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World File Search SystemDichalcogenides
抗真菌石墨烯 - 过渡 - 金属二色元，具有离子液体添加剂作为创新吸收剂，用于预防文化遗产
1化学工程科学研究所，研究与技术 - 赫拉斯（Forth/ice-ht），斯塔迪奥街，普拉塔尼，26504，希腊帕特拉斯2，希腊2，帕特拉斯226504化学工程系，26504 Patras，patras，patras，Greece 3 Institute for n nanholdress Materials（ISMN），国立研究委员会（ISMN），SPNI，spni，spni，spni，955，355。 意大利; elena.messina@cnr.it 4能源技术和可再生资源，意大利国家新技术，能源和可持续经济发展机构（ENEA），经Anguillarese 301，00123罗马，意大利5123，意大利5实验室5技术过程和催化实验室，化学研究所，化学研究所，联邦大学，Rio of Rio Grande do Sul，Av。Bento Gonçalves 9500, Porto Alegre 91.501-970, RS, Brazil 6 Skeletal Biology and Engineering Research Center, Department of Development and Regeneration, KU Leuven, O&N1, Herestraat 49, PB 813, 3000 Leuven, Belgium * Correspondence: ggorgolis@iceht.forth.gr (G.G.）; gabriella.dicarlo@cnr.it（G.D.C.）; henri.schrekker@ufrgs.br（H.S.S.）; c.galiotis@iceht.forth.gr（C.G.）
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
在范德华的异质结构中，石墨烯和过渡金属二分法
由于其独特的光学和电子特性，垂直的范德华异质结构（VDWH）引起了光电应用的大量关注，例如光检测，光收获和光发射二极管。为了完全利用这些特性，了解跨VDWH的界面电荷转移（CT）和重组动力学至关重要。然而，界面能量和缺陷态对石墨烯转变金属二北核化金（GR-TMD）VDWH的界面CT和重组过程的影响仍在争论中。在这里，我们研究了具有不同化学成分（W，MO，S和SE）的GR-TMD VDWH中的界面CT动力学和可调的界面能量。We demonstrate, using ultrafast terahertz spectroscopy, that while the photo-induced electron transfer direction is universal with graphene donating electrons to TMDs, its efficiency is chalcogen-dependent: the CT efficiency of S atom-based vdWHs is 3–5 times higher than that of Se-based vdWHs thanks to the lower Schottky barrier present in S-based vdWHs.相比之下，从TMD到GR的电子反传递过程定义了电荷分离时间，它依赖金属依赖性，并由TMDS的中间隙缺陷水平支配：W过渡金属基于vDWH的电荷分离极为长，远超过1 ns，这比基于MO的VDWH远超过了PS Experation 10 s的基于MO的VDWH。与基于MO的TMD相比，这种差异可以追溯到基于W的TMD中报告的更深层次的中间隙缺陷，从而导致了从被困状态到石墨烯的后电子转移的变化能量。我们的结果阐明了界面能量学和缺陷的作用，通过在GR-TMD VDWH中定制TMD的化学组成和重组动态，这是优化光电设备的优化，尤其是在光电检测领域中。
过渡金属二分法中热导率的定量预测：MOS2和WS2单层中点缺陷的影响
摘要：由于特性和维度的独特组合，研究了纳米级的各种应用，研究了过渡金属二分元。对于许多预期的应用，热传导起着重要作用。同时，这些材料通常包含相对较大的点缺陷。在这里，我们对内在和选择外部缺陷对MOS 2和WS 2单层的晶格导热率的影响进行系统分析。我们将Boltzmann传输理论与Green基于功能的T -Matrix方法相结合，以计算散射速率。缺陷配置的力常数是通过回归方法从密度功能理论计算获得的，这使我们能够以中等的计算成本采样相当大的缺陷，并系统地强制执行翻译和旋转声音总和规则。计算出的晶格导热率与MOS 2和WS 2的热传输和缺陷浓度的实验数据定量一致。至关重要的是，这表明在实验上观察到的晶格热导率的1/ t温度依赖性的强偏差可以通过点缺陷的存在来充分说明。我们进一步预测了固有缺陷的散射强度，以减少两种材料中两种材料中序列Vmo≈v2s => V 2S => v 2s> v s> s AD，而外部（ADATOM）缺陷的散射速率随着质量的增加而降低，以使li AD AD aD aD aD aD aD aD> k aD> k AD。与较早的工作相比，我们发现固有和外在的原子质都是相对较弱的散射体。我们将这种差异归因于翻译和旋转声音总规则的处理，如果不执行，则可能导致零频率限制的虚假贡献。
超级电容器应用2D纳米材料的最新发展
最近发现了二维（2D）纳米材料的特殊化学和物理能力，尤其是电化学特性，这是由于它们的固有形式出色和外部形式。结果，它们正在成为能源节能设备（例如超级电容器）的非常需要的候选者。本研究总结了2D纳米材料的最新进展。对2D纳米材料的生产技术，例如石墨烯，过渡金属氧化物，二分法和碳化物，除了它们的电化学特性外。除其他材料外，用于构建2D石墨烯的方法，提高电极的性能，从而使整体电荷放电。专门讨论了如何设计2D和3D架构，这些结构是使用2D纳米材料混合和多层的2D和多层结构。以及使用2D nanom nanomed nanomearialsials的超级领域的积极方面。我们讨论了将几种2D纳米材料（尤其是石墨烯）转化为超级电容器使用的3D材料方面的最新进展。基于石墨烯的能量储存材料的研究始于对电动双层充电和放电机制的检查，这在这些材料中很普遍。但是，当利用掺杂或化学功能化的石墨烯时，还涵盖了假能映射过程。随后，检查了非碳2D纳米材料，包括用于离子插入和氧化还原机制优先级的假能映射过程。过渡金属碳化物，过渡金属二分法和金属氧化物就是这些的例子。然后讨论了从两维纳米材料中组合3D巨大材料的方法，对于创建各种设备至关重要。关键字：2D - 过渡金属二核苷，3Dgraphene，功能化，能源存储，超级电容器
