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World File Search System金属层
具有增强的阳离子/阴离子氧化还原的高能量土的阴极，用于可持续和长期的Na -ion电池
为了增加阴极材料的能力，氧阴离子氧化还原反应（ARR）已在基于Li/Na的氧化氧化物中引入，以提供超出常规阳离子氧化还原反应（CRR）的电荷补偿空间。[13–15]然而，高压下晶格O 2-离子的激活通常会导致不可逆的氧气释放，从而加速了结构性重建，并导致了能力和伏特的迅速衰减。[16–18]因此，氧气的电化学实现可逆ARR的利益对于实现高能阴极材料至关重要，这仍然具有挑战性，并且可以重现创新的结构设计。与锂离子系统相比，尤其是与富含Li的配置，似乎在氧气行为上是高度不可逆的，[19]各种Na-ion Sys-tems显示出可逆的ARR，但仅在最初的几个周期中。[11,13,14,16,19-35]这些作品表明了基于ARR的Na-ion电极的有希望的功能，这激发了我们探索优化策略，这些策略可以通过维持ARR的高压操作，同时通过维持其结构稳定性，使其能够实现Na-ion pathode材料的高压操作，同时又可以实现其结构稳定性。mn和fe是地壳中的两个高度丰富的元素，因此高度可取，用于设计笔尖的阴极材料。[41][36]然而，由于1）由于1）无法控制的氧气离子的不可控制的反应途径而在高电压下以Fe/Mn的基于Fe/Mn的阴极材料的速度快速降解和严重的结构转化，2）与Jahn-Teller exterct of Mn 3 + feo 6 + 3 +相关的有害结构性降解途径。 Fe 3 +的NeOS迁移/陷阱迁移到碱金属层中，特别是在高压下循环（> 4.0 V VS Na/Na +），[35,37-40]和4）带有TM层幻灯片的复杂相变。
AI训练AI：使用Chatgpt提高治疗对话系统的准确性 Adres publikacji w repozytorium url/出版地址在存储库中 生物/生态系统中完整纳米颗粒表征的基本和高级光谱方法：当前状态和未来前景 基于tial的金属层用于热喷涂的粉末 使用传感无人机系统的母船机械方面，
摘要：在这项工作中，我们介绍了一种人工智能（AI）应用程序（CHATGPT）来培训另一个基于AI的应用程序。作为后一个，我们显示了一个名为Terabot的对话系统，该系统用于精神病患者的治疗。我们的研究是出于这样一个事实的激励，即对于这种特殊领域的系统，很难获取大量的现实数据样本来增加培训数据库：这需要招募更多的患者，这既耗时又昂贵。为了解决这一差距，我们采用了神经大型语言模型：CHATGPT版本3.5，仅生成用于培训我们的对话系统的数据。在最初的实验中，我们确定了最常见的意图。接下来，我们用一系列提示为Chatgpt提供了喂养，这触发了语言模型，以生成许多其他培训条目，例如，在与健康用户进行初步实验中收集的短语的替代方案。以这种方式，我们将培训数据集扩大了112％。在我们的案例研究中，为了进行测试，我们使用了来自32名精神病患者的2802次语音记录。作为评估指标，我们使用了意图识别的准确性。使用自动语音识别（ASR）将语音样本转换为文本。分析表明，患者的语音对ASR模块的质疑显着，导致语音识别恶化，因此意图识别的精度较低。但是，由于使用ChatGpt生成的数据增加了培训数据，意图识别精度相对增加了13％，总共达到了86％。我们还模拟了无错误的ASR的情况，并显示了ASR错误识别对意图识别准确性的影响。我们的研究展示了使用生成语言模型开发其他基于AI的工具的潜力，例如对话系统。
M2A2：显微镜模块化的ASIC，用于高混合，小体积，异质整合设计
摘要 - 与CMOS过程技术缩放，制造纳米级晶体管，触点和互连的掩模成本变得非常昂贵，特别是对于低容量设计。此外，较高的晶体管密度导致了较高的设计复杂性和大型模具，这导致了设计周期时间的增加和过程产量下降。这些挑战迫使小批量应用特异性集成电路（ASIC）朝着高度次优的可编程栅极阵列（FPGAS）朝向高度的。In this arti- cle, we propose a new approach for designing and fabricating high-mix, low-volume heterogeneously integrated ASICs, referred to as Microscale Modular Assembled ASIC (M2A2), consisting of: 1) pick-and-place assembly of prefabricated blocks (PFBs) which utilizes the nano-precision placement capabilities developed in jet-and-flash imprint lithography （J-FIL）和2）EDA设计方法利用无监督的学习和图形匹配技术。