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将解离能与聚合物蚀刻速率相关联
超越了ohnishi参数：将解离能与聚合物蚀刻相关联Stanfield Youngwon Lee *，Min Kyung Jang，Jae Yun Ahn，Jae Yun Ahn，Jung Jung June Lee和Jin Hong Park Dupont Electronics＆Internalics＆Internalics＆Industrial，20 Samsung 1-Ro 5gil，Hwaseong-si，Gyeeegi-siea，gyeeeegi-do， *stanfield.lee@dupont.com随着光刻图案的大小继续减少，具有快速蚀刻速率和高蚀刻选择性的功能性子层对于维持良好的长宽比和促进成功的模式转移是必要的。因此，预测聚合物蚀刻速率的方法的研究和开发对于设计聚合物在光刻子层中的成功利用至关重要。从这些方法中，OHNISHI参数通常被称为聚合物在某些蚀刻条件下的易于易于。，尽管O.P.值可以是一个强大的预测工具，在某些单体的实现中发现了实际蚀刻率的差异。试图阐明导致这些变化的因素，计算了一系列具有已知蚀刻速率的聚合物的键解离能。与先前引用的研究结合使用，我们的初始发现概述了采用解离能作为OHNISHI参数的替代方案的优势。关键字：ohnishi参数，蚀刻速率，功能性子公司，债券解离能1。引言随着光刻术继续向较低波长的能源过渡，以满足对较小模式大小的需求[1-3]，因此新的材料设计正在不断变化，以满足每一代的需求。然而，尽管每一代人的逝世经常导致不同的子层要求，但某些关键参数仍然坚定不移。其中一种是具有相对更快的蚀刻速率或更高蚀刻性的材料，而蚀刻性的选择性比构成光蛋白天（PR）层的材料。可以提出，随着光刻堆栈的大小不断缩小[4]，蚀刻率不再是主要因素。的确，对有机单层的研究[5-10]，薄无机子层[11-13]，甚至没有有机子层[14]的研究。然而，诸如涂层均匀性，差的模式转移和粘附等问题以及有机抵抗和底层之间的兼容性问题阻碍了这些方法的广泛应用[15,16]。
隧道的各种金属尖端的系统电化学蚀刻
a）应向信件解决的作者：jianwangphysics@pku.edu.cn抽象硬点接触光谱和扫描探针显微镜/光谱是研究具有强大可扩展性的材料的强大技术。为了支持这些研究，需要具有各种物理和化学特性的技巧。为了确保实验结果的可重复性，应标准化尖端的制造，并应设置可控且方便的系统。在这里，提出了一种用于制造各种技巧的系统方法，涉及电化学蚀刻反应。反应参数分为四类：解决方案，电源，浸入深度和中断。设计和构建了蚀刻系统，以便可以准确控制这些参数。使用该系统，探索和标准化了铜，银，金，铂/虹膜合金，钨，铅，铅，铁，铁，镍，钴和薄金的蚀刻参数。在这些技巧中，探索并标准化了白银和尼伯族的新食谱。进行光学和扫描电子显微镜，以表征尖锐的针头。用蚀刻的银色尖端进行了相关的点接触实验，以确认被制成尖端的适用性。I.引言是研究超导体的强大工具，点接触光谱（PC）技术已成功地应用于对具有各种特性的材料的研究。1-8在实验中，PC被归类为软点接触和硬点接触。7-13前者通常使用银色涂料形成点接触。硬点接触中的技巧用法使PC具有更多的可能性。传统上，通过PCS，可以方便地测量超导体的超导差距和配对对称性，以及通过PCS进行的有关准二粒激发（例如镁质和声子）的能量信息。1-5近年来，在硬点接触实验中发现了尖端诱导的或增强的超导性，其机制归因于局部掺杂效应，局部高压效应和对边界的界面效应。
印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介
AlN 和 AlScN 薄膜 ICP 蚀刻微
随着对电子设备成本更低、性能更好、尺寸更小、可持续性更强的需求，微机电系统 (MEMS) 换能器成为受益于小型化的主要下一代技术候选之一 [1-3]。压电 MEMS 谐振器具有高品质因数和大机电耦合度，是射频 (RF) 系统中很有前途的产品 [4-8]。压电 MEMS 谐振器的主要材料是氮化铝 (AlN)、压电陶瓷 (PZT)、氧化锌 (ZnO) 和铌酸锂 (LN) [9-13]。近年来，掺杂 AlN 薄膜，尤其是氮化铝钪 (AlScN)，因其能提高 d 33 和 d 31 压电系数而备受研究 [14]。基于AlN和AlScN薄膜的压电MEMS谐振器凭借单片集成度高、性能优越等特点，受到越来越多的关注。MEMS谐振器种类繁多，如表面声波（SAW）谐振器[15，16]、薄膜体声波谐振器（FBAR）[17-19]。但SAW器件与CMOS工艺不兼容，FBAR的频率主要取决于压电层厚度，因此很难在一个芯片上实现多个工作频率或宽频率可调性。另一方面，基于AlN和AlScN的轮廓模式谐振器（CMR）与CMOS工艺兼容[20-24]。同时，工作频率和谐振频率与CMOS工艺兼容，而基于CMR的器件的工作频率和谐振频率与CMOS工艺不兼容。
离子束蚀刻 Scia Systems Coat 200
离子束蚀刻 (IBE) 通过定向和精确控制的离子能量轰击蚀刻目标，去除材料。IBE 也称为“离子束铣削”。IBE 源从惰性气体（通常是氩气）产生等离子体。一组电偏置网格确定离子束能量和离子束内的离子角发散。离子束撞击基材，通过物理溅射去除材料。离子束蚀刻具有其他等离子体工艺所不具备的定向灵活性。虽然 IBE 的蚀刻速率通常低于反应离子蚀刻 (RIE)，但 IBE 可为需要精确轮廓控制的应用提供高精度（高各向异性）。此外，离子束蚀刻可用于去除 RIE 可能无法成功的材料。离子束可以蚀刻与 RIE 不兼容的合金和复合材料。离子束蚀刻有许多应用，包括磁传感器的纳米加工、MEMS 设备以及表面声波 (SAW) 和体声波 (BAW) 滤波器的修整。一种较新的应用是制造高性能非易失性存储器，特别是“自旋转移扭矩” MRAM（磁阻随机存取存储器）。
通过离子能量控制低温等离子蚀刻...
