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钙钛矿太阳能电池的超薄等离子体聚合物钝化可提高稳定性和可重复性
在人类活动导致的气候危机背景下[1,2]，由于基于混合金属卤化物钙钛矿材料的太阳能装置的发展，光伏领域在过去几年中取得了迅速发展。 [3] 目前，这些装置的效率已经与商业硅电池相媲美。 [4] 迄今为止，最高效的钙钛矿太阳能电池 (PSC) 是通过使用介孔 TiO 2 (m-TiO 2) 作为电子传输层 (ETL) 的介观结构实现的。介孔支架通常掺杂吸湿化合物如锂盐以增强其电子迁移率。 [5–8] 虽然锂处理提高了钙钛矿装置的性能，因为它主要提高了电池的开路电压和填充因子，但它也导致太阳能装置对环境湿度的不稳定性更大，以及其光伏参数的低可重复性。 [9,10] 事实上，目前 PSC 实际应用面临的一些最重要瓶颈与创纪录的效率无关，而是与以下两个方面有关：1) 缺乏可重复的制造方法；2) 在实际室外条件下（湿度、紫外线照射、温度等）固有的低稳定性。在第一种情况下，PSC 的效率分散性在更受认可的实验室中并不狭窄，正如 Saliba 等人 [9] Jimenez-López 等人 [11] Qiu 等人 [12] 等许多学者在该主题的参考文章中对此进行了彻底讨论。其次，PSC 对环境条件的敏感性，尤其是钙钛矿材料，要求使用干气氛手套箱，这阻碍了这些太阳能装置的大规模生产。 [13–18] 在此背景下，许多研究人员致力于寻找钝化材料来修改中间层，这些材料不会损害器件的性能，但可以提高器件的稳定性。到目前为止，用于钝化界面的材料包括二维钙钛矿、金属氧化物化合物或绝缘有机材料。这些报道的方法通常使用溶液法，然而，尚未探索可扩展到工业制造的替代真空工艺。[19–21]
表征超薄原子层中沉积的氧化物半导体MOS电容器中的界面和块状陷阱，< /div> < /div>
氧化物半导体吸引了对互补金属 - 氧化金属 - 半导体（CMOS）后端（BEOL）兼容设备的兴趣，用于整体3维（3D）集成。要获得高质量的氧化物/半导体界面和大量半导体，至关重要的是增强氧化物半导体晶体管的性能。原子层沉积（ALD）氧化二颗粒（在2 O 3中）的性能卓越，例如高驱动电流，高迁移率，陡峭的亚阈值斜坡和超薄通道。在这项工作中，使用C – V和电导方法系统地研究了ALD的MOS栅极堆栈中ALD的MOS栅极堆栈中的界面和块状陷阱。直接从C – V测量中的累积电容直接实现了0.93 nm的低EOT，表明高质量的门氧化物和氧化物/半导体界面。在2 O 3中的批量缺陷确定了子量的能级，可以通过TCAD模拟C – V和G - V特性来负责G p /ω与ω曲线的电导峰值。从C - V测量中提取1×10 20 /cm 3的高N型掺杂。使用电导法实现了3.3×10 cm-3 ev-1的状态（DOS）的高尺寸（DOS），这有助于高N型掺杂和高电子密度。高N型掺杂进一步确定通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带中深入对齐。
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
超薄金属纳米腔中等离子体诱导的光学磁性
摘要最近，由于在光学超材料，超敏感的等离激元纳米量学学，增强的非线性谐波产生等方面的吸引人的应用，血浆诱导的光学磁化吸引了人们对纳米光子学和等离子间学的研究兴趣。据我们所知，在这里，我们在实验和理论上首次观察到在超薄等离子体型纳米腔内的平面内磁性偶极共振，由二氧化硅涂层的金纳米球二聚体组成，并偶联到金薄膜。结合了多极膨胀和全波数值模拟，我们揭示了磁共振是由围绕球体二聚体和金膜包含的纳米厚的三角形区域循环的位移电流环引起的，从而导致腔隙间隙中的磁场强度极大地增强了磁场强度。在单粒子水平上使用极化分辨的深色场成像和光谱法，我们明确地“可视化”了诱导磁性模式的光谱响应和辐射极化，其特征与电偶极共振截然不同。我们进一步发现，磁共振频率高度取决于腔间隙厚度和纳米圈尺寸，从而可以直接从可见光到近红外区域进行简单的谐振调整，从而为磁共振增强的新途径增强了非线性光学光学和手性光学。
了解界面激基复合物内未掺杂超薄发光纳米层的结构和能量传递过程
有机发光二极管 (OLED) 具有高效率、低功耗和灵活性等突出优势，在显示、照明和近红外 (NIR) 应用方面有着巨大的潜力。最近发现，超薄发光纳米层技术在通过非掺杂制备工艺简化结构的 OLED 中起着关键作用，而激基复合物形成主体可以提高 OLED 的效率和稳定性。然而，超薄发光纳米层在界面激基复合物内能量传递过程的基本结构和机理仍不清楚。因此，迫切需要探索超薄发光纳米层的起源及其在激基复合物内的能量过程。本文对超薄发光纳米层（ < 1 nm）的薄膜生长机理及其在界面激基复合物内的能量传递过程进行了综述和研究。 UEML磷光染料在决定激基复合物和非激基复合物界面之间激子的寿命方面起着关键作用。TCTA和Bphen之间的激基复合物比TCTA和TAPC之间的非激基复合物具有更长的寿命衰减，有利于激子的收集。该发现不仅有利于OLED的进一步发展，也有利于其他相关的有机光电技术。
通过气相-液相-固相联合生长和边缘附着制备独立的大型超薄硒化锗范德华带
在 IV 族单硫族化物中，层状 GeSe 因其各向异性、1.3 eV 直接带隙、铁电性、高迁移率和出色的环境稳定性而备受关注。电子、光电子和光伏应用依赖于合成方法的开发，这些方法可以产生大量具有可控尺寸和厚度的晶体薄片。在这里，我们展示了在低热预算下，在不同基底上通过金催化剂通过气相-液相-固相工艺生长单晶 GeSe 纳米带。纳米带结晶为层状结构，带轴沿着范德华层的扶手椅方向。纳米带的形态由催化剂驱动的快速纵向生长决定，同时通过边缘特定结合到基面而进行横向扩展。这种组合生长机制能够实现温度控制的纳米带，其典型宽度高达 30 μm，长度超过 100 μm，同时保持厚度低于 50 nm。单个 GeSe 纳米带的纳米级阴极发光光谱表明，在室温下具有强烈的温度依赖性带边发射，其基本带隙和温度系数分别为 E g (0) = 1.29 eV 和 α = 3.0×10 -4 eV/K，证明了高质量 GeSe 和低浓度的非辐射复合中心，有望用于包括光发射器、光电探测器和太阳能电池在内的光电应用。
石墨烯超薄鼓高效蜂窝吸声体
原子级厚度的石墨烯片本质上具有无与伦比的面内刚度，但在机械驱动下会表现出较大的面外变形，[1,2] 从而表现出丰富迷人的振动特性，可在纳米机械装置中实现重要的新兴应用，例如超灵敏质量传感器[3–5]、宽带扬声器[6]和振荡器[7]。超薄石墨烯片有望成为制造效率极高的良好吸声器的理想候选材料。原则上，石墨烯的强谐振效应可以有效地耗散声音振动并减缓其传播，特别是对于低频声音。为了实现高吸声效果，膜的受迫谐振已用于超薄超表面谐振器[8–10]、装饰膜谐振器[11,12]、超材料[13,14]和微穿孔板。 [15–18] 该机制正在取代传统材料孔隙中摩擦阻尼和波速的线性响应，[11] 克服受限的低频声衰减。 对于厚度限制，具有非线性阻尼行为的石墨烯薄片 [19] 可以合理利用，实现吸声的新突破，以满足人类听力健康、芯片和建筑设计中越来越高的声学防护要求。 [20]
用于电子皮肤应用的超薄纸微型超级电容器
作为候选材料，最近已经开发出采用真空沉积法在柔性基底上制造的电池；然而，使用昂贵的阴极材料、基于物理气相沉积的电解质以及面积有限的制造工艺使装置结构庞大且过于复杂。[9–11] 厚基底会导致有限的灵活性（大弯曲半径）、降低的长期循环性能和高工艺成本，这与皮肤兼容电子产品的要求相矛盾。[6] 由于这些缺点，迫切需要低成本、大面积、高产量的印刷微型超级电容器（μ SC）。这导致了薄的平面装置的发展，它提供高功率密度（快速充电，以秒为单位）和循环能力（超过 10 000 次循环），具有易于制造和可扩展、直接的溶液处理方法的优点。[12,13] 使用不同的印刷方法，由各种碳同素异形体、导电聚合物和 Mxenes 印刷的 μ SC 被制造为电极。 [13–16] 超薄电化学储能装置采用聚酰亚胺 [17]、聚对二甲苯 C [18] 或带有载体支撑的 PET 箔 [19] 等薄基板。与无机类似物相比，导电聚合物通常被认为较差，因为其能量输送适中、化学稳定性高、循环性有限。然而，低成本印刷到柔性基板上或聚合成支架的可能性允许制造具有良好电容循环保持力的多孔电极。[20,21]
联想 Q24i-20 显示器 - 超薄，壮观！
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在临界厚度的超薄金属膜中的电阻率缩放率转变及其对透明导体应用的影响
这是被接受出版的作者手稿，并且已经进行了完整的同行评审，但尚未通过复制，排版，分页和校对过程，这可能会导致此版本和记录版本之间的差异。请引用本文为doi：10.1002/aelm.202100970。本文受版权保护。保留所有权利。