EDA方法论利用现有的CAD工具基础架构，以便于当前的EDA生态系统中采用。所提出的制造技术利用采摘和地组装技术允许PFBS的纳米专业组装。PFB可以用高级过程节点制造，然后在晶圆基板上编织在一起。然后可以在PFB编织层的顶部创建/放置定制设计的低成本后端金属层，以实现各种高混合，低量的ASIC设计。M2A2将通过最佳的PFB选择和编织在前端设计中具有更大的功能。在本文中，基于M2A2的设计的性能与不同的设计技术（例如基线ASIC，FPGA和SASIC）相对，在16 nm，40 nm和130 nm CMOS ProudeS节点上。PNR后模拟结果超过15个IWL基准测试表明，所提出的M2A2设计实现了27。11× - 34。89×降低功率 - 否决产物（PDP），并产生1。69× - 2。与基线ASIC相比， 36倍面积。 M2A2设计达到15％–68.5％36倍面积。M2A2设计达到15％–68.5％
用于脑机接口的人类皮层植入犹他电极阵列的外植体分析
目前正在开发脑机接口，以恢复因受伤或疾病而瘫痪的人的运动能力。虽然治疗潜力巨大，但接口的长期稳定性对于广泛的临床应用至关重要。虽然许多因素都会影响记录和刺激性能，包括电极材料稳定性和宿主组织反应，但这些因素尚未在人体植入物中进行研究。在这项临床研究中，我们试图通过外植体分析来表征材料完整性和生物组织封装，以确定影响电生理性能的因素。我们检查了从参与皮层内 BCI 研究的两名人类参与者身上移植的总共六个犹他阵列。在一名参与者 (P1) 体内植入了两个铂 (Pt) 阵列 980 天，在另一名参与者 (P2) 体内植入了两个 Pt 和两个氧化铱 (IrOx) 阵列 182 天。我们观察到，所有六个阵列的记录质量都呈现出相似的趋势，即在最初 30 – 40 天内峰峰值电压最初增加，随后在 P1 中逐渐下降。使用光学和双光子显微镜，我们观察到在参与者 P1 中植入较长时间的两个阵列的组织包裹程度更高。然后，我们使用扫描电子显微镜和能量色散 X 射线光谱来评估材料退化。发现 Pt 阵列的所有材料退化指标在植入时间较长的参与者中更为明显。两个 IrOx 阵列接受了短暂的调查刺激，其中一个阵列显示大多数受刺激部位的铱丢失。记录性能似乎不受这种铱损失的影响，这表明 IrOx 涂层的附着力可能受到刺激的影响，但金属层直到或之后才脱落阵列移除。总之，植入时间较长的阵列中组织包裹和材料降解更为明显。此外，这些阵列的信号幅度和阻抗也较低。应开发新的生物材料策略，以最大限度地减少纤维包裹并增强材料稳定性，以实现较长植入期内的高质量记录和刺激。
低温加热银介导的 MoS2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过
低温加热银介导的 MoS 2 剥离
进入门槛低。虽然经典的基于胶带的剥离方法易于学习，但在扩展方面受到严重限制。[1,2] 理想情况下，不仅应保持起始晶体的高质量，而且其横向尺寸也应反映在剥离产率中。在这里，金介导的剥离开始大放异彩，[3–8] 其中干净光滑的金表面提供了必要的相互作用，以剥离整个层状材料阵列。[4,5] 所得单层区域主要受母晶区域限制，接近 1 的剥离产率，从而允许大规模单层作用。[3,9–11] 这种相互作用本质上是非共价的，并且高度依赖于金表面的状况，即使是轻微的污染也会降低剥离产率。 [5] 最近，界面应变被认为是金介导剥离成功的另一个关键因素，通过破坏层间堆叠促进单层剥离。[12,13] 如前所述，将金的成功剥离扩展到其他贵金属被证明是困难的。[12] 以 MoS 2 为例，按照纯结合能论证，其他几种贵金属应该能够实现类似的性能。然而，金仍然无人能及，与下一个最佳竞争对手银相差两个数量级。[12] 其他金属（如铂、钯和铜）的表现甚至更差。[12] 这些金属性能不佳的原因是缺乏抗氧化性和金属贵重性降低。[12] 然而，银的表现优于铂和钯，使其成为所述趋势的异常值。这一例外是由于晶格失配导致 MoS 2 /Ag 界面处应变过大。不过，较大的应变分散暗示了应变不均匀，这是由于银界面的氧化造成的。很明显，成功的金属介导剥离的两个关键因素是均匀施加在界面上的大界面应变和无氧化物金属表面的清洁度。[5,12] 平衡这两个因素是高单层剥离产量的关键，迄今为止这对银来说很难做到。金通过高抗氧化性和在剥离前精心准备新鲜表面来实现这一点。获得适合此任务的金属表面的一种方法是模板剥离。[14,15] 使用热蒸发在光滑的模板（例如抛光硅晶片）上覆盖一层薄薄的金属层（≈ 200 纳米）。该膜可以通过
