10 2020 IEEE 第 70 届电子元件和技术会议 │ 2020 年 6 月 3 日 – 6 月 30 日
用于高频应用的具有光敏性的低 Df 聚酰亚胺 Hitoshi Araki *、Yohei Kiuchi、Akira Shimada、Hisashi Ogasawara、Masaya Jukei 和 Masao Tomikawa 东丽工业公司电子与成像材料研究实验室,3-1-2 Sonoyama,大津,滋贺 520-0842,日本 *hitoshi.araki.u8@mail.toray 我们研究了聚酰亚胺链的分子运动和极性,开发出了新型低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 聚酰亚胺。我们发现 10-100 GHz 时的 Df 对应于 -150 至 -50 ℃ 时的分子迁移率。为了降低高频时的介电损耗 (=Df),限制低温下的分子运动非常重要。此外,减少聚酰亚胺链中的极性和柔性单元对于获得低 Dk 和 Df 的聚酰亚胺也很重要。我们利用这些知识开发了用于 RDL 的低介电损耗聚酰亚胺。结果,我们获得了新型聚酰亚胺的损耗角正切为 0.002 和介电常数为 2.7。这些聚酰亚胺可以通过正性光刻胶显影的碱性湿法蚀刻和紫外激光烧蚀法进行图案化。我们还通过混合光活性剂开发了光可定义的低损耗角正切聚酰亚胺。与传统的感光聚酰亚胺相比,新型低 Df 聚酰亚胺的微带线插入损耗更低。这些低介电损耗聚酰亚胺适用于 FO-WLP 绝缘体、中介层和其他微电子射频应用。 关键词:聚酰亚胺,低 Dk 和 Df,高频,图案化,低插入损耗 1. 简介 近年来,使用更高频率的 5G 通信技术正在不断推进,以实现高速大容量通信 [1]。此外,用于汽车防撞系统的毫米波雷达将使用超过 60 GHz 的频率 [2]。扇出型晶圆级封装 (FO- WLP) 因其封装尺寸小、制造成本低而备受半导体封装关注。高频 FO-WLP 中的再分布层 (RDL) 需要具有低介电常数 (Dk) 和耗散因数 (Df) 的绝缘体材料 [3]。特别是,采用扇出技术的封装天线 (AiP) 是 5G 时代的关键技术之一。聚四氟乙烯和液晶聚合物被称为低介电常数、低介电损耗材料。然而,这些材料在粘附性和精细图案的图案化性方面存在困难。用于 FO-WLP 再分布层的光电 BCB 介电常数低
这是 15 张职业地图之一,将需要类似知识、技能和行为的职业归为一类。职业路径和职业集群已用于进一步对职业进行分组,其中路径表明了可能的职业发展选项。已捕获每个学徒标准,以及其他对技术知识和实践技能有实质性要求的技术职业。这张地图包含大量职业,这些职业被分为三个职业路径:设计、测量和规划;现场施工;和建筑服务工程。建筑操作员/主管、金属和钢铁操作员和建筑专业操作员/技术员集群已被确定为仅适合通过学徒制学习,因此政府不打算为这些群体推出 T 级。
• Name: Prof. Anja U. Bräuer • Staff number: 2 Post-docs, 2 PhD students (starting Sept. 2017 in Oldenburg) • Main research areas: mouse cortical development, neuronal differentiation, de- and regeneration processes, brain aging • Interested in: phosphate-phospholipid-modifying proteins, lipid metabolism,
这个行业的利润非常低,可靠性在我们的财务业绩中起着重要作用。如果一台设备在其使用寿命内需要多次维修,我们的利润率实际上就被抹杀了。
015519,美国陆军。1951 年 7 月至 1962 年 2 月。伊尔……SJLVER STAR。根据总统指示,根据《联合法案》的规定,