剥离 ZrSe 3 中激子的强各向异性应变可调性 Hao Li、Gabriel Sanchez-Santolino、Sergio Puebla、Riccardo Frisenda、Abdullah M. Al-Enizi、Ayman Nafady、Roberto D'Agosta *、Andres Castellanos-Gomezgi * Hao Liebla、Dr. Sergio Puebla。里卡多·弗里森达 (Riccardo Frisenda) 博士Andres Castellanos-Gomez 材料科学工厂。马德里马德里科学研究所 (ICMM-CSIC),马德里,E-28049,西班牙。电子邮件:Andres.castellanos@csic.es Gabriel Sanchez-Santolino GFMC,马德里康普顿斯大学材料物理系和多学科研究所,28040马德里,西班牙 1,沙特阿拉伯教授。 Roberto D'Agosta 纳米生物光谱组和欧洲理论光谱设施 (ETSF)、聚合物和先进材料系:物理、化学和技术、巴斯克大学 UPV/EHU、Avenida Toulouse 72、E-2018 西班牙巴斯蒂安,FUEU,圣塞巴斯蒂安科学中心,Plaza Euskadi 5,E-48009 毕尔巴鄂,西班牙电子邮件:roberto.dagosta@ehu.es 关键词:三硒化锆 (ZrSe 3 )、2D 材料、应变工程、各向异性、带隙 我们研究单轴应变对 Zr-Seco 带结构的影响,其中半导体以 3 结构各向异性为标志。利用改进的三点弯曲试验装置,使薄 ZrSe 3 薄片沿不同的晶体取向受到单轴应变,并通过微反射光谱监测应变对其光学特性的影响。获得的光谱显示出在单轴拉伸时发生蓝移的激子特征。这种转变在很大程度上取决于施加应变的方向。当薄片沿 b 轴受拉时,激子峰偏移约 60-95 meV/%,而沿 a 轴,偏移仅达到约 0-15 meV/%。采用从头算方法研究了沿不同晶体方向施加单轴应变对ZrSe 3 的能带结构和反射光谱的影响,结果与实验结果高度一致。 1. 简介
图3。在涉及数百万个量子点的10.5 k的耦合和未耦合激子的两级“宏观”量子状态的Rabi振荡。此类Rabi振荡较早仅报道了仅具有一个单个量子点的结构[3]。使用光电容测量的观察到的Rabi振荡实际上表明即使在我们的稳态光电容测量中探测的温度和时间尺度上,即使在这种温度和时间尺度上也“无关”。信用:今日材料电子产品(2023)。doi:10.1016/j.mtelec.2023.100039
我们提出了一种新的形式主义和有效的计算框架,以研究第一原理的绝缘体和半导体中的自我捕获的激子(Stes)。使用多体伯特盐方程与扰动理论结合使用,我们能够在扰动方案中获得模式和动量分辨的激子耦合矩阵元素,并明确求解电子(孔)的真实空间定位,以及晶状体变形。此外,这种方法使我们能够计算Ste势能表面并评估Ste形成能量并变化。我们使用二维磁性半导体铬铬和宽间隙绝缘子Beo证明了我们的方法,后者具有深色激子,并预测其stokes spriances and Cooherent phonon的产生,我们希望我们能引发未来的实验,例如未来的光发光和瞬时吸收研究。
1华沙大学物理学院实验物理研究所,华沙02-093波兰2物理系,罗马萨皮恩扎大学,罗马00185,意大利罗马3劳动力国家国家 /地区champs crampscrampsmagnétiqus登山 Nanotechnologies, National Research Council (CNR-IFN), 00133 Rome, Italy 5 Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Brno 61200, Czech Republic 6 Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan 7 International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044,日本8 Centera实验室,高压物理研究所,波兰科学院,波兰华沙01-142 ∗作者,应与之解决任何信件。
研究了嵌入光学微腔的二维材料中两个激子之间的量子纠缠。计算了耦合到单个腔模的两个量子比特的 Jaynes-Cummings 类哈密顿量的能量本征态。通过计算每个本征态中两个量子比特之间的并发度,估算了这些状态之间的量子纠缠。根据我们的计算结果,如果系统在低温下仅通过发射腔光子进行衰变,则存在一个最大纠缠本征态,从而避免衰变。我们证明了这种状态的存在导致了一个违反直觉的结论:对于系统的某些初始状态,腔泄漏的事实实际上会导致平均光子寿命时间尺度上的平均并发度增加。通过对三量子比特模型的简单分析,我们证明了量子比特数的增加可以提高纠缠保持的概率。此外,我们计算了应变石墨烯单层中一对激子之间的并发随时间的变化。
完整作者列表: Oliver, Sean;乔治梅森大学,物理和天文系;乔治梅森大学,量子材料中心 Fox, Joshua;宾夕法尼亚州立大学,电子材料与设备系,应用研究实验室;宾夕法尼亚州立大学,二维晶体联盟,材料研究所 Hashemi, Arsalan;阿尔托大学,应用物理系 Singh, Akshay;麻省理工学院,材料科学与工程系;印度科学研究所,物理系 Cavalero, Randal;宾夕法尼亚州立大学,电子材料与设备系,应用研究实验室;宾夕法尼亚州立大学,二维晶体联盟,材料研究所 Yee, Sam;乔治梅森大学,物理和天文系;乔治梅森大学,量子材料中心 Snyder, David;宾夕法尼亚州立大学,电子材料与设备系,应用研究实验室;宾夕法尼亚州立大学,二维晶体联盟,材料研究所 Jaramillo, Rafael;麻省理工学院,材料科学与工程系 Komsa, Hannu-Pekka;Aalto-yliopisto,应用物理系;奥卢大学,微电子研究部 Vora, Patrick;乔治梅森大学,物理与天文系;乔治梅森大学,量子材料中心
分层的钙钛矿是杂化2D材料,它是通过有机铵阳离子层分隔的无机铅卤化物网络的自组装形成的。在这些天然量子孔结构中,量子和介电结构导致强烈依赖于材料组成的激烈的激子状态。在本文中,我们回顾了对分层钙钛矿中激子光体物理学的当前理解,并强调了对其激子特性进行调整的许多方式。特别是,我们专注于激子动力学与晶格运动和软性杂种晶格的局部变形的耦合。这些效果导致了复杂的激发状态动力学,为光电材料设计设计了新的机会,并探索了量子固定系统中基本光物理学的探索。
摘要:照明是人类的基本需求,因此寻找具有高效率和宽带白光发射的照明源十分必要。零维 (0D) 金属卤化物化合物是有希望的候选化合物,一些无铅含锑化合物表现出双峰白光发射。然而,它们的起源仍不清楚。为了解决这个问题,我们设计并制备了一类新的 0D 金属卤化物化合物,由 [M(18-冠-6)] + (M = NH 4 , Rb) 和 SbX 5 2 − (X = Cl, Br) 单元组成。我们发现 0D 化合物的发射曲线与 18-冠-6 醚的发射曲线不同且分离良好,不包括几篇报道中提出的配体内电荷转移机制。飞秒瞬态吸收数据和光物理性质的成分依赖性表明,双峰白光发射是由与金属卤化物耦合的自俘获激子的单重态和三重态(1 STE 和 3 STE)引起的。这些 0D 化合物也是非常高效的发射器,白光光致发光量子产率高达 54%。■ 简介照明是人类的基本需求,占全球电力消耗的约 20%。1