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World File Search SystemDichalcogenides
WS2的水热合成及摩擦学性能...
根据Holmberg等人最近的研究，重型车辆的发动机、变速箱、轮胎、辅助设备和制动器的摩擦消耗33%的燃料能量[1]，汽车中的摩擦消耗28%的燃料能量[2]，整个造纸厂摩擦消耗的能量占15-25%[3]。因此，人们进行了多次尝试，引入各种方法来克服摩擦。润滑被公认为减少摩擦和磨损最有效的方法之一[4]。润滑油添加剂对润滑性能有重要的影响。这些添加剂是活性成分，可以在混合过程中添加到基础油中，以增强基础油的现有性能或赋予基础油所缺乏的新特性[5-6]。在现代工业中，对机械寿命和效率的不断增长的需求刺激了对性能更好的润滑油添加剂的研究。在过去的几十年中，过渡金属二硫属化物MX 2 (M=Mo、W、Ti、V、Nb和Ta，X=S、Se) 因其独特的结构和优越的性能而引起了人们的极大关注。众所周知，过渡金属二硫属化物具有由XMX层堆叠而成的夹层结构。各层之间仅靠范德华力松散地结合，易于分裂，
硫族元素原子在大型原位剥离中的作用......
二维 (2D) 过渡金属二硫属化物已成为下一代光电和自旋电子器件的有前途的平台。使用胶带进行机械剥离仍然是制备最高质量的 2D 材料（包括过渡金属二硫属化物）的主要方法，但总是会产生小尺寸的薄片。这种限制对需要大规模薄片的研究和应用构成了重大挑战。为了克服这些限制，我们探索了使用最近开发的动力学原位单层合成法 (KISS) 制备 2D WS 2 和 WSe 2。特别是，我们关注了不同基质 Au 和 Ag 以及硫族元素原子 S 和 Se 对 2D 薄膜产量和质量的影响。使用光学显微镜和原子力显微镜表征了 2D 薄膜的晶体度和空间形貌，从而对剥离质量进行了全面评估。低能电子衍射证实 2D 薄膜和基底之间没有优先取向，而光学显微镜则表明，无论使用哪种基底，WSe 2 在生成大单层方面始终优于 WS 2。最后，X 射线衍射和 X 射线光电子能谱表明 2D 材料和底层基底之间没有形成共价键。这些结果表明 KISS 方法是非破坏性方法，可用于更大规模地制备高质量 2D 过渡金属二硫属化物。
从第一性原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的
从第一原理研究原子单层中的挠曲电性
我们利用从头算密度泛函理论 (DFT) 研究了 54 个选定原子单层中的挠曲电效应。具体来说，我们考虑了 III 族单硫属化物、过渡金属二硫属化物 (TMD)、IV 族、III-V 族、V 族单层、IV 族二硫属化物、IV 族单硫属化物、过渡金属三硫属化物 (TMT) 和 V 族硫属化物的代表性材料，执行对称性适应的 DFT 模拟，以计算在实际相关的弯曲曲率下沿主方向的横向挠曲电系数。我们发现这些材料表现出线性行为，沿两个主方向具有相似的系数，TMT 的值比石墨烯大五倍。此外，我们发现了挠曲电效应的电子起源，该效应随着单层厚度、弯曲方向的弹性模量和组成原子的极化率之和而增加。挠曲电性 1-8 是半导体/绝缘体共有的机电特性，代表应变梯度和极化之间的双向耦合。与压电性不同，它不限于非中心对称的材料，即不具有反演对称性的晶格结构，与电致伸缩相反，它允许通过反转电场来反转应变，并允许感测额外的
超快电荷转移级联在混合
摘要：光电半导体设备中的创新是由对如何移动电荷和/或激子（电子 - 孔对）的基本理解驱动的，例如用于做有用工作的指定方向，例如制造燃料或电力。二维（2D）过渡金属二甲化物（TMDCS）和一维半导体的单壁碳纳米管（S-SWCNT）的多样性和可调性和光学性能使它们跨越了跨越HersoIftf的基本量子研究。在这里，我们演示了混合维度2D/1D/2D MOS 2/swcnt/WSE 2杂型词，该杂质可实现超快速光诱导的激发激素离解，然后进行电荷扩散和缓慢的重组。重要的是，相对于MOS 2/SWCNT异质数，异位层的载体产量是两倍，并且还展示了分离电荷克服层间激子结合能的能力，可以从一个TMDC/SWCNT界面扩散到另一个2D/1D界面，从而在COULOMBINDING INDENDINCLING INDEND INDENCE中分散。有趣的是，杂体似乎还可以有效地从SWCNT到WSE 2，这在相同准备的WSE 2 /SWCNT Heterobilayer中未观察到，这表明增加纳米级三层的复杂性可能会改变动态途径。我们的工作提出了“混合维度” TMDC/SWCNT的杂体，这是纳米级异位方面的载体动力学机械研究的有趣模型系统，以及用于高级光电系统中的潜在应用。关键字：过渡金属二分法，电荷转移，异质界，碳纳米管，激子O
