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I. 引言 工业界、研究机构和学术界使用专门的辐照设备对微电子元件进行辐照试验，以研究单粒子效应 (SEE)。具体来说，散裂设备试图重现感兴趣的辐射环境，获得超过数百 MeV 的能量范围。只有大型加速器才能达到如此高的能量，因此全球范围内的可用性有限。在欧洲，用于微电子测试的两种散裂设备是啁啾辐照 (ChipIr) 和欧洲核子研究中心高能加速器混合场 (CHARM)。ChipIr 是英国卢瑟福·阿普尔顿实验室的光束线，它利用 ISIS 加速器的 800 MeV 质子在钨靶上的散裂来产生类似大气的中子束 [1]。 CHARM 是位于瑞士 CERN 的设施，它使用 PS 加速器的 24 GeV 质子作用于铜靶，产生高能强子混合场，主要为中子，但也包括质子、介子和 K 介子 [2]。根据辐射场的性质，ChipIr 主要用于地面或飞行高度测试，而 CHARM 则专用于加速器或太空应用。两者需要进行详细交叉校准的原因
高温沉积硅能谱的研究
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