这一年在理解最有用的介电和电静脉的放松剂类型铁电体方面已经取得了重大进步。很明显,原始的超透明模型只是对非常高温行为有效的第一个近似模型,实际上,尼贝特铅镁和PZT材料都是磁性自旋玻璃杯的紧密类似物。极性微区之间的相互作用会导致vogel-fulcher,例如放慢和冷冻,并提供对宏大域转变,滞后行为和耦合弹性响应的了解。
引言由于构建太比特容量的非易失性存储器集成电路和在神经形态计算中的应用前景看好[1],基于电介质电阻切换的存储器设备领域的研究数量呈指数级增长。由于缺乏理想的电介质、通过结构缺陷限制电流泄漏以及隧道效应,基于电荷存储的存储单元已经接近缩放的物理极限。相反,在基于电阻切换机制 (ReRAM) 的存储单元中,不需要理想的电介质,但其局部缺陷区域的结构必须限制在纳米级。在外部电场的影响下,该区域中的阳离子-阴离子电荷传输导致电介质结构缺陷发生局部可逆变化,这种变化在外部表现为单元电导率的逐步变化和高阻状态(HRS 或 RESET 状态)和低阻状态(LRS 或 SET 状态)之间的电阻切换。这些状态是在暴露于具有特定极性、持续时间和幅度的开关脉冲后建立的。在没有外部电场的情况下,理想的忆阻器(具有记忆功能的电阻器)能够在单元电阻的固定值下根据需要长时间维持HRS和LRS。因此,忆阻器存储单元中的一比特信息以结构变化的形式存储在两个导电电极之间封闭的电介质的局部区域中。只有两级电阻(一位)的忆阻器集成到交叉结构[2–6]中,并以3D配置
超短激光脉冲是诱导材料改性的有力工具 1–4。特别是在透明电介质中,超短激光脉冲可用于局部修改材料块内的化学结构、折射率、色心密度,光聚合,产生纳米光栅、表面纳米结构或内部空隙。大量应用领域受益于基础性进步:外科和生物医学应用、光子学、微流体学、高速激光制造 2,5–7。将这些应用推进到纳米结构需要数值建模的支持 8。在激光诱导的强场下,束缚电子从价带跃迁到导带 1,9,10,在价带中留下一个空穴。电子-空穴等离子体的粒子在激光场中被加速,通过碰撞电离导致自由载流子密度倍增,并可能产生致密的电子-空穴等离子体。最后,在远大于几皮秒的时间尺度上,材料内部发生热和结构事件 1 。我们的模型侧重于等离子体密度的积累,时间尺度可达几皮秒。已经开发了大量不同的模型来研究超短激光脉冲(约 100 fs)在高强度范围内(约 10 14 W/cm 2 )在介电体中的传播以及随后的电离。这些模型可分为两类。第一类是几种
摘要:多末端电双层晶体管最近在模仿合成和神经功能方面引起了广泛的兴趣。在这项工作中,提出了一个离子凝胶的石墨烯突触晶体管,以通过利用石墨烯的双极性能和离子 - 凝胶的离子电导率来模仿基本的合成行为。通过自旋涂层过程将离子 - 凝胶介电作用沉积到石墨烯膜上。我们分别将顶门和石墨烯通道分别为突触前和突触后末端。基本的突触功能成功模仿,包括兴奋性突触后电流(EPSC),峰值振幅和持续时间对EPSC的影响以及配对脉冲促进(PPF)。这项工作可以促进石墨烯突触晶体管在柔性电子中的应用。
先进材料的物理化学和热性能 光谱方法的热物理方面(成分、介电、声学、机械)。 功能电陶瓷材料:电介质、弛豫体、铁电体和多铁性材料。 四方钨青铜 (TTB) 和钙钛矿相关陶瓷的结构特性。 材料中的动态过程:模拟电介质偶极子的热诱导弛豫。 基本动力学和非均相过程动力学:等转化、高级线性增量程序、用于区分动力学模型的复杂动力学方法、主图。 复杂无机前体和有机(液晶、染料)化合物的热稳定性。 表面科学:薄膜和多孔材料。 用于获得软材料薄膜的激光辅助技术及其在生命科学中的应用。 科学贡献
金属和无机材料也用于柔性电子产品。金属具有高导电性,可用作电子产品中的导体。其中,银、铜、镍和碳(例如石墨烯)已以各种形式(包括薄片、纳米线、纳米管)用于柔性电子产品。这些金属可以作为金属油墨印刷。无机材料没有或只有有限的导电性,可用作电子产品中的绝缘体(电介质)或半导体。例如,聚合物、氧化钛和氧化锌已用作柔性和印刷电子产品中的半导体。其他几种氧化物和聚合物已被用作电介质,例如 PMMA 和聚氨酯。与粘合剂、溶剂和添加剂结合,这些材料可以印刷在柔性基板上。5
相比之下,IRRAS在氧化物和二元组中的应用通常不那么发达了。虽然广泛可用的氧化物粉末吸附剂的实验性IR数据,但这些材料的宏观单晶的10,11 IRRAS数据受到限制。10–13此限制源于电介质的特定光学特性,并阻碍了直到最近氧化物上IRRAS数据的实验记录。金属和半导体之间的关键区别是通过金属电子对电场进行筛选,影响总红外反射率,并引起所谓的表面选择规则,管理金属表面上的IRRAS。2,14该规则规定,对于金属,通常仅具有过渡偶极矩的成分的振动
对于超导量子计算中使用的常见材料和薄膜厚度,截止频率在几十 GHz 到几 THz 的范围内。例如,在 Al(用于实现约瑟夫森结(超导 QPU 的核心元素)的最常见材料)中,截止频率约为 80 GHz。为了保护 QPU,已经实施了各种滤波策略,包括基于磁加载电介质或铜粉的吸收滤波器(在 QPU 的输入线上)和铁氧体循环器(在从 QPU 到信号放大级的输出线上)。由于其在通带中的超低损耗,HERD-1 可以集成在将 QPU 连接到更高温度级的所有信号线中,从而减少热干扰并为 QPU 提供卓越的性能。