通过杂化金属 - 有机化学蒸气沉积的2D半导体化学定制的生长
摘要：二维（2D）半导体过渡 - 金属二甲藻元化（TMDC）是激动人心的兴奋性物理和下一代电子设备的令人兴奋的平台，从而提出了强烈的需求，以了解其增长，兴奋剂和异质结构。尽管在固体源（SS-）和金属 - 有机化学蒸气沉积（MOCVD）中取得了显着进展，但仍需要进一步优化，以增强高度结晶的2D TMDC，并具有受控的掺杂。在这里，我们报告了一种混合MOCVD生长法，该方法结合了液相金属前体沉积和蒸气相机 - chalcogen的递送，以利用MOCVD和SS-CVD的优势。使用我们的混合方法，我们证明了WS 2的生长，具有从分离的单晶结构域到各种底物的连续单层膜的可调形态，包括蓝宝石，SIO 2和AU。这些WS 2膜表现出狭窄的中性激子光致发光线的宽度，低至27-28 MeV和室温迁移率最高34-36 cm 2 v-1 s-1。通过对液体前体组成的简单修改，我们证明了V掺杂WS 2，Mo X W 1-X S 2合金和面内WS 2 - MOS 2异质结构的生长。这项工作提出了一种有效的方法，可以在实验室规模上满足各种TMDC合成需求。关键字：金属 - 有机化学蒸气沉积，2D半导体生长，过渡金属二甲构代化，掺杂，合金，WS 2，MOS 2，MOS 2
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化物 NbSe 2中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
中间层激子的扩散和范德华异质结构中的传输
Abstract The assembly of monolayer transition metal dichalcogenides (TMDs) in van der Waals heterostructures yields the formation of spatially separated interlayer excitons (IXs) with large binding energies, long lifetimes, permanent dipole moments and valley-contrasting physics, providing a compelling platform for investigating and engineering spatiotemporal IX propagation with highly tunable动力学。进一步扭曲堆叠的TMD单层可以创建具有空间修改的带结构和不同的Moiré电位的长期周期性Moiré模式，具有定制的陷阱，这些陷阱可以引起与密度依赖性相变的强相关性，以调节激子运输。TMD异质结构中丰富的激子景观，加上Valleytronics和Twistronics的进步，对探索激子综合电路的巨大希望基于操纵激烈的扩散和运输。在这篇综述中，我们全面概述了了解IXS和Moiré激子的最新进展，特别关注了TMD异质结构中新兴的激子扩散和运输。我们强调通过各种方法对激子通量进行空间操纵，包括激子密度，介电环境，电场和结构工程，以进行精确控制。这种操纵激子扩散的能力为相互交流和信号处理提供了新的可能性，为在高性能光电上的激发应用铺平了道路，例如激发设备，valleytronic晶体管和光电探测器。我们终于通过概述了利用IX电流的观点和挑战来结束这项审查，用于下一代光电应用。
二维复杂金属卤化物-UCL Discovery
2004年石墨烯的突破，当时它是第一个同样的，揭示了2D材料的独特特性，并推动了2D材料研究的增长。这导致发现了许多新型的单层材料，例如苯苯丙烯，过渡金属二核苷（TMDS）和六核氮化物。这些材料由于其对电子应用的有希望的特性而引起了科学界社区中的巨大兴趣。tmds由于其多功能性和可调性，在包括催化，储能和光电子的各种应用中被证明具有吸引力。1尽管在许多情况下2D材料与其大容量相比具有增强的性质，但是有不足的方法可以控制纳米级结构，使2D材料的大规模可重复性差异很大，从而阻碍了它们进入我们的日常生活。2