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批准分部分配的课程
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先进封装季度市场监测 2021 年第 4 季度
• 供需 • 最终用户应用和关键增长动力/领域 • 工艺技术 • 设备应用组合 • 生产、资本支出、收入和封装 ASP • 3D 堆叠封装包括逻辑和 DRAM 晶圆：3D 堆叠封装包括 HBM、3DS DRAM、3D NAND、3D SoC/SoIC、3D 堆叠 CMOS 图像传感器 • 收入和 ASP 仅反映封装。不包括最终测试。 • **RF-SiP 封装中使用的 WLCSP 组件不包含在 WLCSP 类别中 - 这将在监视器的未来更新中提供 • SiP 封装级市场规模正在确定，不包括 SiP 晶圆级市场。
高级包装季度市场监视器Q3 2021
• Supply and demand • End-user applications and key growth drivers/areas • Process technologies • Device application mix • Production, CapEx, revenue and package ASP • 3D stacked package includes Logic & DRAM wafers: 3D Stacked package includes HBM, 3DS DRAM, 3D NAND, 3D SoC/SoIC, 3D stacked CMOS Image Sensors • Revenue & ASPs reflect packaging only.不包括最终测试。•** RF-SIP软件包中使用的WLCSP组件不包含在WLCSP类别中 - 这将在未来的Monitor更新中提供•SIP软件包级市场的大小，不包括SIP WAFER级市场。
认识专业人士 Pinaki Mazumder
但从 1992 年开始，我开始研究涉及量子隧道传输现象的下一代技术。从那时起，我的研究主要集中在下一代技术上：首先是量子隧道器件，然后是量子点，后来是基于伪表面等离子体极化子的新兴技术。所以我可以说，过去 25 年来，我一直在为下一代技术而努力。在攻读博士学位之前，我已经积累了六年的工业研发经验。我没有利用我的工业背景来做当前一代的工作，而是转向了下一代问题。当我撰写博士论文时，它比内存技术曲线略超前一点，因为内存芯片制造商没有意识到未来一代 DRAM 芯片的测试成本方面会有什么问题。当时的测试社区开始认识到 DRAM 芯片的测试复杂性，因为集成密度超过了每芯片 1 兆位。在我完成论文并展示了一种经济高效的 DRAM 芯片测试方法的六年后，内存制造商开始使用我在论文中开发的可测试性设计技术。因此，从某种意义上说，自从 1985 年我开始攻读博士学位以来，“纳米”这个词就成了我研究的一个愿景。
适用于汽车 AI 应用的 LPDDR、GDDR 和 HBM
• 12 x 32 LPDDR DRAM @ 9.6Gb/s • 标准 PCB 制造（384 个数据引脚） • 更大的电路板和芯片面积 • 良好的内存密度
内存耦合计算：创新 HPC 和 AI 的未来
Kwon 等人，基于 HBM2 的 20nm 6GB 内存函数 DRAM，配备 1.2TFLOPS 可编程计算单元，采用库级并行，适用于机器学习应用，ISSCC 2021
黄朝宗（Chao-tsung Huang）副教授...
摘要：在人工智能的时代，卷积神经网络（CNN）正在成为一种用于图像处理的强大技术，例如去核，超分辨率甚至样式转移。他们表现出很大的潜力，可以将下一代相机和展示带入我们的日常生活。但是，传统的CNN加速器很难在边缘生成超高分辨率视频，因为它们的大量急速带宽和功耗。例如，用于降级的高级FFDNET可能需要131 GB/s的DRAM带宽，而在4K UHD 30FPS处则需要106个计算顶部。在这次演讲中，我将介绍我们最近的两部作品，以应对DRAM带宽和功耗的挑战。首先，我将讨论图像处理CNN带来的图像二线革命并阐述其设计挑战；为了清楚起见，他们与识别CNN的差异将得到强调。然后，我将以整体方式介绍我们的第一份作品 - ECNN [Micro'19]，共同优化推理流，网络模型，指令集和处理器设计。尤其是，具有面向硬件的ERNET模型的基于块的推理流可以支持FFDNET级DINOISING和SRRESNET级超分辨率，在4K UHD 30 FPS下使用小于2 GB/s的DRAM带宽。最后，我将介绍我们的第二件作品（ISCA'21]，它利用了Ring Argebra的常规稀疏度，以实现近乎最大的硬件节省和优雅的卷积发动机质量降解。布局结果表明，可以分别使用3.76 W和2.22 W进行等效的41个高位计算，分别以40 nm的技术为50％（无质量下降）和75％和75％（PSNR下降的0.11 dB）。
ALD 工业应用
ALD 在引领半导体技术方面发挥着关键作用，而其在其他前沿行业的应用领域也正在迅速增长。据市场估计，仅设备市场目前的年收入就接近 20 亿美元，预计在未来 4-5 年内将翻一番。经过 30 多年的广泛研究，ALD 氧化铪和其他高 k 电介质可以替代传统半导体制造中的二氧化硅 (SiO2)，最终于 2004 年被三星采用，在 90 nm DRAM 节点的大批量生产中用作高 k 电容器电介质。其他 DRAM 公司紧随其后，后来在 2007 年，英特尔在 45 nm 节点引入了 ALD HfO2 作为高 k 栅极电介质。这些事件导致 ALD 设备和前体市场蓬勃发展，随后出现了其他行业中 ALD 的其他工艺、前体、材料和应用，这些将在演讲中介绍。
非破坏性地原位探测涉及低 k 材料或聚合物的埋藏固体/固体界面处的分子结构：综述
近年来，半导体技术的不断缩小，极大地受益于三维（3D）集成技术和三维晶体管的快速发展。1 – 7预计未来迫切需要在更复杂的3D器件和3D动态随机存取存储器（3D DRAM）方面取得进一步进展。在此过程中，需要开发和采用许多创新的测量技术来表征3D器件和3D单元，以深入了解新器件和新材料的结构-功能关系，从而辅助设计性能更佳的先进3D器件。随着3D器件变得越来越复杂，涉及更多的埋置固/固界面，而这些埋置界面上的分子相互作用对整个器件的性能起着关键作用，应进行原位研究。极紫外 (EUV) 光刻技术已用于 3D 技术，其通过次数不断增加，可用于 7 纳米和 5 纳米节点逻辑集成电路以及 16/14 纳米节点 DRAM 的批量生产。8 – 10 与 193 纳米浸没式光刻技术相比，