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位点选择性模板导向抗体FC结合物与伴随配体释放
作者的完整列表：Polyakov，Alexander； Chonbuk国立大学，Vasilev，a。;国立科学技术大学Misis，Kochkova，Anastasia；国立科学技术大学伊万·史密斯罗夫（Isis Schemerov）；国立科学技术大学“ MISIS”，新材料和纳米技术系Yakimov，Evgeniy；微电子技术和高纯度材料Miakonkikh，Andrew； Ras Chernykh的Valiev物理与技术研究所，A。；国立科学技术大学Misis，Lagov，Peter；国立科学技术大学“ MISIS”，尤里高级太阳能帕夫洛夫实验室；弗鲁姆金物理化学与电化学研究所RAS，辐射技术实验室Doroshkevich，A。; Isaev，r；核研究所联合研究所；罗曼诺夫联合研究所，安德烈；国立科学技术大学Misis，Alexanyan，L；国立科学技术大学“ MISIS”，n高级太阳能Matros的实验室；亚历山大国立科学技术大学Misis Azarov；奥斯陆大学物理学系Kuznetsov，Andrej；奥斯陆大学，史蒂芬物理学系； Univ.Florida，MSE
用于量子 PNT、量子传感和
1）TopGaN Ltd.，ul。波兰华沙，Sokolowska 29/37，01-142。 2) 巴基斯坦科学院高压物理研究所，ul。波兰华沙，Sokolowska 29/37，01-142。 3) 格拉斯哥大学工程学院，格拉斯哥 G12 8LT，英国 4) 国家物理实验室，泰丁顿，米德尔塞克斯，TW11 OLW，英国，
大电流真空二极管中“异常”电子的物理性质
简介/目的：从理论上解释亚纳秒真空二极管中存在一组电子，其动能远高于施加电压（乘以基本电荷值）qU max 。方法：采用基于 Vlasov-Poisson 微分方程组数值解的数学方法，用于各种设计的一维真空二极管。结果：详细显示了所谓的“异常”电子出现在表征真空二极管中建立电流流动过程的瞬态时间域中。结论：令人信服地表明，“异常”电子的存在与二极管设计或额外电流载体的存在无关。在电压脉冲前沿为亚纳秒的真空二极管中，超过 qU max 的能量可能超过 20%。
高量子效率照片二极管（HQE检测器）
我们的高量子效率（HQE）已向世界各地的许多研究组织提供了光电二极管。客户已经取得了创纪录的打破结果，尤其是在挤压光应用中。这些光电二极管典型地定制为特定波长，入射角和极化。
隐形眼镜嵌入式全息指针
在本文中，我们提出了一种称为自旋扭矩二极管（STD）的纳米级旋转射频（RF）检测器的电气模型。提出了一种用于模型参数提取的完整方法。得出了与STD的等效电路，并将设备电阻非线性的建模与自旋扭转二极管效应一起。提出了一种详细的逐步方法，以使用常规的直流测量，RF散射参数（S-Parameter），连续波和功率表征提取模型参数。参数提取后，与单个STD的测量结果进行了比较，成功验证了模型。最后，提出的STD电气模型用于预测基于2-STD的RF检测器体系结构的行为。仿真结果突出了提出的建模方法的兴趣，以研究合适的RF检测器体系结构，以提高单个或多体RF检测的RF-DC转换效率。
基于金属卤化物钙钛矿及其他材料的发光二极管
Science Advances ，2020 ，6，eaaz5961；Nature Communications ，2017 ，8，14051；2020 ，11，4329；JACS，2018 ，140，13181-13184；2020 ，142，16001-16006；Angew.Chem.Int.Ed.