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在临界厚度的超薄金属膜中的电阻率缩放率转变及其对透明导体应用的影响
这是被接受出版的作者手稿，并且已经进行了完整的同行评审，但尚未通过复制，排版，分页和校对过程，这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi：10.1002/aelm.202100970。本文受版权保护。保留所有权利。
无线洞察认知健康：阿尔茨海默氏症通过超薄可穿戴天线的检测的范式转移
1阿拉伯联合酋长国扎耶德大学技术创新学院2号电气工程系，萨特国王大学，利雅得国王大学，沙特阿拉伯11451，沙特阿拉伯3 3号电子和通信工程系运输，开罗，开罗11799，埃及5沃尔夫森磁化中心，加定大学的加定大学工程学院，CF10 3AT CADCIFF，英国6，英国6号电子和通信工程系，阿拉伯科学，技术与海上交通学院，CAIRO 451913，CAIRO 451913，埃及7部埃及8高级工程技术学院，El-Tagmoe El-Khames，新开罗市11765，埃及
在临界厚度的超薄金属膜中的电阻率缩放率转变及其对透明导体应用的影响
这是被接受出版的作者手稿，并且已经进行了完整的同行评审，但尚未通过复制，排版，分页和校对过程，这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi：10.1002/aelm.202100970。本文受版权保护。保留所有权利。
以液态铜（I）酰胺前驱体为原料，原子层沉积超薄铜金属膜
我们报道了一种通过原子层沉积 ALD 在长宽比超过 35:1 的非常窄的孔内共形生产薄的、完全连续且高导电性的铜膜的方法。纯铜薄膜由新型铜 I 脒基前体、铜 IN、N -二仲丁基乙脒和分子氢作为还原剂生长。该铜前体在汽化过程中为液态，因为其熔点 77°C 低于其汽化温度 90-120°C 。因此，前体蒸汽的传输非常可重复且可控。碳和氧杂质低于 1 原子%。每个循环的生长在 SiO 2 或 Si 3 N 4 表面上为 1.5-2 Å/循环，但在金属 Ru、Cu 和 Co 表面上仅为 0.1-0.5 Å/循环。在氧化物表面，铜原子形成孤立的铜晶体，经过更多沉积循环后合并为粗糙的多晶膜。在 Ru 和 Co 金属表面上，ALD Cu 密集成核，形成光滑且附着力强的薄膜，即使对于薄至 4 个原子层的薄膜，这些薄膜也是连续的。在 2 nm Ru 基底上沉积 4 nm Cu 时，薄层电阻低于 50 / ，这足以制作用于电镀 Cu 互连线的种子层。© 2006 电化学学会。DOI：10.1149/1.2338632 保留所有权利。
Wen Liao，博士 制造和创新 多样性，公平包容策略
在上法学院之前，Wen获得了博士学位。德克萨斯大学奥斯汀分校的化学工程专业，她的研究重点是推进电子设备中的纳米技术和半导体。她的论文“控制化学蒸气沉积中超薄氟芬膜的成核和生长”，涉及开发用于超薄和光滑扩散屏障的沉积方法，以防止铜扩散并减少电子散射。她还具有聚合物合成的经验，并定向块共聚物，可以在当前纳米光刻工具的分辨率限制之外创建化学图案表面。
