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SIGE HBT和BICMOS技术用于当前和...
摘要本文提供了BICMOS技术到THZ系统集成的总体图片，该图是在欧洲研究项目塔兰托（Taranto）中开发的。提出了欧洲高性能BICMOS技术平台，这些平台具有特殊的优势，可以解决亚毫升波和THZ系列中的应用。审查了技术过程的状态，并检查了整合挑战。对毫米波表征和建模进行了详细讨论，重点是谐波失真分析，功率和噪声测量，分别为190 GHz和325 GHz，以及最高500 GHz的S-参数测量值。活性（HBT）和被动组件的电气紧凑型模块的结果与基准电路块一起呈现，用于模型性验证。启用BICMOS的系统和应用程序，侧重于未来的无线通信系统和高速光传输系统，最终提出了1.55 tbit/s的净数据速率。
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL（高温工作寿命）测试 6 85/85（温度-湿度-偏差）测试（THB）7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估（在 150°C Tj 下）8 表 4。高温工作寿命测试 – CP1 工艺在 150°C Tj 下 10 表 5。高温工作寿命测试 – CB2 工艺在 150°C Tj 10 表 6。高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7。高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8。高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9。高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10。高温工作寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11。高温工作寿命测试 – MB1 工艺在 150°C Tj 15 表 12。85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13。高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14。温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15。高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
高效 142–182-GHz SiGe BiCMOS 功率...
摘要 — 本文提出了一种高效宽带毫米波 (mm-Wave) 集成功率放大器 (PA)，该放大器采用了基于低损耗槽线的功率组合技术。所提出的基于槽线的功率合成器由接地共面波导 (GCPW) 到槽线的过渡和折叠槽组成，可同时实现功率合成和阻抗匹配。该技术提供了一种宽带并联-串联合成方法，可增强毫米波频率下 PA 的输出功率，同时保持紧凑的面积和高效率。作为概念验证，我们在 130 nm SiGe BiCMOS 后端 (BEOL) 工艺中实现了紧凑的四合一混合功率合成器，从而使芯片面积小至 126 µ m × 240 µ m，测量的插入损耗低至 0.5 dB。3 dB 带宽超过 80 GHz，覆盖整个 G 波段 (140-220 GHz)。基于此结构，采用 130 nm SiGe BiCMOS 技术制作了高效毫米波 PA。三级 PA 实现了 30.7 dB 的峰值功率增益、40 GHz 的 3 dB 小信号增益带宽（从 142 GHz 到 182 GHz）、测量的最大饱和输出功率为 18.1 dBm，峰值功率附加效率 (PAE) 在 161 GHz 下为 12.4%。极其紧凑的功率合成方法使核心面积小至 488 µ m × 214 µ m，单位芯片面积的输出功率为 662 mW/mm 2 。
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
带有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层与 BiCMOS BEOL 层一起 LBE 提供局部背面蚀刻模块，用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能。 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的完全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG12S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供具有单个重新分布层的 TSV
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
PIC SOI 晶圆上的附加光子设计层以及 BiCMOS BEOL 层 LBE 局部背面蚀刻模块可用于局部去除硅以提高无源性能（适用于所有技术） TSV 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，可通过硅通孔提供 RF 接地以提高 RF 性能 MEMRES 基于 SG13S 技术中的电阻式 TiN/HfO 2-x/TiN 开关器件的全 CMOS 集成忆阻模块。还提供包括布局和 VerilogA 仿真模型的工艺设计套件。 TSV+RDL 模块是 SG13S 和 SG13G2 技术中的附加选项，在 BiCMOS 上提供带有单个重分布层的 TSV
具有 RF 和光子模块的 SiGe BiCMOS 技术
IHP 为研究合作伙伴和客户提供其强大的 SiGe:C BiCMOS 技术和特殊集成 RF 模块。这些技术特别适合更高 GHz 频段的应用（例如无线、宽带、雷达）。它们提供截止频率高达 500 GHz 的集成 HBT，包括互补设备。• 适用于光纤、航空航天、宽带和无线通信、雷达、数据中心、测量设备、太赫兹成像、电子健康领域的产品
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
MAXIM 高速双极和 BiCMOS 工艺可靠性...
婴儿死亡率评估 (IME) 6 HTOL (高温工作寿命) 测试 6 85/85 (温度-湿度-偏差) 测试 (THB) 7 压力罐测试 7 温度循环测试 7 高温存储测试 7 可靠性数据 8 表 3 Maxim 高频双极工艺的婴儿死亡率评估 (150°C Tj) 8 表 4. 高温工作寿命测试 – CP1 工艺，150°C Tj 10 表 5. 高温工作寿命测试 – CB2 工艺，150°C Tj 10 表6. 高温运行寿命测试 – CB3 工艺在 150°C Tj 11 表 7. 高温运行寿命测试 – GST1 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj 11 表 8. 高温运行寿命测试 – GST2 工艺在 150°C Tj（续）12 表 9. 高温运行寿命测试 – GST3 工艺在 150°C Tj 13 表 10. 高温运行寿命测试 – GST4 工艺在 150°C Tj 14 表 11. 高温运行寿命测试 – MB1 工艺在150 ° C Tj 15 表 12. 85/85 测试（高频双极和 BiCMOS 工艺） 16 表 13. 高压锅测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 18 表 14. 温度循环测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 21 表 15. 高温存储测试 适用于高频双极和 BiCMOS 工艺 25
基于脉冲拉伸逆变器链的粒子检测器
>×ŝnŝnjIHP是德国研发机构，专注于无线和宽带通信。核心竞争力是：•混合信号过程技术•RF和数字电路设计•通信ɛ系统IHP IHP正在运行8英寸的飞行线，该线位于1,000平方米级级别的清洁室中。几个0.25 µm和0.13 µm SIGE：C BICMOS技术可用。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。 IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。 在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。IHP解决方案GmbH是IHP的100％子公司。IHP解决方案旨在集中于IHP研究活动的研究结果（技术转移）以及沿IC制造价值链中增值服务的商业合作伙伴的研究结果（技术转移）。在IHP服务产品的背景下，IHP解决方案ɛ负责商业IC生产。