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统一、快速、可靠的 CMOS 兼容电阻开关存储器
摘要：电阻开关随机存取存储器（RRAM）被视为下一代存储器的潜在候选者之一。然而，获得具有高保持力和耐久性、低变化以及CMOS兼容性等全面优异性能的RRAM器件仍然是一个悬而未决的问题。在本文中，我们在HfO x 基RRAM中引入插入TaO x 层来优化器件性能。通过成型操作在TaO x 层中形成了坚固的细丝，局域场和热增强效应以及界面调制可以同时实现。因此，RRAM器件具有大窗口（> 10 3 ）、快速开关速度（~ 10 ns）、稳定的保持力（> 72 h）、高耐久性（> 10 8 次循环）以及循环间和器件间优异的一致性。这些结果表明插入TaO x 层可以显著提高HfO x 基器件的性能，为RRAM的实际应用提供了一种建设性的方法。
单电子硅 CMOS 量子点中的电荷噪声和自旋
可扩展量子计算机的发展正进入关键阶段，几种不同的固态量子比特设计已被证明是未来量子计算机基础的有力候选。硅基量子点自旋量子比特就是这样一种候选，它是该领域的一个相对较新的领域，但具有长相干时间和高保真测量和操控的潜力。硅还具有利用工业专业知识和与当前半导体制造技术的兼容性来生产可靠、可重复和可扩展的量子比特设计的显著优势。要大规模开发全功能的量子计算机，单个量子比特设计应紧凑、控制开销低，并与环境的交互最少，以防止量子信息丢失。量子点所经历的主要环境相互作用之一是所有电子设备中都存在的 1 /𝑓 电荷噪声特征。量子点区域的电场波动对半导体自旋量子比特中的单量子比特和多量子比特测量、操控和相干性构成了重大挑战。
一个低温CMOS芯片，用于生成多个Qubits的控制信号
问题1 - 5。但是，有用的量子计算机将需要大量的高保真量子台和控制界面6 - 14，该界面6 - 14通过经典（通常在室温下）和量子（通常在低温温度下）域之间传递信号（图1a）。与经典处理器不同，量子cir-cuits无法粉丝和扇出数据15、16，因此面临着重要的输入 - 输出瓶颈17。尤其是，量子计算机中的每个量子都由外部电路7、9、18单独控制，这为量子系统19增加了噪声和热量。蛮力的方法来管理这些信号（VIA）每量子的使用单个组件的使用 - 限制了这些系统的缩放潜力16。最近的最新实验说明了这种挑战，该实验需要大约200个宽带电缆，45个笨重的微波循环器和室温电子设备来控制53吨的室温（参考20）。在本文中，我们报告了一种基于芯片的低温含量金属 - 氧化物 - 氧化剂（CMOS）界面系统，该系统可以生成100 mk时多个Qubits的控制脉冲。我们的方法是基于具有超低功率分离并实现量子及其对照电路之间紧密整合的CMO芯片。我们的体系结构不需要控制系统和Qubits在同一基础21上的整体整合，也不需要从室温（或4 K）到每个量子11、13的单个电气连接。相反，我们的体系结构利用芯片到芯片互连22来管理输入 - 输出瓶颈，并有可能与各种基于半导体的Qubit平台相兼容，包括基于Majorana零模式（MZMS）23，Electron Spins 24或Gatemon 24或Gatemon设备25。
采用 CMOS 技术实现的主动可调 THz 超材料阵列
Active Tunable THz Metamaterial Array Implemented in CMOS Technology Yongshan Liu 1,2,3 † , Tong Sun 1,2 † , Xiaojun Wu 4 *, Zhongyang Bai 4 , Yun Sun 1,3 , Helin Li 1,2 , Haoyi Zhang 1 , Kanglong Chen 4 , Cunjun Ruan 4 , Yuzu Sun 1,2 , Yuanqi Hu 1,2,3 , Tianxiao Nie 1,2,3 *, Lianggong Wen 1,2,3 * 1 School of Microelectronics, Beihang University, Beijing, 100191, China. 2 Beihang-Goertek Joint Microelectronics Institute, Qingdao Research Institute, Beihang University, Qingdao, 266000, China. 3 Hefei Innovation Research Institute, Beihang University, Hefei 230013, China. 4 School of Electronics and Information Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China. † These authors contributed equally to this paper. *Correspondence: Lianggong Wen Email: wenlg@buaa.edu.cn Tianxiao Nie Email: nietianxiao@buaa.edu.cn Xiaojun Wu Email: xiaojunwu@buaa.edu.cn Abstract
讲座 3-1 微加工回顾 I：CMOS 工艺，......
