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ALD 工业应用
ALD 在引领半导体技术方面发挥着关键作用，而其在其他前沿行业的应用领域也正在迅速增长。据市场估计，仅设备市场目前的年收入就接近 20 亿美元，预计在未来 4-5 年内将翻一番。经过 30 多年的广泛研究，ALD 氧化铪和其他高 k 电介质可以替代传统半导体制造中的二氧化硅 (SiO2)，最终于 2004 年被三星采用，在 90 nm DRAM 节点的大批量生产中用作高 k 电容器电介质。其他 DRAM 公司紧随其后，后来在 2007 年，英特尔在 45 nm 节点引入了 ALD HfO2 作为高 k 栅极电介质。这些事件导致 ALD 设备和前体市场蓬勃发展，随后出现了其他行业中 ALD 的其他工艺、前体、材料和应用，这些将在演讲中介绍。
VLSI 设计.pdf
小时量子与统计力学、波粒子对偶和薛定谔方程、自由和束缚粒子、准低维结构量子阱、线、点、低维系统的能带结构、量子限制、2D、1D 和 0D 结构中的态密度、异质结构和带隙工程、调制掺杂、应变层结构纳米级 MOSFET CMOS 技术的挑战、高 k 电介质和栅极堆栈、未来互连。MOSFET 作为数字开关、传播延迟、动态和静态功率耗散摩尔定律、晶体管缩放、恒定场缩放理论、恒定电压缩放、广义缩放、短沟道效应、反向短沟道效应、窄宽度效应、亚阈值传导泄漏、亚阈值斜率、漏极诱导势垒降低、栅极诱导漏极泄漏。
来自晶体的极紫外高次谐波的阿秒同步
摘要 强近红外 (NIR) 激光脉冲与宽带隙电介质相互作用会在极紫外 (XUV) 波长范围内产生高次谐波。这些观测为固体中的阿秒计量提供了可能性，精确测量各个谐波相对于 NIR 激光场的发射时间将大有裨益。本文表明，当从氧化镁晶体的输入表面检测到高次谐波时，对 XUV 发射的双色探测显示出明显的同步性，这与块体固体中电子-空穴再碰撞的半经典模型基本一致。另一方面，源自 200 μ m 厚晶体出口表面的谐波双色光谱图发生了很大变化，表明传播过程中激光场畸变的影响。我们对 XUV 能量下亚周期电子和空穴再碰撞的跟踪与阿秒脉冲固态源的开发有关。
人工智能与数据科学工程硕士
AK Thakur 教授目前继续担任印度理工学院巴特那分校物理系物理学教授和 IIT Patna 学院院长。Thakur 教授是理学硕士（物理学）金牌获得者。他因在新加坡国立大学攻读博士学位而获得令人垂涎的“尼赫鲁奖学金”（QS 排名 8）。目前，他是亚洲固态离子学会副主席。Thakur 教授的研究专长是实验凝聚态物理和应用物理，对特定实验研究感兴趣，包括：a)。可再生清洁绿色能源，b)。固态离子设备，c)。储能电池，d)。太阳能光伏，e)。电介质和铁电体，f)。纳米材料的加工和制造，g)。EMI 屏蔽，h)。电池管理系统 (BMS) 的设计和制造，以确保电动汽车应用的电池组运行安全，i)。产品设计模拟和商业化开发。
近场辐射传热（NFRHT）-CUHK EE
1。Rytov，Sergei Mikhailovich（1953）。“ [电波动和热辐射理论]”。科学学院出版社（俄语）。2。Emslie，A。G.（1961）。“通过紧密间隔的盾牌传递辐射”。3。Cravalho，E。G。; Tien，C.L。; Caren，R。P.（1967）。“小间距对两个介电辐射转移的影响”。传热杂志。89（4）：351–358。 doi：10.1115/1.3614396。 4。 domoto，G。a。; Tien，C。L.（1970）。 “平行金属表面之间辐射转移的厚膜分析”。 传热杂志。 92（3）：399–404。DOI：10.1115/1.3449675。 5。 Boehm，R。F。; Tien，C。L.（1970）。 “平行金属表面之间辐射转移的小间距分析”。 传热杂志。 