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垂直通道全方位 igzo fet 可实现低延迟、高...
关键词：Vertica FET、全通道、IGZO、3D Dram。DRAM 设备是大多数数字设备的重要组成部分，在云计算、边缘计算、物联网和人工智能的发展中发挥着至关重要的作用。目前，DRAM 扩展面临的挑战主要是由于存储电容减小和关断电流增加的不匹配。基于 IGZO 的场效应晶体管 (IGZO FET) 以其极低的 I OFF (<10 -22 A/µm) 而闻名，代表了减少 DRAM 单元泄漏的解决方案。基于 IGZO-FET 的 BEOL 兼容长保留 2T0C DRAM 单元的演示展示了一种非常有前途的方法来克服传统 1T1C DRAM 单元的不匹配挑战。我们展示了用于超高密度 DRAM 的垂直全通道 IGZO FET，具有 4F 2 位单元面积和超过 300 秒的长保留时间。并对垂直 CAA IGZO FET 的微缩能力和可靠性进行了研究和评估，工艺关键尺寸 (CD) 低至 50nm。32.8 μA/μm 的高驱动电流、92 mV/decade 的小亚阈值摆幅、良好的热可靠性和稳定性表明垂直 IGZO FET 是未来超高密度 3D DRAM/SoC 应用的有希望的候选者。
CAMM2 之旅和未来潜力
16Gb DRAM > 16GB 32GB 64GB 64GB（128GB 堆叠） 24Gb DRAM > 24GB 48GB 96GB 96GB（192GB 堆叠） 32Gb DRAM > 32GB 64GB 128GB 128GB（256GB 堆叠） 32Gb DDP > 128GB 256GB 256GB（512GB 堆叠）
面向未来移动混合的硬件内存管理...
摘要 — 当前移动应用的内存占用量快速增长，对内存系统设计构成巨大挑战。DRAM 主内存不足会导致内存和存储之间频繁的数据交换，这一过程会损害性能、消耗能量并降低典型闪存设备的写入耐久性。另一方面，更大的 DRAM 具有更高的漏电功率并会更快耗尽电池电量。此外，DRAM 的扩展趋势使得 DRAM 在移动领域的进一步增长因成本而变得难以承受。新兴的非易失性存储器 (NVM) 有可能缓解这些问题，因为它的单位成本容量高于 DRAM，并且静态功耗极低。最近，出现了各种 NVM 技术，包括相变存储器 (PCM)、忆阻器和 3-D XPoint。尽管有上述优势，但与 DRAM 相比，NVM 的访问延迟更长，并且 NVM 写入会产生更高的延迟和磨损成本。因此，将这些新内存技术集成到内存层次结构中需要从根本上重新构建传统系统设计。在本研究中，我们提出了一种硬件加速内存管理器 (HMMU)，它在平面地址空间中寻址，并将一小部分 DRAM 保留用于子页块级管理。我们在这个内存管理器中设计了一组数据放置和数据迁移策略，以便我们能够利用每种内存技术的优势。通过用这个 HMMU 增强系统，我们降低了整体内存延迟，同时还减少了对 NVM 的写入。实验结果表明，与未来可能难以维持的全 DRAM 基线相比，我们的设计实现了 39% 的能耗降低，而性能仅下降了 12%。
哈佛暑期学校课程获准分部门分发
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burtlink：用于传统和虚拟现实系统的节能视频显示技术
传统的平面视频流是移动系统中最流行的应用。360◦视频内容和虚拟现实（VR）设备的快速增长正在加速VR视频流的采用。不幸的是，由于视频流过程中涉及的主要系统组件（例如，DRAM，显示界面和显示面板）的高功耗（例如DRAM，显示界面和显示面板），视频流消耗了大量的系统能量。例如，在召开平面视频流中，视频解码器（在处理器中）解码视频帧，并将它们存储在DRAM主内存中，然后在显示控制器（在处理器中）将解码的帧从DRAM传输到显示面板。此系统体系结构导致大量数据移动到DRAM以及高DRAM带宽使用情况。因此，DRAM本身消耗了超过30％的视频流能量。我们提出了burstlink，这是一种新型的系统级技术，它证明了平面和VR视频流的能源效率。burtlink基于两个关键想法。首先，burtlink直接从视频解码器或GPU传输了一个解码的视频框架到显示面板，完全绕过主机DRAM。