，2017 ，56，9018-9022；2018 ，57，1021-1024；2020 ，59，14120-14123； 2020 ，59 ，23067-23071；2021 ，133 ，2515-2522；Advanced Materials，2016 ，28 ，305-311；2016 ，28 ，8983-8989 2018 ，30 ，1707093；ACS Energy Letters，2018 ，3 ，54-62；2018 ，3 ，1443-144 9；2019 ，4 ，1579-1583；Chemical Science，2017 ，8 ，8400- 8404；2018 ，9 ，586-593； ACS Materials Letters，2019，1，594-498；2020，2，376-380；2020，2，633-638；J. Phys。Chem.Lett.2018，9，2164-2169；2019，10，5836−5840；2019，10，5923−5928；2021，12，8229–8236；Materials Science & Engineering R，2019，137，38-65；Advanced Optical Materials，2019，7，1801474； 2020 ，9，2001766；材料化学，2018 ，30，2374-2378；2020 ，32，374-380
中子辐照 GaN 肖特基势垒二极管的温度相关电特性
明确研究了直径 400 μ m 的中子辐照 (NI) GaN 肖特基势垒二极管 (SBD) 的温度相关电特性。根据 CV 测量，与原始样品相比，NI 二极管的电子浓度明显下降，表明存在热增强载流子去除效应。中子辐照会导致明显的肖特基势垒高度不均匀性，这可以通过双势垒模型进行研究。数据表明，中子辐照会对漏电流以及低频噪声水平产生微小但可测量的抑制。尽管发现了新的深能级陷阱，但温度相关的电学结果表明 GaN SBD 具有出色的抗中子辐照性能和在极端工作温度下的稳定性。
III-氮化物 p 向下绿色（520 nm）发光二极管，带有...
1 俄亥俄州立大学电气与计算机工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。2 Lumileds LLC，美国加利福尼亚州圣何塞 95131。3 俄亥俄州立大学材料科学与工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。*通讯作者：rahman.227@buckeyemail.osu.edu 摘要：我们展示了通过高效隧道结实现的低开启电压 P 向下绿光 LED。由于 (In,Ga)N/GaN 界面中的极化场排列具有 p 向下方向，与传统的 p 向上 LED 相比，电子和空穴注入的静电耗尽势垒降低了。具有 GaN 同质结隧道结的单个 (In,Ga)N/GaN 异质结构量子阱有源区在 20A/cm 2 时表现出非常低的 2.42V 正向工作电压，当电流密度高于 100 A/cm 2 时，峰值电致发光发射波长为 520 nm。底部隧道结具有最小的电压降，能够实现向底部 p-GaN 层的出色空穴注入。III 族氮化物半导体在光电子学和电子学 1-12 中的广泛应用具有重要的技术意义，并已广泛应用于照明和显示应用。虽然过去十年来，紫/蓝光发射波长范围内的 GaN 基发光二极管的效率和功率输出有了显着提高，但较长波长的发射器仍然表现出较低的效率。对于为更长波长设计的发射器，(In,Ga)N 量子阱中的铟摩尔分数会导致与更大的晶格失配、量子阱内的缺陷以及阱-势垒界面处更高的极化片电荷密度相关的挑战，所有这些都会导致器件性能下降。13-16
电压偏置的约瑟夫森二极管中的非肾脏电荷运输和亚谐波结构
我们研究电压偏置的单渠道连接处的电荷传输，涉及有限的库珀对动量的螺旋超导体。对于约瑟夫森结，平衡电流相关的关系显示出超级传导二极管效应：临界电流取决于传播方向。我们为电压偏置的约瑟夫森二极管制定了一种散射理论，并表明多个安德烈的反射过程在DC电流 - 电压曲线中导致在低温和小电压下，由于光谱间隙的多普勒移位而导致的小电压。在当前偏向的情况下，二极管效率具有最大的矩效率η0≈0。4对于此模型。在电压偏置的情况下，拟合效率可以达到理想值η=1。我们还讨论了正常金属和螺旋超导体之间正常驾驶连接的电荷传输，并对具有自旋轨道相互作用和磁性Zeeman Fileds的相关模型发表评论。