS中子和MUON来源[1]的持续活动。
3–88 keV H ENA 光谱揭示的日球结构
摘要 高能中性原子（ENA）是研究日球层结构的重要工具。最近，人们观测到来自日球层上风区和下风区的 ENA 通量（能量约 55 keV）强度相似。这使得这些观测的作者假设日球层是气泡状而不是彗星状，这意味着它没有延伸的尾巴。我们研究了很宽能量范围（3 – 88 keV）内 ENA 通量的方向分布，包括来自 IBEX（星际边界探测器）、INCA（卡西尼号上的离子和中性相机）和 HSTOF（太阳和日球层探测器上的高能超热飞行时间传感器）的观测。一个基本要素是 Zank 提出的终端激波处的拾取离子（PUI）加速模型。我们采用最先进的全球日光层、星际中性气体密度和 PUI 分布模型。基于“彗星状”日光层模型的结果，其通量大小接近 IBEX、HSTOF 和部分 INCA 观测到的 ENA 通量（5.2 – 13.5 keV 能量通道除外）。我们发现，在高能量下，来自尾部的 ENA 通量占主导地位（与 HSTOF 一致，但与 INCA 不一致）。在低能量下，我们的彗星状模型从上风向和下风向产生强度相似的 ENA 通量 — 因此，这不再是气泡状日光层的有力论据。
在有限温度和密度下的高阶重子数敏感性的全息研究
BARYON数量波动的累积物是在有限密度下实验探索QCD相图的良好探针，从而产生与可能的临界端点（CEP）相关的特征波动模式。我们使用全息QCD模型来计算有限温度和重型化学电位的高阶重子数敏感性，以解决强耦合QCD物质的非扰动方面。该模型可以在定量水平上准确面对晶格QCD数据，并且发现CEP的位置落在即将进行的实验测量的范围内。计算到第十二阶的重子数敏感性，并沿化学冷冻线检查了这些敏感性不同比率的碰撞能量依赖性。全息结果显示与实验数据的定量一致性，功能重新归一化组导致较大的碰撞能量范围，所有比率均显示出峰值结构约为5-10 GEV。我们的全息结果与实验数据之间的不匹配是由于非平衡效应和复杂的实验环境所致。未来通过低碰撞能量范围内测量的实验√sN≈1-10GEV和降低的实验不确定性可能会揭示更多的非单调行为信号，这些信号可用于定位CEP。
以电子质子氦仪器为例的空间天气辐射仪器
SEP 能量从超热能（几千电子伏）到相对论能（质子和离子为几千兆电子伏）对空间环境表征具有重要影响。它们与太阳耀斑和 CME 驱动的冲击波一起从太阳发射。SEP 事件构成严重的辐射危害，对依赖航天器的现代技术以及太空中的人类构成威胁。此外，它们还对航空电子设备和商业航空构成威胁。因此，必须制定缓解程序。HESPERIA H2020 EU 项目开发了新型 SEP 事件预测工具，并高度依赖于这些工具来缓解 SEP 事件。这些预测工具以及针对它们所预测事件的科学研究自然存在一些共同的局限性，例如基础数据的可用性和质量。可以说，空间天气应用最重要的数据源之一是 1995 年发射的 NASA/ESA SOHO，它自 1996 年以来一直绕拉格朗日点 L1 运行。该航天器的科学有效载荷由几台远程和现场仪器组成，包括 EPHIN，这是一台视场约为 83 的粒子望远镜，几何因子为 5.1 cm2sr，可测量能量在 0.25 至 10.4 MeV 之间的电子以及能量范围在 4.3 至 53 MeV/核子以上的质子和氦
材料中的低能康普顿散射
在过去的十年中，在暗物质（DM）直接检测实验中取得了巨大进展。尽管现在有几个直接检测实验通过与电子的相互作用来搜索具有子GEV质量的DM（例如[1]及其参考），该质量区域仍有待充分探索。直接检测搜索DM的关键要素是对背景的详细理解。理解位于1 - 50 eV能量范围的背景尤其重要，因为相关的能量转移在亚GEV DM粒子和电子之间的碰撞中，例如，半导体通常是几个EV，很快就会迅速衰减以获得更高的能量[2]。康普顿散射探测器电子的环境光子可以产生低能电离事件，因此构成了搜索子GEV DM的实验中的重要背景。因此，必须对康普顿散射横截面和频谱进行可靠的计算，直到实验探测的最低能量。低能量处的差异康普顿散射横截面是使用相对论脉冲近似（RIA）计算的。RIA在许多计算软件程序中实施，包括GEANT4 [3-5]。FEFF计划[6-9]对RIA进行了改进，并在参考文献中发现。[10]比RIA更好地同意