到此目的，我们使用双重远程帧缓冲区（DRFB）而不是DRAM的双帧缓冲区扩展了显示面板，以便系统可以使用新框架直接更新DRFB，同时使用DRFB中存储的当前帧更新显示面板的像素。第二，使用现代显示界面的最大带宽将完整的解码框架以单个爆发的形式传输到显示面板。与传统的系统不同，帧传输速率由显示面板的像素上的吞吐量限制，burtlink始终可以通过将帧传输从drfb启用的像素更新中解除帧传输来充分利用现代显示器接口的高带宽。这种直接和突发的框架转移链接链接的这种直接和爆发的框架转移可显着降低视频显示的能量消耗1）通过1）减少对DRAM的访问，2）增加怠速功率状态的系统的居留性，3）在快速传输后，启用了几个系统组件的时间功率传输 - 每个系统组件将每个帧转移到DRFB中。
从根本上理解和解决 RowHammer
我们概述了困扰现代 DRAM（动态随机存储器访问）芯片的 RowHammer 漏洞的最新发展和未来发展方向，几乎所有计算系统都使用 DRAM 芯片作为主存储器。RowHammer 是一种现象，即反复访问真实 DRAM 芯片中的某一行会导致物理上相邻的行发生位翻转（即数据损坏）。自 2014 年最初的 RowHammer 论文发表以来，许多研究都表明，这种现象会导致严重且广泛的系统安全漏洞。最近对 RowHammer 现象的分析表明，随着 DRAM 技术的不断扩展，问题变得越来越严重：较新的 DRAM 芯片在设备和电路级别上更容易受到 RowHammer 的攻击。对 RowHammer 的更深入分析表明，问题有很多方面，因为漏洞对许多变量都很敏感，包括环境条件（温度和电压）、工艺变化、存储的数据模式以及内存访问模式和内存控制策略。因此，设计出完全安全且非常高效（即性能、能耗和面积开销低）的 RowHammer 保护机制已证明非常困难，DRAM 制造商所做的尝试也表明缺乏安全保障。在回顾了利用、理解和缓解 RowHammer 的各种最新进展之后，我们讨论了我们认为对解决 RowHammer 问题至关重要的未来方向。我们主张在两个主要方向上加大研究和开发力度：1）在现场部署的尖端 DRAM 芯片和计算系统中，更深入地了解该问题及其诸多方面；2）通过系统内存协作设计和开发极其高效且完全安全的解决方案。
AI 2.0 将如何塑造内存格局
• 多路复用两个数据流使内存总线能够以大约 2 倍于原生 DRAM 的速度运行 • 克服了 DRAM 设备扩展的限制 • 建立并扩展了更高模块智能的趋势，以提供更大的带宽和容量 • MRDIMM 采用多路复用来扩展 DDR5 性能路线图
美国股票研究
MU是NAND技术的领导者之一。它的1-alpha DRAM和176层的NAND坡道比该行业领先几个季度，并且进步良好，因为该公司继续鉴定使用这些节点的新产品。NAND内存（3D芯片）需求量很高。由于NAND不需要功率，因此它是具有高存储容量的每个字节的成本效益，并且很容易替换。它非常适合在移动设备，数据中心和汽车中使用，以及物联网应用程序。这是AI采用必不可少的组成部分之一，预计将在未来十年内看到强劲的增长。考虑到企业现场的数字转换，数据中心的增长是重要的。预计数据中心市场将从2021年至2026年以22.0％的复合年增长率增长。Big Tech名称的云服务，例如亚马逊的Amazon Web Services（AWS），Microsoft的Azure和Google Cloud，已成为其业务中增长最快的部分。根据其自己的估计，Micron预计，直到2025年，数据中心应用程序的DRAM的复合年增长率很快，NAND的CAGR为33％。自主驾驶还需要增加30倍以上的DRAM，而NAND则超过100倍，因为它从0级移动到5级或完全自动化。Micron自己对汽车DRAM增长的估计表明，直到2025年，NAND的复合年增长率为40％和49％。记忆价格在1H23触底，并在2024年进一步提高。我们预计记忆细分市场将在2024年为该行业的总体半导体收入中预期增长16.8％的Y-O-Y。Micron Project要求在未来几年内以DRAM的中期和20年代百分比范围增长。期望有强大的FY25，这是对AI PC，AI电话和持续数据中心AI增长的需求驱动的。超过80％的Micron DRAM产量和NAND生产的90％以上是在领先的节点上。Micron正在逐步升级下一代DRAM和NAND节点，计划的数量生产计划为2025。这为可观的收入记录创造了有利的设置，并提高了盈利能力，并支持该集团的长期增长。总体而言，预计2024年的行业供应将低于DRAM和NAND的需求。维持较高的TP每股167.10美元的买入。鉴于前景的改善，我们的TP将其固定在4.2倍前进PB（前面为3.6倍），该tp仍低于同行的平均值C.5-6倍。Micron良好地定位是多年AI驱动的增长在数据中心到边缘的存储需求中的主要受益者。
