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![b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
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b“ mxene具有通用式M 1.33 ct z的 b”。[6] [6]这些mxenes源自平面内有序的Quaternary 211最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x80 \ x9c 0.66）Alc。 m \ xe2 \ x80 \ x9d被蚀刻了，现在将2D纸带到平面内有序的分区。在三种电极构型中（例如，在21 m kch 3 COO中至1.6 V与AgCl [8]），更多的工作集中在基于MXENE的自由膜上，以实现高体积电容（C V），因为它们的高度密度和固定材料的速度，Ontivive of Bindistive of Bindistive oterive otericive oteric oder coldice oteric，选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。 [5d，10]然而，与中性水晶相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“ 神经形态感知的有机电化学神经元 在学校环境中实施数字技术 性别表达睾丸激素治疗期间的免疫系统适应 运营大众乘客渡轮MF Estelle 离网小房屋 b''
b“ Mxene具有通用公式M 1.33 CT Z的MXENE于2017年首次报道。[6]这些mxenes来自平面内排序的第四纪最大相位，其公式为（m'1.33 m \ xe2 \ x80 \ x9c 0.66）alc。蚀刻后，蚀刻了Al层和少数过渡金属M \ Xe2 \ X80 \ X9D，将其留下了平面内有序的分区的2D纸。By now MXenes are well recognized as performing well as negative electrodes in AASCs, [5a\xe2\x80\x93c,7] because of their high conductivity, excellent hydrophilicity, great tolerance to accom- modate various ions and negative operation potential window in three electrode configurations (e.g., to 1.6 V vs. Ag/AgCl in 21 M KCH 3 COO [8] ).最近，由于其高密度和无效材料的避免，诸如粘合剂，导电剂等，更多的工作集中在基于MXENE的自由层膜上，以实现SCS中的高体积电容（C V）。[9]在先前的报告中，硫酸（H 2 SO 4）一直是选择的电解质。细胞通常达到C S> 300 F G 1或> 1500 F CM 3的高值。[5d，10]但是，与中性水解物相比，H 2 SO 4既安全也不是绿色。进一步的问题是，i）风险“
四氯化硅中钽的反应离子蚀刻
金属结构的精确图案化在可行的金属基器件的开发中起着至关重要的作用。通过研究适当蚀刻材料层的蚀刻条件，可以进一步优化和控制蚀刻过程。这项工作报告了使用四氯化硅 (SiCl 4 )/氩 (Ar) 等离子体对钽 (Ta) 微米膜进行反应离子蚀刻 (RIE)。研究了蚀刻特性与 SiCl 4 /Ar 比率、等离子体功率和腔室压力的关系。结果发现，增加 SiCl 4 的流速或等离子体功率会导致蚀刻速率增加。此外，观察结果表明，将 Ar 的流速增加到 30 sccm 以上和将等离子体压力增加到 100 mTorr 以上是无效的。此处实施的工作代表着开发可用于广泛设备的钽基结构的重要一步。
低偏压六氟化硫等离子体蚀刻硅的现象学建模
使用六氟化硫 (SF 6 ) 等离子体对硅 (Si ) 进行低偏压蚀刻是制造电子设备和微机电系统 (MEMS) 的宝贵工具。这种蚀刻提供了几乎各向同性的蚀刻行为，因为低电压偏置不会为离子提供足够的垂直加速度和动能。由于这种近乎各向同性的行为，上述等离子体蚀刻可作为湿法蚀刻的替代方案，例如在 MEMS 和光学应用中，因为它提供了更清洁、更精确的可控工艺。然而，各向同性的程度以及最终的表面轮廓仍然难以控制。在这项工作中，我们将三维特征尺度地形模拟应用于 Si 中的低偏压 SF 6 蚀刻实验，以帮助工艺开发并研究控制最终表面几何形状的物理蚀刻机制。我们通过准确再现三个不同的实验数据集并详细讨论地形模拟中涉及的现象学模型参数的含义来实现这一点。我们表明，与传统的严格各向同性和自下而上的方法相比，我们的现象学自上而下的通量计算方法更准确地再现了实验结果。反应堆负载效应被视为模型蚀刻速率的普遍降低，这通过比较不同负载状态下模拟的蚀刻深度与实验确定的蚀刻深度得到支持。我们的模型还能够使用给定反应堆配置的单个参数集，准确地再现不同掩模开口和蚀刻时间的报告沟槽几何形状。因此，我们提出模型参数，特别是平均有效粘附系数，可以作为反应堆配置的代理。我们提供了一个经验关系，将反应堆配方的平均粘附系数与可测量的蚀刻几何各向同性程度联系起来。这种经验关系可以在实践中用于 (i) 估计独立实验的平均有效粘附系数和 (ii) 微调蚀刻几何形状。
Bosch 工艺中 Al2O3 硬掩模的蚀刻机理