激光增材制造实现新材料概念
14.1 – 简介 在增材制造工艺中，使用化学或物理过程将液体、粉末、线材或箔片逐层堆积起来，形成部件。直接能量沉积 (DED) 或粉末床熔合 (PBF) 可用作增材制造工艺，其中使用金属粉末或线材在现有部件的基材或自由曲面上打印致密的金属层 [1]。金属粉末（纯元素、元素混合物、母合金）或金属线材高速熔化，并瞬间逐层沉积在相应的金属基材上。在所谓的激光熔覆 [2] 中，该技术通常用于涂覆涂层或工具维修。与减材工艺相比，增材工艺节省时间和资源，因为材料只在需要的地方添加。通常使用成熟的钢、镍基合金或钛合金。但是，也可以通过粉末混合物的原位合金化获得全新的材料，或者通过在堆积过程中改变粉末混合物的成分来创建材料梯度 [3]。高熵合金 (HEA) 代表了未来应用的一个新研究领域。它们由大量元素形成，所有元素都以类似的高浓度存在，例如由锆、铌、铪、钽或钨组成的合金 [4]。形成的合金通常可以是单相或多相混合晶体。HEA 通常可以结合高强度和非常好的延展性。原位合金化为未来生产具有出色高温机械性能的新型金属部件提供了快速材料筛选的独特可能性。长期以来，由于耐火合金的熔点高，其制造仅限于真空电弧重熔。使用基于激光的方法，这些金属被聚焦的激光束局部熔化并沉积在增材制造中。除了材料开发之外，增材制造还为组件设计提供了极大的设计自由度，例如，可用于开发基于仿生原理的负载优化设计 [5]。为了增加增材制造的多功能性，可以使用激光后处理来修改采用该技术生产的零件的表面[6-9]。市面上有不同类型的激光源，这确保了它们适用于广泛的应用，连续波 (cw) 激光器通常用于降低表面粗糙度，而脉冲激光器则用于修改表面功能并提高几何精度。即使有可能取代增材制造工艺链中的某些步骤，当最终制造的组件的局部区域需要特定特性时，采用激光后处理作为附加步骤也被证明是有益的。
d-d库仑相关性在磁化铁磁铁中的至关重要作用GD6（MN1 – XMX）23（M = Fe，Co）
众所周知，在元素金属中，过渡金属（TM）d-电子u dd的现场库仑能量明显小于f-electron稀有（re）金属的u f f f f f f f f f。因此，在RE-TM金属合金中通常会忽略U DD。与U F F相比，U DD的值低，但我们量化和阐明了U DD在RE -TM合金的部分填充D频带中的重要作用。我们研究了典型的RE-TM铁磁系列GD 6（Mn 1-X M X）23（M = Fe，Co; x =0。0，0。3），显示出有前途的磁性特性。使用恒定的光发射和恒定的初始状态光谱法用于识别价带中的Mn 3 d，fe 3 d和Co 3 D d d状态的部分密度（PDOS）。光子能量依赖性光谱演化使我们能够将MN，FE和CO 3 D pDOS中的下部哈伯德带和两孔相关卫星分开。使用cini-sawatzky方法，我们确定平均u dd = 2。1±0。4 eV，2。2±0。4 eV和2。9±0。4 eV。与Fe 3 D状态相比，CO相对较大的U DD在费米水平（E F）的连贯特征（E F）的DOS较低，而下Hubbard频带中的DOS较高，远离GD 6中的E F（Mn 0。7 CO 0。 3）23与GD 6（Mn 0。）相比 7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 CO 0。3）23与GD 6（Mn 0。7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 Fe 0。3）23。结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。75 eV，对应于u dd = 1。为了了解库仑相关性在电子结构和磁性特性上的作用，使用密度功能理论与现场库仑相关性（DFT + u）进行了电子结构计算（DFT + U）。65 EV和J DD = 0。9 ev。此外，使用计算出的GD和MN PDOS以及已知的光电离截面，模拟的GD 6 MN 23频谱与实验价带谱相当一致。结果表明D-D相关性在存在大型F-F相关性的情况下的关键作用，以调整RE-TM金属层的电子结构和磁性。
在金属沉积过程中，MIM顶部金属剥离与过渡流相关的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，