SoK：商品操作系统上的 Rowhammer
过去几年，Rowhammer 引起了学术界和工业界的广泛关注，因为 Rowhammer 攻击会对系统安全造成严重后果。自 2014 年首次对 Rowhammer 进行全面研究以来，已证实存在许多针对基于动态随机存取存储器 (DRAM) 的商品系统的 Rowhammer 攻击，这些攻击可破坏软件的机密性、完整性和可用性。因此，已提出了许多软件防御措施来缓解针对旧版（例如 DDR3）或最新 DRAM（例如 DDR4）商品系统的 Rowhammer 攻击。此外，业界已将多种硬件防御措施（例如 Target Row Refresh）部署到最新的 DRAM 中以消除 Rowhammer，我们将其归类为生产防御措施。在本文中，我们系统化了 Rowhammer 攻击和防御措施，重点关注基于 DRAM 的商品系统。特别是，我们建立了一个统一的框架来展示 Rowhammer 攻击如何影响商品系统。通过该框架，我们描述了现有的攻击，并揭示了尚未探索的新攻击媒介。我们进一步利用该框架对软件和生产防御进行分类，概括其关键防御策略并总结其主要局限性，从而确定潜在的防御策略。
2024年3月1日至31日收到的申请
Literary/ Dramatic Gurunath Waghale, Nikhilkumar Shardoor, Sambhaji Sarode, Jyoti Malhotra, Suresh Kapare 2 6771/2024-CO/L 01-03-2024 ADDICTION Literary/ Dramatic M/S GEET MP3 WHOSE PROPRIETOR IS KEVAL SINGH 3 6765/2024-CO/L 01-03-2024 MAHIYA Literary/ Dramatic M/S GEET MP3 WHOSE PROPRIETOR IS KEVAL SINGH 4 6781/2024-CO/L 01-03-2024 ITS MORNING Literary/ Dramatic M/S GEET MP3 WHOSE PROPRIETOR IS KEVAL SINGH 5 6768/2024-CO/L 01-03-2024 POSSESSIVE Literary/ Dramatic M/S Geet mp3的所有人是Keval Singh 6 66770/2024-CO/L 01-03-2024 Bachke文学/戏剧M/S Geet mp3，其所有人是Keval Singh 7 6772/2024-CO/l 01-03-2024 venom love love love love love love love live/d dram n is dram ins dram ins dram ins dram s geeeth wh 6773/2024-CO/L 01-03-2024 PERFECT Literary/ Dramatic M/S GEET MP3 WHOSE PROPRIETOR IS KEVAL SINGH 9 6774/2024-CO/L 01-03-2024 TAUR Literary/ Dramatic M/S GEET MP3 WHOSE PROPRIETOR IS KEVAL SINGH 10 6777/2024-CO/L 01-03-2024 GHODA文学/戏剧性m/s Geet mp3 Mp3的所有人是Keval Singh 11 6778/2024-CO/L 01-03-2024 Haye Vee文学/戏剧性M/S GEET mp3，其所有人的所有人是Keval Singh 12 6786/2024-CO/2024-CO/L 01-CO/L 01-03-202-202-202-2024 latex template