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高效热共蒸镀钙钛矿太阳能电池……
图 S4 . MAPbI 3 和处理过的 MAPbI 3 的 X 射线图。a) 10-35 o 范围内的 X 射线光谱仪。b) 和 c) 分别报告了 14.1 o 处 (110) 峰的缩放图和 MAPbI 3 和处理过的 MAPbI 3 的高斯拟合曲线。根据谢乐方程：d=(0.89*λ)/(FWHM*cosθ)，其中 λ 是 X 射线的波长，FWHM 是衍射峰的半峰全高，θ 是衍射角。通过高斯拟合评估的14.1 o 处的峰（110）的半峰全宽分别为后处理前后的钙钛矿的0.170±0.002和0.165±0.001，从而计算出的晶体尺寸分别为82.1±0.2nm和86.1±0.1nm。
扩展腔二极管激光主振荡器电源...
典型的性能波长767 nm（k），780 nm（rb）871 nm（yb +），1064 nm（yag）1070 nm（al +）光学功率> 30mw30mw内在线宽5 <3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHzfWHm linewidth（fwhm linewidth（10°S）5 <100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<<100 khz <<<100 khz <<<<<<<<100 khz。足迹25 x 80mm²质量40 g空间资格和任务
人类皮层脑电场电位记录的聆听区域
摘要 颅内脑电图 (icEEG) 记录因其无与伦比的时空分辨率而为人类神经动力学提供了宝贵的见解。然而，这种记录反映了多个底层发生器的综合活动，影响了分辨空间上不同神经源的能力。为了实证量化 icEEG 记录的聆听区，我们计算了 71 名患者（33 名女性）植入硬膜下电极 (SDE)、立体脑电图电极 (sEEG) 或高密度 sEEG 电极的 8752 个记录点之间信号与距离 (半峰全宽；FWHM) 的函数之间的相关性。正如预期的那样，对于 SDE 和 sEEG，与低频信号相比，高频信号表现出更急剧的下降。对于宽带高 g (BHG) 活动，SDE (6.6 6 2.5 mm) 和灰质中的 sEEG (7.14 6 1.7 mm) 的平均 FWHM 没有显著差异；然而，sEEG 记录的低频 FWHM 比 SDE 小 2.45 mm。白质 sEEG 在 17 – 200 Hz (q, 0.01) 频率下的功率低得多，衰减比灰质电极 (7.14 6 1.7 mm) 更宽 (11.3 6 3.2 mm)。与白质参考或公共平均参考 (CAR) 相比，使用双极参考方案可显著降低 sEEG 的 FWHM。这些结果概述了阵列设计、光谱带和参考方案对人类 icEEG 记录中局部场电位记录和源定位的影响。我们得出的指标与认知和癫痫数据的分析和解释直接相关。
技术数据表
QDOT™PBS量子点具有广泛的吸收曲线，从高能光子到NIR光。在NIR范围内近距离观察QD可以根据其吸收曲线（红线“吸收”）或排放曲线（紫色线“发射）进行分类。的吸收谱是根据第一个激子吸收峰，吸收FWHM和峰值与谷化比分类的。发射曲线的特征是发射峰，发射FWHM和PLQY。第一个激子吸收峰和发射e之间的差异称为stokes偏移。后续表1基于吸收（ABS）参数选择QDOT™材料，以及表2基于发射（EM）参数选择QDOT™材料。QDOT™PBS QD可以作为固体糊/粉末提供，很容易溶于辛烷值或任何其他非极性溶剂（己烷，甲苯，氯仿，氯苯，二氯苯），浓度高达100-150 mg/ml。PBS QD（溶液形式（辛烷值，甲苯或其他非极性溶剂））也可用。
对正常读数ASIC的性能评估，重点是TOF-PET中的Cherenkov排放
抽象目标。诸如Cherenkov发射（Cherenkov发射）的有效用法对于下一代，具有成本效益和超高敏感性的效果时间的启发时间引起了极大的兴趣。使用自定义，高功率消耗，读出电子设备和快速数字化，已经显示了与宠物大小的BGO晶体低于300 PS FWHM的前景。但是，这些结果无法扩展到由数千个检测器元素组成的完整系统。方法。为了铺平通往全型TOF-PET扫描仪的道路，我们使用Cherenkov发射闪光灯（BGO）研究了及时的ASIC的性能，以及基于FBK的金属沟通的最新SIPM探测器的开发之一。castic是一个高度可辨认的ASIC，具有8个输入通道，12 MW CH -1的功耗和能量测量的极好线性。为了将FASTIC的定时性能置于透视上，进行了比较测量与高功率消耗读数电子设备的比较测量值。主要结果。，对于2×2×3 mm 3和490 ps的最佳CTR FWHM，对于2×2×20 mm 3的Bgo晶体，及其可及时的2×2×3 mm和490 ps。此外，使用20毫米长LSO：CE：CA晶体，已经用castic测量了129 ps fwhm的CTR值，仅与离散HF电子设备获得的95 ps的最新ps略差。明显的能力。在第一次，已经评估了具有可伸缩性ASIC的BGO的定时能力。发现强调了宇宙ASIC在具有出色时机特征的成本效益TOF-PET扫描仪的发展中的潜力。