蚀刻工艺。等离子系统用于电离反应气体，离子被加速轰击表面。蚀刻是通过化学反应和蚀刻物质的动量传递的组合而发生的。湿蚀刻的典型蚀刻曲线：
采用 45 nm SOI CMOS 的多模 60 GHz 雷达发射机 SoC
摘要 — 本文介绍了一种毫米波多模式雷达发射机 IC 的架构，该架构支持三种主要雷达波形：1) 连续波 (CW/FMCW)；2) 脉冲；3) 相位调制连续波 (PMCW)，全部来自单个前端。该 IC 采用 45 纳米 CMOS 绝缘硅片 (SOI) 工艺实现，可在 60 GHz 频段运行，集成了宽带三倍频器、两级前置放大器、两个功率混频器和混合信号基带波形生成电路。通过配置功率混频器和相关波形基带电路，可实现多种模式下的发射机雷达运行。这种方法的一个重要优势是，总信号带宽（雷达的一个关键性能指标）仅受脉冲生成中 RF 输出节点的限制。还提出了一种基于电流复用拓扑的新型宽带三倍频器设计技术，用于 LO 生成，输出分数带宽 > 59%。 CW 模式下完整 TX IC 的晶圆上测量结果显示，54 至 67 GHz 的平均输出功率为 12.8 dBm，峰值功率为 14.7 dBm，谐波抑制比 > 27 dB。脉冲模式下的测量显示可编程脉冲宽度为 20 至 140 ps，相当于 > 40 GHz 的雷达信号带宽。本例还演示了 PMCW 模式操作，使用 10 Gb/s PRBS 调制雷达信号。该 IC 功耗为 0.51 W，占用 2.3 × 0.85 mm2 的芯片面积（不包括焊盘）。
高分辨率连续CMOS比较器的自动偏移校准方法
高精度，连续模拟比较器被广泛用于信号检测，警报保护和其他字段。提出了一种用于高分辨率连续CMOS比较器（CMP）的自动偏移校准方法。根据短输入格式CMP的第一个输出，校准逻辑将选择适当的例程来计算最佳的修复装饰位。添加了两个校准代码并取平均值以获取实际代码。这主要考虑到比较器翻转可能会延迟一定的事实，这会导致与最佳校准代码的偏差。可以通过平均搜索结果从低到高以及从高到低点来抵消搜索错误的这一部分。根据不同的设计需求，可以通过调整最小的N频道金属氧化金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化物（NMOS）与主输入对的相对比。电路实现基于使用5 V IO设备的110 nm闪存过程。分析和仿真结果表明，很容易实现少于1 mV的偏移，这适用于商业用途。所提出的自动偏移校准方法不会增加当前的消耗，并且可以轻松地转移到其他先进的技术流程，这使其有望将来使用。
CD40106B CMOS 六路施密特触发反相器数据表 (Rev. F)
(1) 超出绝对最大额定值所列的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些只是应力额定值，并不意味着器件在这些或任何超出建议工作条件所列条件的条件下能够正常工作。长时间暴露在绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
高级CMOS Technologies（High -K/Metal Gate Stacks）用于...
Wu，L。（2013）。高级CMOS Technologies（高k/金属门堆栈），用于−22nm节点。新加坡南南技术大学博士论文。
采用CMOS 180nm的前端光接收器设计...
1 电子与仪器工程系，1 Shri GS 理工学院，印度中央邦印多尔 摘要：本文介绍了采用 CMOS 180nm 技术设计的前端光接收器。完成原理图后，通过 Cadence Virtuoso 工具进行仿真。在本设计中，作者使用的电源为 1.8V，频率范围在 1Hz 至 10GHz 之间，获得了各种参数的结果，例如 20μA 偏置电流、宽高比 W/L、输入共模电压范围在 800mv 和 1.72volts 之间。测量了开环增益等各种参数之间的权衡，并测量了开环增益、相位裕度等参数之间的权衡。获得的总增益为 98 dB。本文报告了模拟结果。索引词：模拟电路、两级运算放大器、宽高比、180nm、光接收器、CADENCE。