平面射频磁控等离子体中的电子动力学：I.霍尔加热机制和µ模式
摘要 研究了低压射频 (RF) 驱动磁增强电容耦合等离子体中的电子动力学和功率吸收机制。重点研究的装置是一个几何不对称的圆柱形磁控管，轴向具有径向不均匀的磁场，径向具有电场。使用冷等离子体模型和单粒子形式对动力学进行分析研究，并使用内部能量和电荷守恒粒子室内/蒙特卡罗碰撞代码 ECCOPIC1S-M 对动力学进行数值研究。发现动力学与未磁化的参考放电有显著不同。在通电电极前方的磁化区域中，在鞘层膨胀期间会产生增强电场，在鞘层塌陷期间会产生反向电场。这两个场都是确保放电维持电子传输以抵抗磁场限制效应所必需的。相应的方位 E × B 漂移可以将电子加速到非弹性能量范围，从而产生一种新的射频功率耗散机制。它与霍尔电流有关，性质上不同于欧姆加热，以前的文献中将其归类为欧姆加热。这种新的加热方式有望在许多磁化电容耦合放电中占主导地位。建议将其称为“µ 模式”，以将其与其他加热模式区分开来。
研究温度对MGSE结构的影响...
在这项研究中，我们使用电化学沉积技术来合成MGSE材料。硝酸镁六水合物（MG（NO 3）2 .6H 2 O）和硒（IV）氧化物（SEO 2）是电化学浴系统的一部分。在2θ角，MGSE材料显示的衍射角为15.669 o。在2θ= 15.669 O，16.452 O，17.426 O，23.489 O和27.592 O时衍射峰分别与002、100、100、100、111、112、112和212的MGSE材料的衍射平面相对应。膜厚度从112.81降低到104.42 nm，MGSE的前体温度升高。随着膜的电导率从1.01增加到1.17 s/m，电阻率从98.09降低到85.42 ohm/cm。在紫外线范围内，膜显示出较高的透射率，超过70％。在50 O C下进行沉积的膜表现出最高的透射率，平均在可见和近红外光谱中为72％。每个沉积膜的反射值超过15％。沉积的膜的能量带隙范围为1.75至2.56 eV。随着温度的升高，能带隙也增加。这项研究中发现的带隙能量范围非常适合在1.75 eV上方吸收太阳能辐射，这是太阳能电池吸收层的理想选择。简介
通过量子MA
我们研究了由金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）在蓝宝石上生长的Znga 2 o 4纤维的电和光学性能，并在融合二氧化硅上通过脉冲激光沉积（PLD）生长的半绝制纤维。在700℃下形成的气体退火后，MOCVDFILM高度传导，室温载体浓度为2 10 20 cm 3，迁移率为20 cm 2 /v s，直接带茎gap吸收在3.65 eV和4.60 eV和4.60 eV中。在相同的退火条件下，PLD纤维是半绝制的，在5.25 eV时具有直接的带隙吸收。声子结构对于电气传导以及超导性和其他量子现象很重要，由于晶胞中的原子数量大量（以及声子分支）非常复杂。然而，我们表明，可以通过基于量子的磁磁性贡献的声子在温度跨度T¼10-200k的情况下直接测量。约10至90 MeV，与密度功能理论计算得出的Znga 2 O 4状态密度（在0 K）的能量范围一致。然后可以通过l tot1¼lii1ÞlpH 1对总测量的迁移率进行建模，其中l ii是由于电离脉冲散射引起的迁移率。具有高带隙，控制电导率，高击穿电压和散装增长能力，Znga 2 O 4为高功率电子和紫外检测器提供了机会。