机构名称：
¥ 8.0
它的内部结构与其他二极管不同，因为它仅由N型半导体材料组成，而大多数二极管都由P和N掺杂区域组成。因此，它在两个方向上进行进行，并且不能像其他二极管一样整流交替的电流，这就是为什么某些来源不使用二极管术语，而是更喜欢TED的原因。在Gunn二极管中，存在三个区域：每个端子上有两个区域，其中两个区域在它们之间，它们之间有一层薄的n掺杂材料。当将电压施加到设备上时，电梯度将在整个薄层中最大。如果电压增加，则层的电流将首先增加。最终，在较高的场值下，中间层的导电性能发生了变化，增加了电阻率并导致电流下降。这意味着Gunn二极管在其电流 - 电压特性曲线中具有负差分电阻的区域，其中施加电压的增加会导致电流减小。此属性允许其放大，充当射频放大器，或者在偏向DC电压时变得不稳定和振荡。
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