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超越了ohnishi参数：将解离能与聚合物蚀刻相关联Stanfield Youngwon Lee *，Min Kyung Jang，Jae Yun Ahn，Jae Yun Ahn，Jung Jung June Lee和Jin Hong Park Dupont Electronics＆Internalics＆Internalics＆Industrial，20 Samsung 1-Ro 5gil，Hwaseong-si，Gyeeegi-siea，gyeeeegi-do， *stanfield.lee@dupont.com随着光刻图案的大小继续减少，具有快速蚀刻速率和高蚀刻选择性的功能性子层对于维持良好的长宽比和促进成功的模式转移是必要的。因此，预测聚合物蚀刻速率的方法的研究和开发对于设计聚合物在光刻子层中的成功利用至关重要。从这些方法中，OHNISHI参数通常被称为聚合物在某些蚀刻条件下的易于易于。，尽管O.P.值可以是一个强大的预测工具，在某些单体的实现中发现了实际蚀刻率的差异。试图阐明导致这些变化的因素，计算了一系列具有已知蚀刻速率的聚合物的键解离能。与先前引用的研究结合使用，我们的初始发现概述了采用解离能作为OHNISHI参数的替代方案的优势。关键字：ohnishi参数，蚀刻速率，功能性子公司，债券解离能1。引言随着光刻术继续向较低波长的能源过渡，以满足对较小模式大小的需求[1-3]，因此新的材料设计正在不断变化，以满足每一代的需求。然而，尽管每一代人的逝世经常导致不同的子层要求，但某些关键参数仍然坚定不移。其中一种是具有相对更快的蚀刻速率或更高蚀刻性的材料，而蚀刻性的选择性比构成光蛋白天（PR）层的材料。可以提出，随着光刻堆栈的大小不断缩小[4]，蚀刻率不再是主要因素。的确，对有机单层的研究[5-10]，薄无机子层[11-13]，甚至没有有机子层[14]的研究。然而，诸如涂层均匀性，差的模式转移和粘附等问题以及有机抵抗和底层之间的兼容性问题阻碍了这些方法的广泛应用[15,16]。
将解离能与聚合物蚀刻速率相关联
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