机构名称：
¥ 1.0
在过去的十年中，在暗物质（DM）直接检测实验中取得了巨大进展。尽管现在有几个直接检测实验通过与电子的相互作用来搜索具有子GEV质量的DM（例如[1]及其参考），该质量区域仍有待充分探索。直接检测搜索DM的关键要素是对背景的详细理解。理解位于1 - 50 eV能量范围的背景尤其重要，因为相关的能量转移在亚GEV DM粒子和电子之间的碰撞中，例如，半导体通常是几个EV，很快就会迅速衰减以获得更高的能量[2]。康普顿散射探测器电子的环境光子可以产生低能电离事件，因此构成了搜索子GEV DM的实验中的重要背景。因此，必须对康普顿散射横截面和频谱进行可靠的计算，直到实验探测的最低能量。低能量处的差异康普顿散射横截面是使用相对论脉冲近似（RIA）计算的。RIA在许多计算软件程序中实施，包括GEANT4 [3-5]。FEFF计划[6-9]对RIA进行了改进，并在参考文献中发现。[10]比RIA更好地同意
材料中的低能康普顿散射
主要关键词
相关文件推荐