92（3）：405–411。doi：10.1115/1.3449676。89（4）：351–358。doi：10.1115/1.3614396。4。domoto，G。a。; Tien，C。L.（1970）。“平行金属表面之间辐射转移的厚膜分析”。传热杂志。92（3）：399–404。DOI：10.1115/1.3449675。5。Boehm，R。F。; Tien，C。L.（1970）。 “平行金属表面之间辐射转移的小间距分析”。 传热杂志。 92（3）：405–411。doi：10.1115/1.3449676。Boehm，R。F。; Tien，C。L.（1970）。“平行金属表面之间辐射转移的小间距分析”。传热杂志。92（3）：405–411。doi：10.1115/1.3449676。
有机分子晶体相变引起大极化和创纪录的储能性能
其中 P m 和 P r 分别为最大和剩余极化。虽然传统电容器的电压在放电时线性下降，但表现出极化跳跃的强非线性电容器可以保持其电压。这一特性可以简化从电容器提供恒定电压所需的电子设备。此外，反铁电体可以比线性电介质和铁电体更有效地以高密度存储能量。含铅反铁电体的性能尤其高，12-14 例如 (Pb,La)(Zr,Ti)O 3 (PLZT) 化合物，它已在直流链路电容器中得到商业应用。此外，广泛的研究已使无铅替代品的电存储性能得到显着改善。15-18 通过将这些反铁电体改性为弛豫剂，还可以实现超高能量存储。19-22
热迁移导致的 Cu 互连中空洞的形成
随着后段制程 (BEOL) 互连尺寸的不断减小，RC 延迟已成为导致整体性能下降的主要原因 [1-2]。为了降低互连的电阻率和电容，人们采用了各种策略，例如优化制造工艺 [3-4]、修改导线的几何形状 [2] 以及利用低 k 电介质等新材料 [5-6]。然而，这些修改虽然可以通过芯片缩小尺寸来提高性能，但往往会以牺牲可靠性为代价 [7-9]。因此，对互连可靠性的广泛研究提供了有价值的评估和建议，以便在较长的使用寿命内保持性能。考虑到金属可靠性，由电子风驱动的电迁移 (EM) [10-11] 和由应力梯度驱动的应力诱导空洞 (SIV) [12] 研究了扩散主导的故障机制。对于电介质，由于金属间距最小化和介电性能较弱而产生的高电场使时间相关电介质击穿 (TDDB) 在最近的研究中也很重要 [13]。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。
量子机学习实现：建议和实验
摘要：对两种类型的人工神经网络（ANN）进行了全面分析，以评估量化对突触权重的影响。常规多层pepceptron（MLP）和卷积神经网络（CNN）已通过更改其特征来考虑。采用了基于带有双极重复器的1T1R结构的参考技术，其中包括H fo 2介电，考虑了不同的多级方案以及相应的电导量化算法。深入研究了图像识别过程的准确性。这种类型的研究在硬件实施神经网络之前至关重要。获得的结果支持将CNN用于图像域。这与卷积层在提取图像特征和降低数据复杂性方面所起的作用有关。在这种情况下，与MLP相比，突触权重的数量可以减少。
研究了用臭氧前体形成的ALD膜的结构和电性能
摘要：ALD薄片的持续发展需要持续的改进，并改变适合不同实际应用的量身定制特性的材料。臭氧最近被确定为前体，比晚期介电薄膜ALDS中的替代氧化前体具有不同的优势。本研究报告了使用O 3源的氧化铝（Al 2 O 3）和Hafnia（HFO 2）形成，并比较获得的结构和电性能。与水基薄膜相比，对臭氧基材料进行的结构检查证明具有较低的空缺水平。增强的结构特性还导致有问题通过整体层掺入不同的掺杂剂。此外，对使用ALD Gate介电的MIS结构的电特性分析表明，基于臭氧的胶片的质量和良好的绝缘性能得到了改善。然而，需要用臭氧进一步优化ALD技术，因为相对较低的相对介电性表征了超细膜。