材料表征中Attosend激光脉冲的前景和局限性
在许多领域学习材料的能力至关重要。随着技术的进步，现在可以详细研究原子化。本文在检查不同的反应时研究了两个因素，包括带宽和选择性。具体来说，它探讨了激光脉冲的持续时间如何影响研究过渡时能量和选择性的宽度。这是使用由Morlet小波建模的FEMTO-和ATTSOND脉冲的模拟完成的。然后将这些脉冲转换为傅立叶，以根据海森伯格的不确定性原理来分析该脉冲中所含能量的宽度。费米的黄金法则和电子结合能的表用于定性评估选择性。结果表明，1 FS脉冲对应于FWHM能量中的约1 eV，而A为脉冲对应于FWHM能量中约1000 eV。选择性在多个跃迁耦合时随着带宽的增加而，但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时，会改善。 状态的密度也会影响选择性；较高的密度降低了选择性，而较低的密度可以增强它。，但是当特定过渡的耦合是dom-Inant时，会改善。状态的密度也会影响选择性；较高的密度降低了选择性，而较低的密度可以增强它。
引用：Verma, S., Chugh, S., Ghosh, S. 和 Rahman, BM (2022)。用于优化等离子体配对纳米结构光学参数的人工神经网络建模。纳米材料 (巴塞尔)，12(1)，170。doi：10.3390/nano12010170
摘要：人工神经网络 (ANN) 已成为机器学习 (ML) 中一种分析复杂数据驱动问题的有效方法。由于其时间效率高，它在物理学、光学和材料科学等许多科学领域都很受欢迎。本文提出了一种基于 ANN 的计算高效方法来设计和优化电磁等离子体纳米结构的新方法。在本研究中，首先使用有限元法 (FEM) 模拟纳米结构，然后使用人工智能 (AI) 对不同配对纳米结构的相关灵敏度 (S)、半峰全宽 (FWHM)、品质因数 (FOM) 和等离子体波长 (PW) 进行预测。首先，使用有限元法 (FEM) 开发计算模型来准备数据集。输入参数被视为长轴 a 、短轴 b 和分离间隙 g ，它们已用于计算相应的灵敏度（nm/RIU）、FWHM（nm）、FOM 和等离子体波长（nm）以准备数据集。其次，设计了神经网络，其中优化了隐藏层和神经元的数量，作为综合分析的一部分，以提高 ML 模型的效率。成功优化神经网络后，该模型用于对特定输入及其对应的输出进行预测。本文还比较了预测结果和模拟结果之间的误差。该方法优于直接数值模拟方法，可用于预测各种输入设备参数的输出。
通过直接电离图像传感进行轨迹成像：一种新的方法......
摘要。在基于气体的探测器中，几兆电子伏范围内的电子轨道的能量分辨率远低于固有极限。此类事件的延伸轨道长度需要较大的遏制体积，并且通常需要多线比例增益结构来捕获大面积的信号。确定准确的增益图和稳定的比例增益的困难加剧了这一挑战。作为替代方案，由于超低噪声多通道集成电路设计的最新进展，现在似乎可以无需雪崩倍增直接感测轨道图像，至少在电离密度足够高的情况下是如此。在时间投影室 (TPC) 中，由于可以控制边缘效应，因此轨道在空间中的 3-D 定位也应允许更好的能量分辨率。一个特别合适的应用是在高压 136 Xe 气体中寻找无中微子的双贝塔衰变。在衰变的 2.48 MeV Q 值下，使用直接电离成像可能可以实现 ~0.5% FWHM 的能量分辨率。虽然仅比由激发和电离之间的波动设定的固有极限 0.25% FWHM 差两倍，但稳定性考虑表明直接电离成像可以达到这种性能水平，其中电子噪声是主要贡献。
明智的杂种掺杂会产生高性能的深蓝色/近紫外的多滋养热激活的延迟荧光OLED
提出了两个多弹性热激活的延迟荧光（MR-TADF）发射器，并显示了如何进一步的深蓝色MR-TADF Emitter（didobna-n）的blueShifts，blueshifts，并缩小产生新的近乎UV的MR-TADDF EMitter，MESB-DIDOBNA-N，MESB-DIDOBNA，MESB-DIDOBNA-N。didobna-n发出明亮的蓝光（𝚽 pl = 444 nm，fwhm = 64 nm，𝚽 pl = 81％，𝝉 d = 23 ms，tspo1中的1.5 wt％）。基于此扭曲的MR-TADF化合物的深蓝色有机发光二极管（OLED）显示，CIE Y的设备为0.073的设备的最大最大外部量子效率（EQE MAX）为15.3％。融合的平面MR-TADF发射极，MESB-DIDOBNA-N显示出近量的较小和窄带（𝝀 pl = 402 nm，fWHM = 19 nm，𝚽 pl = 74.7％，𝝉 d = 133 ms，TSPO1中的1.5 wt％）。掺有共同主持人的MESB-DIDOBNA-N最好的OLED显示出近紫外OLED的最高效率为16.2％。以0.049的CIE坐标为0.049，该设备还显示了迄今为止MR-TADF OLED的最蓝EL。