硫退火对石墨烯对过渡金属生长的影响
Dichalcogenides (TMDCs) Ahmad Nizamuddin bin Muhammad Mustafa Sami Ramadan 1 , Peter K. Petrov 1 , Huanyu Zhou 1 , Giuseppe Mallia 1 , Nicholas Harrison 1 , Yasir Noori 2 , Shibin Thomas 2 , Victoria Greenacre 2 , Gill Reid 2 , Philip N Bartlett 2 , Kees de Groot 2 , Norbert Klein 1 1 Imperial College London, London, United Kingdom 2 University of Southampton, Southampton, United Kingdom a.bin-muhammad-mustafa21@imperial.ac.uk Two-dimensional (2D) heterostructures composed of graphene and Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs) have garnered significant attention owing to their unique physics and potential applications in diverse设备。TMDC，包括MOS 2，WS 2，Mose 2和WSE 2，由于其带隙范围和强烈的轻度 - 互动，因此对电子和光电应用受到了电子和光电应用的青睐。TMDC和石墨烯中都没有悬空键，允许在异质结构中无缝集成，与单物质构型相比，为出色的设备铺平了道路。在使用机械去角质堆叠单个层的同时，化学蒸气沉积（CVD），电沉积和原子层沉积的最新进展为大面积的生长和可伸缩性提供了希望[1] [2]。但是，需要在生长后或生长后的高温暴露，可能会改变石墨烯的特性。我们研究了硫退火对石墨烯对TMDCS生长的电和结构特性的影响。在各种条件下，在温度范围为300-800°C的温度下进行系统退火。参考我们的发现表明，真空退火在石墨烯中诱导蚀刻，这会因硫种类的存在而加剧，从而导致电性能显着降解（图1）。值得注意的是，用自组装单层涂层的石墨烯会减轻这种降解，从而使高质量TMDC在石墨烯上沉积。MOS 2和WS 2对石墨烯的电沉积，然后进行硫退火后处理证明了该策略的功效。这项研究阐明了硫退火在影响石墨烯质量中的关键作用，并为TMDC在石墨烯上的生长铺平了道路，用于高性能电子应用。
与纤维素合成2D物质的生物传感器技术的进步 - 物理特性
在生物传感器技术中使用二维（2D）材料已革命 - 领域。像石墨烯，过渡金属二核苷（MOS 2和WS 2）这样的材料，六角硼（H-BN）和黑磷具有纳米级厚度和不同的物理特性，可能会大大增强生物传感器的性能[1]。石墨烯具有特殊的电导率和机械强度，以其在生物传感器中的多功能性而广泛认可。其平面结构和高电子迁移率提高了敏感性和特定的特定性，使其成为理想的组成部分[2]。过渡金属二分法源（例如MOS 2和WS 2）由于其分层结构而具有独特的半导管特性。这些材料可以与光线和电场相互作用，使其特别适合需要精确的电特性的生物传感器应用[3]。此外，研究增强了2D材料在癌症生物传感器中的作用：一种用于肺癌检测的MOS 2 /CU 2 O传感器[4]，PEC生物传感器的食管癌[5]和用于广泛癌细胞检测的实验室芯片设计[6]。
范德华（Van der Waals）的应变工程的最新进展2D材料：可调电气，电化学，磁性和光学特性
对应物。[2]因此，2D材料非常适合柔性光电子，并且有可能用于下一代超薄电子和光电设备。[1]在2004年发现石墨烯时，首先实现了2D材料的概念。[4]石墨烯对其出色的电气，光学和机械性能引起了广泛的关注。[4-6]已经研究了各种技术应用，包括Spintronics，sensors，opetelectronics，SuperCapitors和Solar Cells等。[5,7] Besides graphene, other 2D materials, such as h-BN, phosphorene, silicene, germanene, and transition metal dichalcogenides (molybdenum disulfide (MoS 2 ), molybdenum diselenide (MoSe 2 ), tungsten disulfide (WS 2 ), and tungsten diselenide (WSe 2 ), etc.），近年来已经进行了广泛的研究。[1,8–11]单层二维材料的厚度通常在订单上或小于1 nm。同时，它们的侧向尺寸可以达到更大的尺寸（从微米到偶数英寸），并且在随后的处理或进行特征或设备应用程序的后续处理或后续测量之前，可以将2D材料转移到不同的基板上。
通过深度学习对扭曲的原子薄双层材料的识别和结构表征
摘要：二维材料有望在下一代电子和光电设备中发挥重要作用。最近，由于其独特的物理特性和潜在的应用，扭曲的双层石墨烯和过渡金属二核苷引起了极大的关注。在这项研究中，我们描述了光学显微镜的使用来收集二硫化钼（MOS 2）的化学蒸气沉积（CVD）的色彩空间，并应用了语义分割卷积神经网络（CNN）的应用，以准确且快速地识别MOS 2 Flakes的厚度。第二个CNN模型经过训练，以在CVD生长的双层薄片的扭曲角度提供精确的预测。该模型利用了一个数据集，该数据集包含10,000多个合成图像，其中包括从六角形到三角形形状的几何形状。通过第二次谐波产生和拉曼光谱执行了对扭曲角度深度学习预测的后续验证。我们的结果引入了一种可扩展的方法，用于自动检查扭曲的原子薄的CVD生长双层。关键字：扭曲角度，过渡金属二核苷（TMD），深度学习，OpenCV，拉曼