图 3.8. 计算漫反射角的说明。a) 粒子的漫反射将具有相对于表面法线的朗伯分布。b) 通过将表面法线假设为从笛卡尔 z 轴旋转的 Z 轴和在 XY 和 xy 车道交叉线上重叠的旋转 X 轴，只需要两个欧拉角。c) 利用欧拉角，将漫反射计算回主坐标系。d) 最终的粒子反射是镜面反射和漫反射的总和。................................................ 70
底切蚀刻 - 康奈尔纳米级设施
本文报告了基于氮化铝（ALSCN）的设计，制造和实验验证，基于下一代内在计算机中的多重元素（MAC）操作。女性乘数利用ALSCN中的铁电偏振开关改变了压电系数（D 31），促进了神经网络中的权重的非挥发性，模拟记忆存储。然后，使用膜的压电参数来更改电容差距进行读数。在100V V P（5MV/cm）的电压下，铁电薄膜可以部分极化，并达到216 µC/cm 2的峰值残余极化。对光学测量位移的实验结果证实了ALSCN Unimorph乘数的操作。最大共振模式位移线性取决于极化和输入电压。这项工作为在内存计算中利用ALSCN的利用提供了基本见解，开放了用于高速，低功率和高精度计算应用程序的新途径。
开发等离子蚀刻过程到模式子...
将基于多甲基丙烯酸酯/多甲基丙烯酸酯（PS/ PMMA）块共聚物组成的自组装形成的纳米骨的最佳策略投资到硅底物中。作者表明，特定问题与通过自组装获得的PS面膜的等离子体蚀刻有关。的确，由于亚15 nm接触孔的纳米尺寸及其固有的高纵横比（> 5），因此必须重新审视微电子工业中通常用于蚀刻SIO 2和硅的等离子体蚀刻过程。特别是，蚀刻各向异性依赖于特征侧壁上钝化层的形成的过程不适合纳米尺寸，因为这些层倾向于填充导致蚀刻停止问题的孔。同时，与在高方面比率纳米骨中克服差分充电效应的典型过程相比，必须增加离子轰击能。然而，通过将适当的过程（例如同步的脉冲等离子体）进行开发，作者表明，通过使用块共聚物和硬面膜策略，可以将70nm深的孔深孔进入硅。这些实验产生的另一个有趣的观察结果是，对于亚15 nm孔，几个nm的临界维度（CD）缩合会导致强大比率依赖性蚀刻速率。此外，在每个等离子体步骤之后，对孔的CD的分散体进行了仔细的分析表明，CD控制远非令人满意的高级CMOS技术要求。v C 2014美国真空学会。[http://dx.doi.org/10.1116/1.4895334]关键问题来自从PS/PMMA矩阵中的未完成的PMMA在我们的自组装过程中的去除：可变量的PMMA保留在PS孔中，从而导致蚀刻步骤中的微功能效应，从而产生CD控制损失。也许可以通过将紫外线释放酸处理与乙酸处理相结合，以在等离子体蚀刻之前提供不含PMMA残基的PS膜，以解决此问题。
反应性离子和原子层蚀刻的损伤分析...
在当前的MSC论文中，使用具有Cl 2 /ar +过程的常规RIE和具有相同蚀刻化学的新开发的啤酒对Si（100）中的辐射损伤进行了比较研究。然后通过开尔文力探针显微镜（KFPM）测量接触电势差（CPD）分析的表面损伤。这些实验的结果表明，由于CPD的值和蚀刻表面的工作函数远低于ALE样品的值，因此RIE过程造成的损害很高。根据接近原始Si的CPD值，啤酒过程显示在蚀刻的Si样品上几乎最小损伤形成（100）。最后，该项目为与本研究所使用的不同条件下进一步研究啤酒损害打开了大门，因为它对纳米制作和半导体行业的重要性。