通过 Bosch 工艺在硅中蚀刻高深宽比结构对于微机电系统 (MEMS) 和硅通孔 (TSV) 制造等现代技术至关重要。由于蚀刻时间长，该工艺对掩模选择性的要求非常高，并且事实证明 Al 2 O 3 硬掩模在这方面非常合适，因为与传统的 SiO 2 或抗蚀剂掩模相比，它提供了高得多的选择性。在这项工作中，我们结合使用扫描电子显微镜 (SEM)、光谱椭圆偏振仪 (SE) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖析来仔细研究 Al 2 O 3 掩模蚀刻机理，从而探究超高选择性的来源。我们证明，通过增加钝化步骤时间，在 Al 2 O 3 上会形成更厚的氟碳聚合物层，然后以微小的平均蚀刻速率 ~0.01 nm/min 去除 Al 2 O 3。 XPS 深度剖析显示，在采用 Bosch 工艺进行深反应离子蚀刻 (DRIE) 的过程中，聚合物和 Al 2 O 3 之间会形成一层 AlF x 层。由于 AlF x 不挥发，因此需要溅射才能去除。如果聚合物层足够厚，可以衰减进入的离子，使其能量不足以导致 AlF x 解吸（例如当使用较长的钝化时间时），则掩模不会被侵蚀。通过研究不同次数 DRIE 循环后的表面，我们还获得了有关 AlF x 的形成速率以及 DRIE 工艺过程中 Al 2 O 3 和聚合物厚度变化的信息。这些发现进一步扩展了对 DRIE 的认识，并可帮助工艺工程师相应地调整工艺。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
综述：碳化硅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻
摘要：电感耦合等离子体反应离子刻蚀 (ICP-RIE) 是一种选择性干法刻蚀方法，用于各种半导体器件的制造技术。刻蚀用于形成非平面微结构 - 沟槽或台面结构，以及具有受控角度的倾斜侧壁。ICP-RIE 方法结合了高精加工精度和可重复性，非常适合刻蚀硬质材料，例如 SiC、GaN 或金刚石。本文回顾了碳化硅刻蚀 - 介绍了 ICP-RIE 方法的原理、SiC 刻蚀结果和 ICP-RIE 工艺的不良现象。本文包括 SEM 照片和从不同的 ICP-RIE 工艺获得的实验结果。首次报道了向 SF 6 等离子体中添加 O 2 以及 RIE 和 ICP 功率的变化对工艺中使用的 Cr 掩模的刻蚀速率和 SiC/Cr 刻蚀选择性的影响。 SiC 是一种极具吸引力的半导体，具有许多优异的性能，通过亚微米半导体加工技术的进步可以带来巨大的潜在利益。最近，人们对 SiC 产生了浓厚的兴趣，因为它在电力电子领域具有广泛的应用潜力，特别是在汽车、可再生能源和铁路运输领域。
基于凹的微型阵列阵列制造技术，带有添加的预流湿蚀刻和退火
摘要：基于依赖的微型倒数阵列，除其他外，用于红外光估算器和焦平面阵列的键合。在本文中，研究了具有光滑表面形态的微米大小凹凸的制造技术的几个方面。已优化了乳化剂的热蒸发，以实现〜8 µm厚的层，其表面粗糙度为r a = 11 nm，表明原子的堆积密度很高。这确保了整个样品的凸起均匀性，并防止在重新流之前的列内氧化。描述了一系列优化优化inimumbump制造技术的实验，包括单列的剪切测试。在10％HCl溶液中预蚀刻im缩柱之前，开发了一种可靠，可重复，简单和快速的方法。
印刷电路板孔表面的调理和蚀刻
莫斯科，俄罗斯联邦 电子邮件：mariya.solopchuk.96@mail.ru，bardinaoi@yandex.ru，ngrigoryan@muctr.ru。摘要：这项工作致力于研究印刷电路板 (PCB) 孔化学镀铜之前的清洁调节和微蚀刻阶段的溶液。结果表明，在调节溶液中存在季胺的情况下，PCB 孔的带负电的初始表面会重新带电。这显然促进了随后带负电的钯活化剂胶体颗粒在 PCB 孔中的静电吸附。结果表明，微蚀刻溶液中铜离子的存在会导致表面粗糙度增加，这有助于提高所得金属层与电介质的粘附强度。关键词：印刷电路板、印刷电路板通孔、化学镀铜、通孔金属化、介电表面处理、表面充电、微蚀刻、清洁调节。1. 简介
蚀刻的离子轨膜作为li – S电池中量身定制的分离器
抽象锂 - 硫（Li - S）电池被认为是锂离子电池的有希望的下一代替代品，由于其高能量密度，用于储能系统。然而，尚未解决的几个挑战，例如导致电池自放电的多氧化还原航天飞机。在本文中，我们探讨了聚合物蚀刻离子轨膜作为LI - S电池中的分离器的使用，以减轻氧化还原班车的效果。与商业分离器相比，它们的独特优势在于它们非常狭窄的孔径分布，并且有可能以独立的方式量身定制和优化纳米孔的密度，几何形状和直径。直径在22到198 nm之间的各种聚对邻苯二甲酸酯膜，并且成功地整合到Li - S Coin细胞中。据报道的库仑效率高达97％，容量较小，为使用量身定制的膜在Li - S电池中的多氧化氧化还原航天飞机开辟了一条途径。
使用残余气体分析仪进行 NF3 和 F3NO 等离子体的氧化硅蚀刻工艺
摘要：NF 3 的使用量每年都在显著增加。然而，NF 3 是一种温室气体，具有极高的全球变暖潜能值。因此，开发一种替代 NF 3 的材料是必需的。F 3 NO 被认为是 NF 3 的潜在替代品。在本研究中，研究了替代温室气体 NF 3 的 F 3 NO 等离子体的特性和清洁性能。对 SiO 2 薄膜进行了蚀刻，分析了两种气体（即 NF 3 和 F 3 NO）等离子体的直流偏移，并进行了残留气体分析。基于分析结果，研究了 F 3 NO 等离子体的特性，并比较了 NF 3 和 F 3 NO 等离子体的 SiO 2 蚀刻速率。结果表明，两种气体的蚀刻速率平均相差 95%，从而证明了 F 3 NO 等离子体的清洁性能，并证实了用 F 3 NO 替代 NF 3 的潜在益处。