对金属沉积过程中的MIM顶部金属剥离的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，Ron Herring，Richard Ducusin，Richard Ducusin，Jinhong Yang Yang和Joseph Chinn Qorvo，2300 Ne Brookwook Wookwwood，Ne Brookwood Parkway，Hillsboro，Hillsboro等503-615-9820关键字：MIM，过渡流，脱皮，溅射，金属，Knudsen编号，电容器泄漏相关测试失败的电容器摘要研究揭示了金属绝缘仪金属金属（MIM）顶部金属剥离和金属沉积工具之间的相关性。简介金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容是基于GAA的RF技术的重要组成部分1,2,3,4。MIM电容器由底部金属板，介电层和顶部金属板组成。MIM电容器的制造涉及多个过程步骤。互连金属零层通常用作MIM底板。在该金属下方或顶部的缺陷可能导致MIM电容器缺陷4。氮化硅或氧化物被广泛用作电容器介电层，并使用PECVD过程沉积。介电层厚度和粗糙度的变化直接影响电容器性能。蒸发或溅射的Ti/pt/au金属堆栈通常用作MIM顶部金属。由于MIM顶部金属通过层间介电VIA连接到下一个上部金属层，因此在MIM金属沉积过程中形成的缺陷也可能导致电容器和通过与通过相关的参数故障。由于MIM过程的复杂性，在过程中无法在串联检测到的缺陷可以在各种过程步骤中形成。过程取决于缺陷的性质和位置，过程控制监视器（PCM）和Diesort测试可以筛选出一些有缺陷的模具，但是除非使用更具破坏性的测试，否则可能无法检测到某些缺陷。MIM电容器的缺陷通过PCM和Diesort测试是一个可靠性的问题。手机制造商和RF设备制造公司的研究都表明，MIM电容器故障是许多早期现场故障的主要原因1,3,4。在Qorvo中，开发了一种电压斜坡方法来检测MIM电容器缺陷4。评估每个单个模具，并在低压区域4中筛选出缺陷的模具。通常需要改进过程来解决相关的测试失败。在本文中，我们讨论了迪索（Diesort）在迪索（Diesort）检测到的电容器泄漏故障的研究，该泄漏失败与MIM顶部金属剥离有关。
高密度PWB
高密度PWB Ryoichi Watanabe和Hong的新电路编队技术赢得了Kim Samsung Electro-Mechanics Co.，Ltd。Suwon，S。韩国摘要为满足普华永道的未来需求，已讨论了普华永道的各种流程，材料和工具的技术。特别重要的是高端PWB的电路形成技术。在这些年中，从工业上讲，良好模式的电路形成方法已经改变了从减法过程到半添加过程（SAP）。SAP可以形成更细的电路，因为它不会引起侧面蚀刻，这是减法方法的问题。但是，SAP的闪光蚀刻过程会导致其他问题，例如由于电路之间的残留种子金属层，电路蚀刻和由于蚀刻而引起的电路分层引起的短缺陷。同样，由于形成电路的绝缘体表面的粗糙度，不仅有良好的电路形成的困难，而且是电特性的损失。在本文中，讨论了一种新的电路形成方法，以克服SAP原因闪光蚀刻过程的问题。它不需要闪光蚀刻过程，因此可以形成更细的模式。该细线电路形成的能力取决于图案抵抗分辨率，并被确认在L/S（线/空间）= 10/10UM或更少的情况下表现良好。也将电路模式埋在绝缘体层中，并且是带有绝缘体表面的刨床，因此电路具有高骨强度，具有绝缘体，并且通过制造设备或工艺之间的处理，损坏较小。此方法适用于建立PCB和FCP作为满足未来需求的电路形成技术。介绍电子设备的演变，该电子设备的发展速度更快，更小，更多功能但更具成本效益，PWBS的各种技术对于较高的密度需要各种技术。三星电力学有限公司，有限公司制造了许多PWB，例如HDI，用于手机，数字静止相机等，BGA软件包，FC BGA包装。为了满足未来的需求，特别是对于FCBGA，由于其高密度，生产FC BGA的产品变得越来越困难。电路的形成是需要在高密度方面快速进步的过程之一。已讨论了作为电路形成过程的减法过程和半添加过程（SAP），以提高其高密度。1，3但是，由于化学蚀刻而引起的减法过程具有侧面蚀刻的基本问题，并且由于闪光蚀刻过程，SAP具有局限性。SAP的闪光蚀刻过程会导致电路蚀刻等问题，如图1所示，在电路底部切割，如果闪光蚀刻不足，则在电路底部和种子层残基。由于种子层通常是铜，与电路相同，因此闪光蚀刻过程不仅蚀刻了种子层，还可以蚀刻电路。因此，电路宽度和厚度必须比闪光蚀刻之前的最终尺寸更宽，更厚，以在闪光蚀刻后保持设计规则。例如，在降低20UM电路的底部分离后，如图1所示，仅粘附的宽度仅为20UM螺距，如图1所示。这被认为是不足以为20UM电路提供足够的剥离强度。当电路变得更细时，由于制造输送机或滚筒的处理损坏，底切将是一个更大的问题，制造业产量将更低。出于这些原因，需要基于新概念的电路形成技术才能使线路电路形成并解决这些技术困难。