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将人工智能应用于Fab Technology共同...
胜利过程•过程模拟器 - 构建设备和组件的虚拟晶圆厂流量•压力模拟器 - 了解压力如何影响Fab流量逐步胜利设备•设备模拟器 - 设备模拟器 - 了解设备的电气特征胜利RCX•寄生野外求解器探索Beol Process
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
创新的多层OT选择器用于性能调整和提高可靠性
摘要 - 我们介绍了基于N掺杂SBSE和GE层的堆叠的卵子阈值开关（OTS）多层（ML）选择器设备的工程。通过调整单个层厚度和ML堆栈的N含量，我们证明了在集成后端（BEOL）（BEOL）期间可高度提高选择器稳定性的可能性，并降低设备对设备的变化。我们展示了OTS ML如何呈现基本的电气特性，这些特性与通过共同输入技术实现的标准散装OT兼容，但可以实现可靠的切换操作，最高可变可变异性的160°C。我们通过FTIR和拉曼光谱研究了层结构，即使在400°C下3小时后，在OTS/EDX分析中，在循环和退火的设备上进行了ots ml wrt buld ots的高稳定性，我们突出了OTS ML WRT量的无链结构的保留完整性。最后，由于对层结构和性能的更高控制，OTS ML解决方案允许可靠的耐力超过10个9周期，并提高了缩放设备的产量。
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。
基于芯片的 3D Systems 的光子中介层工艺集成
摘要 — 为了突破电气链路的带宽和延迟限制，高性能计算集成的下一个突破最终将通过光子技术和片上光网络 (ONoC) 实现。这项工作介绍了 ONoC 的整体架构，并报告了在 200 mm Leti 平台上 SOI 晶圆上的 Si 光子中介层的详细集成和制造。已成功实现了在 1310 nm 波长下工作的有源光子电路、12 µm 直径 100 µm 高度的硅通孔 (TSV) 中间工艺、带有 µ 柱的四层金属后端线路 (BEOL) 和加热器上方带有热腔的背面重分布层。横截面的形态表征评估了工艺发展和集成结果。在有源光子末端和 TSV / BEOL 工艺之后，在肋和深肋结构上测量的光传播损耗以及在单偏振光栅耦合器 (SPGC) 结构上的插入损耗均未显示偏差。 TSV 中间电阻经评估低于 22 mΩ，成品率大于 95%。最后，讨论了功能性 ONoC 系统所需的所有单个工艺块，尤其是环形调制器，以及它们成功优化的协同集成。
请致电-IITC 2025
IEEE国际互连技术会议（IEEE IITC）的第28版将于2025年6月2日至5日在韩国釜山的Westin Josun Hotel举行。这是在韩国举行的第一家IITC。作者被鼓励提交其最初的工作，描述了芯片互连至关重要的领域的创新研究和发展。会议搜索有关Beol/ Mol互连和金属化的各个方面的论文，包括设计，单位过程，集成和可靠性。
P-WLCSP 先进封装助力下一代医疗设备应用
• FEOL 采用现成的代工工艺制造集成电路 • BEOL 采用 SoP 制造，具有超薄、灵活和背面功能 • 包括精密电阻器、电容器、电感器 • 能够包含灵活的光子硅波导（美国专利 9,733,428） • 堆叠金属层之间的高密度互连 • 精确的尺寸公差简化了 IC 键合和连接 • 半导体材料与硅 IC 的 CTE 相匹配 • 顶部和底部表面均具有高密度互连
使用 Synopsys Flow 的 ASAP7 补充 PDK
技术缩放已大大增加，并且它改善了 VLSI 芯片的功率、性能和面积。最近，7 纳米 FinFET 技术广泛用于高性能处理器和片上系统。当今的最新工艺，例如 7 纳米技术节点，使用了许多“新”技术来提高其性能和 VLSI 芯片的密度。FinFET 现在是 CMOS 晶体管的常见结构。中段线路 (MOL) 被引入以连接前端线路层和后端线路 (BEOL) 层。MOL 和 BEOL 中的局部互连层使用 EUV 光刻来提高其可布线性和密度。另一方面，半全局互连层使用 193i 自异化双重图案 (SADP) 来平衡制造成本和密度。在开始电路设计之前了解 FinFET 工艺的特点非常重要，因为它与常规平面工艺有许多不同。使用“真实”工艺设计套件 (PDK) 非常昂贵，而且很难获得访问许可。因此，“可预测”的 PDK 对于 VLSI 教育和研究都非常重要。ASAP7 是针对 7 纳米技术节点的“可预测”PDK 之一，由亚利桑那州立大学与 ARM Ltd. 合作提供 [1]。它包括定制设计流程和自动化数字设计流程，因此学习最先进的 FinFET 工艺中的这些设计流程非常有用。但是，他们仅为 Cadence Innovus 提供用于布局布线 (P&R) 的技术文件。Innovus 是一种主要的 P&R EDA，然而，Synopsys IC Compiler 也是另一个主要的 P&R 工具。本文报告了使用 IC Compiler 进行 P&R 的 ASAP7 补充 PDK。此补充 PDK 包括 Synopsys StarRC 技术文件，用于实现寄生感知 P&R。此补充 PDK 旨在添加第二种选择
国际平坦化/CMP技术会议
ICPT 作为平面化/CMP 的国际研讨会，为讨论包括 FEOL 和 BEOL CMP、3D/TSV、CMP 基础、抛光工艺、耗材、设备、绿色设备、新应用、计量、清洁、缺陷控制、工艺控制、CMP 替代品、SiC、GaN、蓝宝石和钻石在内的技术提供了绝佳的机会。会议为研究人员和工程师提供了一个会面、讨论和分享各自知识领域经验的地方。无论演讲者来自哪个国家或组织，担任什么职位，或在哪个技术领域积累了经验或成为专家，都希望在平等的基础上进行热情洋溢的演讲和讨论，就像晶圆表面一样平坦。
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV